固态成像设备、固态成像设备的制造方法及电子设备技术

本发明专利技术提供一种固态成像设备、固态成像设备的制造方法及电子设备。该固态成像设备包括：光电转换部分，产生与接收的光量对应的信号电荷；以及多个像素晶体管，读取在该光电转换部分中产生的信号电荷并且包括放大晶体管，该放大晶体管由放大栅极电极、高浓度杂质区域和低浓度杂质区域形成，放大栅极电极形成在基板上，高浓度杂质区域形成在该放大栅极电极的漏极侧的基板区域中，低浓度杂质区域形成为具有比高浓度杂质区域低的杂质浓度且形成在该放大栅极电极的源极侧的基板区域中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及CMOS固态成像设备及该固态成像设备的制造方法。另外，本专利技术还涉及采用该固态成像设备的电子设备。
技术介绍
固态成像设备粗略地分成CXD (电荷耦合器件)固态成像设备和CMOS (互补金属氧化物半导体)固态成像设备。当CCD固态成像设备和CMOS固态成像设备相比较时，在CCD固态成像设备中因为与CMOS固态成像设备相比需要高的驱动电压来传输信号电荷，所以 必须增加电源电压。如上所述，考虑到功耗等，CMOS固态成像设备比CCD固态成像设备更有优势。因此，近来，作为移动设备(诸如装配有照相机的移动电话或PDA (个人数字助理))上安装的固态成像设备，比CCD固态成像设备更具优势的CMOS固态成像设备已被广泛采用。CMOS固态成像设备包括光接收部分，由响应于接收的光来产生信号电荷的光电二极管形成；浮置扩散部分，光接收部分中产生的信号电荷通过该浮置扩散部分被读取；以及多个MOS晶体管。多个MOS晶体管的示例包括传输晶体管、复位晶体管、放大晶体管和选择晶体管，并且这些MOS晶体管连接到在上层形成的多层配线层中的期望配线层。在CMOS固态成像设备中，信号电荷产生并累积在光接收本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固态成像设备，包括：光电转换部分，产生与接收的光量对应的信号电荷；以及多个像素晶体管，读取在该光电转换部分中产生的信号电荷并且包括放大晶体管，该放大晶体管由放大栅极电极、高浓度杂质区域和低浓度杂质区域形成，该放大栅极电极形成在基板上，该高浓度杂质区域形成在该放大栅极电极的漏极侧的基板区域中，该低浓度杂质区域形成为具有比该高浓度杂质区域低的杂质浓度且形成于该放大栅极电极的源极侧的基板区域。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：大石哲也，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：