一种碳化硅晶体尺寸检测装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种碳化硅晶体尺寸检测装置，涉及半导体技术领域，该碳化硅晶体尺寸检测装置包括底座、支架、托盘及高度检测器，高度检测器包括第一检测件及第二检测件，第二检测件设置于第一检测件内且该第二检测件能露出于第一检测件，第一检测件用于检测碳化硅晶体的最大高度尺寸，第二检测件均用于检测碳化硅晶体预设直径标记处的的最小高度尺寸。仅通过一台检测机器同时对晶体的最大高度及预设直径标记处的最小高度的检测，避免使用两台不同的仪器对碳化硅晶体进行检测，不仅增大了检测效率，也减小了检测误差。也减小了检测误差。也减小了检测误差。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶体尺寸检测装置


[0001]本技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种碳化硅晶体尺寸检测装置。

技术介绍

[0002]碳化硅作为新兴的第三代半导体核心材料，具有宽禁带、高临界击穿电场强度、高电子迁移率以及良好的抗辐照性和化学稳定性等优异特性，在航空器件、新能源汽车、轨道交通和家用电器等领域展现了良好的应用前景。碳化硅晶体是用于外延芯片的衬底材料，由于物理气相输运(PVT)法在生长过程的特性，长成的晶体形成顶部弧形凸起、底部直径稍小的柱体，在切割为晶圆前，需通过滚圆、端面研磨等工艺，将晶体加工成预设直径的圆柱体。其中，端面研磨是磨去晶体顶部弧形凸起的部分，滚圆是将晶体的直径大小磨至预设直径，而端面研磨的去除量要依据晶体质检测量得到。
[0003]而目前在晶体质检时，先用高度仪测出晶体最大厚度，即晶体顶部弧形凸起距离晶体底部的最大高度尺寸，再用轮廓仪测量晶体凸度，估算出晶体的有效厚度，从而为端面研磨的加工去除量提供数据依据。但通过两个不同的仪器对碳化硅晶体进行检测不仅效率低下，并且转移碳化硅晶体会增大检测误差。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体尺寸检测装置，其特征在于，包括：底座，所述底座具有一平面；支架，所述支架的一端设置于所述底座，另一端高出于所述平面；托盘，所述托盘可转动地设置于所述底座，所述托盘用于放置碳化硅晶体；以及高度检测器，所述高度检测器设置于所述支架远离所述底座平面的一端，所述高度检测器包括第一检测件及第二检测件，所述第二检测件设置于所述第一检测件内且所述第二检测件能露出于所述第一检测件，所述第一检测件用于检测所述碳化硅晶体的最大高度尺寸，所述第二检测件用于检测所述碳化硅晶体预设直径标记处的最小高度尺寸；所述托盘与所述支架中的至少一个可滑动的设置于所述底座，以使得所述托盘与所述支架在所述平面相互靠近或相互远离。2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体尺寸检测装置，其特征在于：所述高度检测器还包括高度检测表盘，所述高度检测表盘与所述第一检测件及第二检测件均连接，所述高度检测表盘用于显示所述第一检测件或第二检测件的检测数据。3.根据权利要求2所述的碳化硅晶体尺寸检测装置，其特征在于：所述第一检测件包括相连接的杆体和帽体，所述杆体的一端与所述高度检测表盘连接，所述杆体的另一端与所述帽体可拆卸连接，所述杆体与所述帽体共同限定出用于收纳所述第二检测件的收纳空间。4.根据权利要求3所述的碳化硅晶体尺寸检测装置，其特征在于：所述第一检测件的所述帽体上设有第一检测部，所述第一检测部的直径范围为8
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12mm；所述第二检测件上设有第二检测部，所述第二检测部的直径范围为0.8
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1.2mm。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的碳化硅晶体尺寸检测装置，其特征在于：所述托盘可滑动地设置于所述底座，以使得所述托盘与所述支架在所述平面相互靠近...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈艳，蔡文必，裴斌，徐谭阳，许佳锋，
申请(专利权)人：福建北电新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：