带有引线框连接的功率覆盖结构制造技术

本发明专利技术涉及带有引线框连接的功率覆盖结构。公开了一种合并引线框连接的功率覆盖(POL)封装结构。该POL结构(10)包括POL子模块(14)，其具有：介电层(30)；至少一个半导体装置(12)，其附连到介电层(30)上且其包括由半导体材料构成的基板和形成于基板上的多个连接垫；以及金属互连结构(38)，其电联接到至少一个半导体装置(12)的多个连接垫，其中金属互连结构(38)延伸通过介电层(30)中的通孔(36)以便连接到多个连接垫。该POL结构(10)还包括引线框(26)，其电联接到POL子模块(14)，其中引线框(26)包括引线(28)，引线(28)被配置成形成到外部电路结构(27)的互连。

【技术实现步骤摘要】
带有引线框连接的功率覆盖结构
本专利技术的实施例大体而言涉及用于封装半导体装置的结构和方法，且更特定而言涉及在其中合并了引线框(leadframe)连接的功率覆盖(POL)封装结构。
技术介绍
功率半导体装置为用作功率电子电路中的开关或整流器的半导体装置，诸如开关式电源。大部分功率半导体装置仅用于通信模式(即，它们或者导通或者截止)，且因此对此进行优化。许多功率半导体装置用于高电压功率应用中且被设计成输送大量电流且支持大电压。在使用中，高电压功率半导体装置经由功率覆盖(POL)封装和互连系统连接到外部电路，其中POL封装也提供移除由装置所生成的热且保护该装置免受外部环境影响的方式。标准POL封装制造工艺通常始于经由粘合剂将一个或多个功率半导体装置放置于介电层上。金属互连(例如，铜互连)然后电镀到介电层上以形成到(多个)功率半导体装置的直接金属连接。金属互连可呈小轮廓(例如，小于200微米厚)、平坦互连结构的形式，其提供用于到和自(多个)功率半导体装置的输入/输出(I/O)系统的形成。为了连接到外部电路，诸如通过形成到印刷电路板的二级互连，例如，当前的POL封装使用焊球栅阵列(BGA)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率覆盖(POL)结构(10)，包括：POL子模块(14)，所述POL子模块(14)包括：介电层(30)；附连到所述介电层(30)上的至少一个半导体装置(12)，其中所述至少一个半导体装置(12)中的每一个包括由半导体材料构成的基板和形成于所述基板上的多个连接垫；以及金属互连结构(38)，其电联接到所述至少一个半导体装置(12)的多个连接垫，所述金属互连结构(38)延伸通过穿过所述介电层(30)形成的通孔(36)以便连接到所述多个连接垫；以及引线框(26)，其电联接到所述POL子模块(14)，所述引线框(26)包括引线(28)，所述引线(28)被配置成形成到外部电路结构(27)的互连。

【技术特征摘要】
2011.08.16 US 13/211,0571.一种功率覆盖结构，包括：功率覆盖子模块，所述功率覆盖子模块包括：介电层，具有穿过其中形成的多个通孔，所述介电层包括在介电膜上的介电叠层；附连到所述介电层上的至少一个半导体装置，其中所述至少一个半导体装置中的每一个包括由半导体材料构成的基板和形成于所述基板上的多个连接垫；以及金属互连结构，其电联接到所述至少一个半导体装置的多个连接垫，所述金属互连结构延伸通过穿过所述介电层形成的通孔以便连接到所述多个连接垫；以及引线框，其电联接到所述功率覆盖子模块，所述引线框包括多个引线，所述引线被配置成形成到外部电路结构的互连；以及具有第一表面和第二表面的多层基板，其中所述功率覆盖子模块以及所述引线框的多个引线的每个引线都直接附连到所述多层基板的所述第一表面上，使得在多层基板平面上形成所述功率覆盖子模块到所述外部电路结构的电联接。2.根据权利要求1所述的功率覆盖结构，其特征在于，还包括位于所述多层基板与所述功率覆盖结构之间的焊接材料和导电粘...

【专利技术属性】
技术研发人员：AV高达，PA麦康內李，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：