一种直拉法制备单晶硅所使用的坩埚制造技术

本实用新型专利技术公开了一种直拉法制备单晶硅所使用的坩埚，包括由底部与侧壁组成的坩埚本体，所述的坩埚为分段式坩埚结构，坩埚本体根据材料的不同自上到下至少分成两段，包括上层的碳-碳复合结构的侧壁和下层的石墨结构的底部，侧壁上均匀分布有多个导热孔；所述的导热孔直径为5～20mm，导热孔边界之间的距离根据不同的孔密度为10～50mm；所述侧壁上均匀分布所述导热孔的区域为距离侧壁上沿2～6cm，向下垂直方向的宽度为16～25cm，该区域侧壁的内表面平行于坩埚的中心轴。本实用新型专利技术所述的坩埚具有导热性好，温度控制性能好，使用寿命长，装料量大的特点。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种坩埚，尤其是一种直拉法制备单晶硅所使用的坩埚。
技术介绍
当前制备单晶硅主要由两种技术，根据晶体生长方式不同，可以分为区熔单晶硅和直拉单晶硅。直拉单晶硅主要应用于微电子集成电路和太阳能电池方面，是单晶硅的主体。直拉法是运用熔体的冷凝结晶驱动原理，在固液界面处，藉由熔体温度下降，将产生由液体转换成固态的相变化。为了生长质量合格(硅单晶电阻率、氧含量及氧浓度分布、碳含量、金属杂质含量、缺陷等)的单晶硅棒，在采用直拉法生长时，必须考虑以下问题。首先是根据技术要求，选择使用合适的单晶生长设备，其次是要掌握一整套单晶硅的制备工艺、技术，包括(1)单晶硅系统内的热场设计，确保晶体生长有合理稳定的温度梯度；(2)单晶硅生长I系统内的氩气气体系统设计；(3)单晶硅挟持技术系统的设计；(4)为了提高生产效率的连续加料系统的设计；(5)单晶硅制备工艺的过程控制。热的传输靠三种主要模式，亦即辐射、对流及热传导。由于晶体的生长是在高温下进行，所以这三种模式都存在于系统中。在直拉法里，熔体是藉由石墨加热器的辐射热而被加热，而熔体内部的热传导则是主要靠着对流，晶棒内部的热传输主要靠着传导。另外，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直拉法制备单晶硅所使用的坩埚，包括由底部与侧壁组成的坩埚本体，其特征在于：所述的坩埚为分段式坩埚结构，坩埚本体自上到下至少分成两段，包括上层的碳？碳复合结构的侧壁和下层的石墨结构的底部，侧壁上均匀分布有多个导热孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周俭，李德建，陈昌林，陈锐，陈剑春，付雁清，薛东，李福龙，
申请(专利权)人：上海杰姆斯电子材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：