铸锭单晶炉和铸锭单晶硅的制备方法技术

技术编号:31010999 阅读:50 留言:0更新日期:2021-11-30 00:09
本发明专利技术公开了一种铸锭单晶炉和铸锭单晶硅的制备方法。包括炉体,所述炉体顶部设置有第一开口,所述第一开口中设置有进气装置;所述炉体内设置有隔热笼,所述隔热笼内设有热交换台,所述热交换台上设置有底板,所述底板设置在所述石英坩埚底部,所述底板与围设在所述石英坩埚外侧的护板相连,所述隔热笼内还设有侧边加热器,所述侧边加热器设置在所述护板外侧,所述护板上设置有盖板;所述炉体底部设有第二开口,所述第二开口内设置有旋转轴,所述旋转轴与所述热交换台相固定,所述旋转轴与所述炉体外的旋转驱动装置连接,其中,所述护板包含四块首尾相连的护板,所述四块护板都存在一边边缘设置有矩形缺口。采用铸锭单晶炉和该铸锭单晶硅的制备方法制备的铸锭单晶硅的杂质含量少,品质高。品质高。

【技术实现步骤摘要】
铸锭单晶炉和铸锭单晶硅的制备方法


[0001]本专利技术涉及太阳能铸造单晶硅领域,尤其涉及一种铸锭单晶炉和铸锭单晶硅的制备方法。

技术介绍

[0002]铸造单晶硅单次投料量大,产能高,其生产成本远低于直拉法单晶硅。此外,铸锭单晶硅位错密度低,能使用碱制绒工艺得到金字塔形状的绒面,增加了入射光的吸收,因此转换效率非常接近直拉单晶产品,并完全适用于PERC等高效电池技术,具有很强的产品竞争力。
[0003]现有铸锭单晶硅生长工艺中,铸锭炉的主要结构如图1所示,气流(如图1所示箭头)从炉体1顶部的第一开口101处进入,再从炉体1的侧边排出。铸锭炉中所采用的护板4

结构如图2所示,由于现有的铸锭炉中石英坩埚是固定不动的,且护板4

结构为中间开口,气流从上部进入后从中间通过再从侧边排出,气流不是很顺畅,导致铸锭单晶硅的氧、碳含量偏高,严重影响了铸锭单晶硅的品质。

技术实现思路

[0004]为解决上述问题,本专利技术的目的在于提出一种铸锭单晶炉和铸锭单晶硅的制备方法。采用铸锭单晶炉和该铸锭单晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铸锭单晶炉,其特征在于,包括炉体(1),所述炉体(1)顶部设置有第一开口(101),所述第一开口(101)中设置有进气装置;所述炉体(1)内设置有隔热笼(2),所述隔热笼(2)内设有热交换台(8),所述热交换台(8)上设置有底板(7),所述底板(7)设置在所述石英坩埚(6)底部,所述底板(7)与围设在所述石英坩埚(6)外侧的护板(4)相连,所述隔热笼(2)内还设有侧边加热器(5),所述侧边加热器(5)设置在所述护板(4)外侧,所属护板(4)上设置有盖板(3);所述炉体(1)底部设有第二开口(102),所述第二开口(102)内设置有旋转轴(9),所述旋转轴(9)与所述热交换台(8)相固定,所述旋转轴(9)与所述炉体(1)外的旋转驱动装置连接;其中,所述护板(4)包含四块首尾相连的护板(41,42,43,44),所述四块护板(41,42,43,44)都存在一边边缘设置有矩形缺口。2.根据权利要求1所述的铸锭单晶炉,其特征在于,所述护板(41,42,43,44)中有矩形缺口的一边与另一护板(41,42,43,44)无矩形缺口的一边首尾相连。3.根据权利要求1所述的铸锭单晶炉,其特征在于,与所述底板(7)平行的所述护板(4)的边和与所述底板(7)平行的所述护板(4)的矩形缺口的边的边长值之比为1:(0.3

0.8)。4.根据权利要求1所述的铸锭单晶炉,其特征在于,与所述底板(7)垂直的所述护板(4)的边和与所述底板(7)垂直的所述护板(4)的矩形缺口的边的边长值之比为1:(0.2

0.7)。5.一种铸锭单晶硅的制备方法,其特征在于,包括:S1:提供如权利要求1~4任一所述的铸锭单晶炉,在所述铸锭单晶炉的石英坩埚(6)内铺设籽晶层;S2:所述籽晶层上方填装硅料,抽真空、检漏并通过所述第一开口(101)的进气装置通入气体保持压力稳定;S3:启动加热器熔化所述硅料;S4:检测所述硅料的固液界面,当所述籽晶层剩余至预设高度时,开启所述炉体(1)外的旋转驱动装置,利用所述旋转轴(9)带动所述热交换台(8)旋转,使得所述热交换台(8)上的所述底板(7)、所述石英坩埚(6)、所述护板(4)和所述盖板(3)旋转;S5:...

【专利技术属性】
技术研发人员:何亮邹贵付毛伟雷琦罗鸿志何新根李小平李建敏程小娟陈仙辉甘胜泉
申请(专利权)人:江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1