一种直拉法制备单晶硅所使用的石墨坩埚制造技术

本实用新型专利技术公开了一种直拉法制备单晶硅所使用的石墨坩埚，包括由底部与侧壁组成的石墨坩埚本体，所述的石墨坩埚本体侧壁外表面均匀分布有内凹的螺纹状气体导流槽，螺纹状气体导流槽与水平面之间具有倾斜夹角。所述的石墨坩埚本体包括限定内部容积的内底面、内侧面以及限定传热面积的外底面、外侧面，石墨坩埚本体的内底面形状与石英坩埚底部的形状相适应，其中，内侧面与石墨坩埚的中心轴平行，内底面呈球弧状，弧度半径为R1，内底面与内侧面之间为球弧形连接，弧度半径为R2，所述的R1大于或等于R2。本实用新型专利技术所述石墨坩埚进一步改善拉晶过程中的气流导向，使得排气更顺畅；并且增强了坩埚导热性能，优化了热场温度控制稳定性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种直拉法制备单晶硅所使用的石墨坩埚
本技术涉及一种石墨坩埚，尤其是一种直拉法制备单晶硅所使用的石墨坩埚。
技术介绍
当前制备单晶硅主要由两种技术，根据晶体生长方式不同，可以分为区熔单晶硅和直拉单晶硅。直拉单晶硅主要应用于微电子集成电路和太阳能电池方面，是单晶硅的主体。直拉法是运用熔体的冷凝结晶驱动原理，在固液界面处，藉由熔体温度下降，将产生由液体转换成固态的相变化。为了生长质量合格(硅单晶电阻率、氧含量及氧浓度分布、 碳含量、金属杂质含量、缺陷等)的单晶硅棒，在采用直拉法生长时，必须考虑以下问题。首先是根据技术要求，选择使用合适的单晶生长设备，其次是要掌握一整套单晶硅的制备工艺、技术，包括(1)单晶硅系统内的热场设计，确保晶体生长有合理稳定的温度梯度；(2) 单晶硅生长I系统内的氩气气体系统设计；(3)单晶硅挟持技术系统的设计；(4)为了提高生产效率的连续加料系统的设计；(5)单晶硅制备工艺的过程控制。热的传输靠三种主要模式，亦即辐射、对流及热传导。由于晶体的生长是在高温下进行，所以这三种模式都存在于系统中。在直拉法里，熔体是藉由石墨加热器的辐射热而被加热，而熔体内部的热传本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直拉法制备单晶硅所使用的石墨坩埚，包括由底部与侧壁组成的石墨坩埚本体，其特征在于：所述的石墨坩埚本体侧壁外表面均匀分布有内凹的螺纹状气体导流槽，螺纹状气体导流槽与水平面之间具有20°～70°的倾斜夹角。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：薛东，李德建，陈昌林，陈锐，陈剑春，付雁清，李福龙，
申请(专利权)人：上海杰姆斯电子材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：