碳化硅晶体生长装置和晶体生长方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶体生长装置和晶体生长方法。碳化硅晶体生长装置包括坩埚和网状件；网状件设置在坩埚的坩埚体中，且网状件的周缘与坩埚体的内壁抵持；网状件呈朝向坩埚体底部的凹状；坩埚底部被配置为用于盛放原料粉料，网状件被配置为贴合覆盖原料粉料，原料粉料朝向坩埚体顶面的表面具有与网状件相适配的凹状。其能够通过料面凹凸程度的改变，能够有效利用热场，使得晶体内应力下降以及氮掺杂更加均匀，从两方面解决SF的出现以及尽可能的降低BPD的密度。密度。密度。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅晶体生长装置和晶体生长方法


[0001]本专利技术涉及晶体生长
，具体而言，涉及一种碳化硅晶体生长装置和晶体生长方法。

技术介绍

[0002]现有技术的碳化硅晶体的生长过程中，随着生产的晶体厚度增加，平坦料面到晶体表面的距离产生变化，热场也已经不再适配。
[0003]由于生长中后期硅的消耗大，使得碳的比例会更高，这时热场的不适配会使料面碳化，诱导碳包裹的出现以及层错(StackingFault，SF)的产生。同时由于晶体表面产生凸度与平坦料面的不适配，使得使用平坦料面生长的晶体后期产生轴向应力，存在更多的基矢面位错(BaselPlaneDislocation，BPD)。这些问题使得使用平坦料面生长的碳化硅晶体无法规避碳包裹、SF和BPD这三种缺陷。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的包括，例如，提供了一种碳化硅晶体生长装置和晶体生长方法，其能够通过料面凹凸程度的改变，能够有效利用热场，使得晶体内应力下降以及氮掺杂更加均匀，从两方面解决SF的出现以及尽可能的降低BPD的密度。
>[0005]本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括：坩埚(100)和网状件(200)；所述网状件(200)设置在所述坩埚(100)的坩埚体(110)中，且所述网状件(200)的周缘与所述坩埚体(110)的内壁抵持，所述网状件(200)呈朝向坩埚体(110)底部的凹状；坩埚(100)底部被配置为用于盛放原料粉料(22)，所述网状件(200)被配置为贴合覆盖所述原料粉料(22)，所述原料粉料(22)朝向所述坩埚体(110)顶面的表面具有与所述网状件(200)相适配的凹状。2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述网状件(200)为金属网格片；和/或，所述网状件(200)为多层。3.根据权利要求2所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述网状件(200)为钽网。4.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：还包括载台(300)；所述载台(300)的周缘与所述坩埚体(110)的内壁抵持；所述载台(300)的中心具有朝向坩埚体(110)的坩埚盖(120)的贯穿的引流通道(310)；且从远离所述坩埚盖(120)到靠近所述坩埚盖(120)的方向，所述引流通道(310)的开口逐渐减小。5.根据权利要求4所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：还包括金属筛网(400)；所述金属筛网(400)设置在所述载台(300)的靠近所述坩埚盖(120)的顶部，以覆盖所述引流通道(310)的开口。6.根据权利要求5所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述引流通道(310)靠近所述坩埚盖(120)的开口处设置有沉台(320)；所述金属筛网(400)设置在所述沉台(320)上以覆盖所述引流通道(310)的开口。7.根据权利要求6所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：还包括导流罩(500)；所述导流罩(500)具有沿坩埚体(110)高度方向贯穿的导流通道(510)；所述导流罩(500)的底部抵持在所述引流通道(310)的开口的周缘，所述导流罩(500)的顶部抵持在坩埚盖(120)上的籽晶(21)的周缘；且所述导流通道(510)与所述引流通道(310)正对。8.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：还包括石墨纸(600)；所述石墨纸(600)的周缘与所述坩埚体(110)的内壁抵持；且所述石墨纸(600)设置在所述网状件(200)靠近所述坩埚体(110)底部的一侧。9.根据权利要求8所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于：还包括多晶碳化硅晶锭材料(700)；所述多晶碳化硅晶锭材料(700)填充在在所述网状件(200)与所述石墨纸(600)之间。10.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：王睿仑，张洁，廖弘基，杨树，
申请(专利权)人：福建北电新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：