【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种加工效率高、且准确的二极管硅叠切割工艺，还涉及一种实现该二极管硅叠切割工艺的专用工装。
技术介绍
二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。娃二极管的反向电流较小,耐高温,使用较为广泛。在生产硅二极管的过程中，需要将硅叠切割成硅粒，其工艺流程为首先将硅叠水平置于娃叠接着工装上，通过石腊接着，将娃叠与娃叠接着工装的玻璃底板固定，实现一次接着；然后将硅叠接着工装置于硅片切断机上，进行一次切割，将硅叠切割成若干排硅片；一次切割后，融化石蜡，将数排硅片为一组，沿穿过一次切割线的垂直平面上翻转硅片90度，并沿水平面旋转90度后，再将硅片与硅叠接着工装二次接着固定；最后再次将硅叠接着工装置于硅片切断机上二次切割制得硅粒。该种工艺方法存在一定的缺点无法确保硅片准确旋转90度，切割后的硅粒端面与侧面不垂直，影响后续加工及产品质量；在采用该方法制作复印机、打印机用的管芯时，其为3kv高压二极管，管芯较短，硅叠较薄，在垂直平面翻转90度后虽然与硅叠接着工装接着，但仍易倾倒平躺，无法顺利切割，加工效率受到很大的影响。专利技...
【技术保护点】
一种二极管硅叠切割工艺，其特征在于所述步骤为：a）将硅叠水平置于硅叠接着工装的玻璃底板表面，并通过石蜡将其与玻璃底板固定实现一次接着；b）将硅叠接着工装置于硅片切断机上，定位后由硅片切断机沿垂直于硅叠接着工装两侧玻璃挡板的方向进行一次切割，将硅叠切割成若干排硅片；c）将硅叠接着工装置于加热器上，加热融化石蜡后，通过专用工装将硅叠接着工装上的硅片在水平面方向相对硅叠接着工装旋转90°，再通过石蜡二次接着固定在硅叠接着工装上；d）将硅叠接着工装再次置于硅片切断机上，采用步骤b)中的方式再次定位后由硅片切断机沿垂直于硅叠接着工装两侧玻璃挡板的方向进行二次切割，将硅片切割成硅粒。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：邱德强，陈许平，
申请(专利权)人：南通皋鑫电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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