光电转换装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种光电转换装置的制造方法。提供形成限定半导体晶片上的活性区域的隔离区域的处理、在由隔离区域限定的活性区域中形成光电转换元件的处理、以及在光电转换元件上形成微透镜的处理。通过使用在形成隔离区域的处理中形成的对准标记，执行形成光电转换元件的处理中的对准和形成微透镜的处理中的对准。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，更特别地，涉及微透镜对准。
技术介绍
光电转换装置的典型的例子包括互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器和电荷耦合器件(CCD)图像传感器。这种典型的光电转换装置包括收集入射到光电转换元件上的光的微透镜。日本专利公开No.2003-273342公开了形成隔离区域并通过使用隔离区域作为对准的基准形成光电转换元件。日本专利公开No. 2003-273342还公开了通过使用隔离区域作为对准的基准形成栅极层并通过使用栅极层作为对准的基准形成各接触栓塞(plug)层。还公开了通过使用栅极层作为基准执行对准来形成滤色器以及通过使用滤色器作为基准 执行对准来形成芯片上透镜(微透镜)。在日本专利公开No. 2003-273342中所描述的方法中，当要形成微透镜时，经过栅极层的形成和滤色器的形成，可在先前的对准中引起的对准误差被累积。结果，光电转换元件和微透镜之间的相对位置关系会显著偏离设计值。随着多个光电转换元件之间的距离(像素节距(pitch))的减小，这种偏离会导致光电转换装置的性能的降低，诸如串扰的出现或灵敏度的降低。
技术实现思路
本专利技术在一个方面中提供一种，该制造方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电转换装置的制造方法，包括以下的处理：形成隔离区域，所述隔离区域限定半导体晶片上的活性区域；在由所述隔离区域限定的活性区域中形成光电转换元件；和在所述光电转换元件上形成微透镜，其中，通过使用在形成隔离区域的处理中形成的对准标记，执行形成光电转换元件的处理中的对准和形成微透镜的处理中的对准。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：荒川三喜男，伊藤正孝，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：