【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种传感器，尤其涉及一种光电传感器。
技术介绍
作为半导体工艺的一种，CMOS工艺具有功耗低、响应速度快、抗干扰能力强、集成度高等众多优势，因此在当今的半导体制造工业中已经成为大规模集成电路的主流工艺。随着半导体工艺尤其是CMOS工艺的快速发展，单个芯片上晶体管的数量正成几何级数不断增长，芯片这一按比例缩小的趋势使得芯片在高度集成化的同时拥有了更多、更复杂的功能。自20世纪90年代以来，集成电路、微处理器的芯片制造工艺已从“微米级”、“深亚微米级”进入到“纳米电子级”的系统单芯片时代，在一个芯片上，可以集成包括CPU、DSP、逻辑电路、模拟电路、射频电路、存储器和其他电路模块及嵌入软件等，并相互连接构成完整的系统。光传感技术作为信息科学技术的一个重要分支，在光通信、工业过程控制、环境监测和国家安全等众多方面都有着十分重要的应用。光传感技术可以解决电传感技术存在的灵敏度低、易受干扰、感应时间较长、检测某些化学气体不安全等方面的问题；相比之下，光传感器具有灵敏度高、体积小、抗电磁干扰能力强、便于集成、可在线检测等众多优点。因此在传感领域中，光传感占有越...
【技术保护点】
一种光电传感器，其特征在于：包括基于CMOS工艺的平面光波导及以集成电路实现的传感器，所述平面光波导及传感器集成在一芯片上，所述平面光波导设置在金属布线层上，所述传感器的感光元件用于响应所述平面光波导传导的光信号。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘若鹏，栾琳，孙豪文，
申请(专利权)人：深圳光启高等理工研究院，深圳光启创新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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