一种硅块切割装置制造方法及图纸

技术编号:8382015 阅读:165 留言:0更新日期:2013-03-06 22:46
本发明专利技术公开了一种硅块切割装置,用于将硅块加工成硅片,包括至少两个导轮及线体,导轮的外侧表面设置若干密度均匀的线槽,线体依次螺旋状环绕设置在所述线槽内,构成上下不交叉的线网,放线端导轮的线槽槽距值大于收线端导轮的线槽槽距值,所述放线端和所述收线端分别为线体相对脱离和相对卷入导轮的线端。采用本发明专利技术的梯形线网硅块切割装置,可降低切割硅片厚度偏差,实用性强,结构设计简单可行。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅块加工领域,尤其涉及一种硅块切割装置
技术介绍
目前,太阳能领域的硅块切片工艺中,多采用线切割技术。常规采用如图I所示的平行线网-砂浆料切割的方式。这种方式的原理为一根钢线I顺序缠绕在至少两个导轮上,形成平行线网。其中,导轮上设槽距均匀的线槽,且每个导轮上的线槽槽距均相等,线槽用于收容钢线I。浆料喷嘴设置硅块2的两侧,它将砂浆喷在平行线网上,导轮旋转驱动钢线I将砂浆带动到硅块2中,研磨切割硅块2。同时,硅块2相对线网缓慢穿过平行线网,而 后经过磨削切割加工,将硅块2切割制得相同厚度的硅片。在切割过程中,采用平行线网-砂浆料切割的方式时,钢线I上的切割磨料存在着一定的磨损,主要表现在放线端导轮处的钢线I和收线端导轮处的钢线1,放线端导轮处的钢线I切割磨料磨损小,导致硅片2厚度相对较薄,收线端导轮处的钢线I反之。因而,放线端导轮和收线端导轮处的钢线I不可避免地对硅片2切割产生厚度变化,切片也会随磨料的减少而厚度增加,致使制得的硅片厚度不一致,这也是硅片整体厚度变化(total thickness variation,简称 TTV)的主要原因。目前,以此方式切割的大多数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅块切割装置,用于将硅块加工成硅片,包括至少两个导轮及线体,所述导轮的外侧表面设置若干密度均匀的线槽,所述线体依次螺旋状环绕设置在所述线槽内,构成上下不交叉的线网,其特征在于,放线端导轮的线槽槽距值大于收线端导轮的线槽槽距值,所述放线端和所述收线端分别为所述线体相对脱离和相对卷入所述导轮的线端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:汤友高建庭李松林
申请(专利权)人:江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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