彩膜基板及具有该彩膜基板的内嵌式触控液晶显示面板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种彩膜基板及具有该彩膜基板的内嵌式触控液晶显示面板。本实用新型专利技术公开的内嵌式触控液晶显示面板的彩膜基板，其特征在于，包括：透明基板；黑矩阵，呈网状形成于所述透明基板下方以限定出透明区域；触控层，位于所述透明区域和所述黑矩阵下方；色阻层，位于所述触控层下方，所述色阻层包括对应于所述透明区域的多个色阻单元。本实用新型专利技术所提供的彩膜基板可防止内嵌式触控液晶显示面板中触控信号的减弱，使得整个装置的检测能力变强。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及触控显示领域，特别是涉及一种彩膜基板及具有该彩膜基板的内嵌式触控液晶显示面板。
技术介绍
自1974出现世界上最早的电阻式触摸屏以来，触控技术经过飞速地发展，目前业界已经产生出了诸如电容式、电阻式、红外式和声波式等多种类型的产品。其中电容式触摸屏由于具有定位精确灵敏、触摸手感好、使用寿命长和支持多点触控等优点，成为当前市场上的主流产品。电容式触摸屏分为自电容式和互电容式。由于互电容式触摸屏可以实现多点触控，因而互电容式触摸屏成为电容式触摸屏市场上的主流和未来发展的趋势。 目前互电容式触摸屏绝大部分采用的是外挂式的结构，即将触摸屏面板贴合于显示面板外部。但这种外挂式的结构不可避免地增加整个显示器的厚度和重量，造成透光率的下降，不符合显示器轻薄化发展趋势的要求。因此业界提出了内嵌(in-cell)式互电容触控屏，即将互电容触控屏集成于显示面板内部，这样就能够达到透光率高和产品轻薄化的双重效果。而目前最佳的集成方式莫过于将互电容触控屏集成于液晶显示面板内部。但是将互电容触控屏集成于液晶显示面板内部的内嵌式互电容触控屏存在许多技术问题，例如当将触控屏集成于液晶显示面板的彩膜基板之后，由于受到液晶显示面板内部器件的影响，触控信号会发生减弱的问题。
技术实现思路
为解决现有技术中，将触控屏集成于液晶显示面板的彩膜基板时，触控信号发生减弱的问题，本技术提供了一种内嵌式触控液晶显示面板的彩膜基板，包括透明基板；黑矩阵，呈网状形成于所述透明基板下方以限定出透明区域；触控层，位于所述透明区域和所述黑矩阵下方；色阻层，位于所述触控层下方，所述色阻层包括对应于所述透明区域的多个色阻单元；可选的，所述触控层包括多个驱动电极沿第一轴向连接成多条相互绝缘的驱动线；多个与所述驱动线绝缘的感应电极；带有通孔的绝缘层，覆盖所述感应电极和所述驱动线；多条导电桥，通过所述通孔沿第二轴向连接所述感应电极成多条相互绝缘的感应线，所述绝缘层隔绝所述导电桥与所述驱动线。可选的，所述导电桥为至少一条金属导线或者金属网框，并被所述黑矩阵遮挡。可选的，所述触控层还包括设置于所述感应电极和所述驱动电极表面的多个金属网，每个所述金属网限定于一个所述感应电极或者一个所述驱动电极的表面范围内，所述金属网的网状与所述黑矩阵的网状相匹配，以使得所述金属网被所述黑矩阵所遮挡。可选的，所述金属网位于所述感应电极和所述驱动线二者与所述绝缘层之间，所述导电桥位于所述黑矩阵下方。可选的，所述导电桥和所述金属网分别位于所述触控层的两侧，所述金属网位于所述触控层中靠近所述黑矩阵的一侧。可选的，所述色阻单元包括三原色色阻单元，并且所述色阻单元呈多边形，其边长在 50μπΓ 50μπ 之间。可选的，组成所述导电桥的所述金属导线的线宽在2 μ πΓ5 μ m之间；组成所述导电桥的所述金属网框的框线宽度在2 μ πΓ5 μ m之间。可选的，所述金属网的网线宽度在2 μ πΓ5 μ Hl之间。可选的，所述绝缘层为透明绝缘有机膜层。可选的，所述色阻层下方还包括有平坦层。可选的，所述平坦层作为公共电极层或者所述平坦层下方还包括有公共电极层。可选的，所述公共电极层下方还有配向层，所述配向层下方分布有间隙子。本技术还公开了一种内嵌式触控液晶显示面板，包括如上所述的彩膜基板；阵列基板；液晶层，封装于所述彩膜基板与所述阵列基板之间。可选的，所述阵列基板为平面转换型液晶阵列基板。与现有技术相比，本技术具有以下优点本技术提供了一种内嵌式触控液晶显示面板的彩膜基板，通过在集成于所述彩膜基板上的驱动电极和感应电极表面上设置所述金属网，使得驱动电极和感应电极本身的电阻减小，防止了内嵌式触控液晶显示面板中触控信号的减弱，使得整个装置的检测能力变强。本技术公开了一种内嵌式触控液晶显示面板，该内嵌式触控液晶显示面板利用上述彩膜基板，使得整个装置既可实现显示功能，又能够实现触控功能，并且触控信号在扫描过程中保持较高的强度，使得装置的触控检测能力较强。附图说明图I是为互电容触控检测原理的模型示意图；图2为本技术实施例的彩膜基板的示意图；图3为本技术实施例的触控层的示意图。具体实施方式请参考图1，图I为互电容触控检测原理的模型示意图。图I中，Gs代表触控扫描信号发生装置，它有一对地电阻Rg，并按一定频率发射扫描信号。Rd代表驱动电极的等效电阻，Rs代表感应电极的等效电阻，在驱动电极与感应电极之间还会形成容抗，该容抗的等效电阻为Rds。在驱动电极与感应电极之间形成有互电容Cm，互电容式触控屏即是利用此互电容Cm来实现触控检测功能。当驱动电极和感应电极之间发生触控动作时，会引起互电容Cm发生变化，继而形成耦合电流I，耦合电流I经过比较放大器放大之后，以Vout电压输出信号输出相应触控信号到达触控制电路，触控控制电路根据接收到的触控信号判断是否发生触摸动作。驱动电极还存在对地的耦合电容(也称寄生电容)Cd，感应电极还存在对地的耦合电容(也称寄生电容)Cs。专利技术人发现，由于要将触控屏集成于液晶显示面板内部，就要将触控电极制作在液晶盒内，而一旦将触控电极制作在液晶盒内，就会使得触控信号受到的干扰比外挂式电容屏时增大许多，而当触控信号受到的干扰增大时，就会导致当通入一定频率的驱动信号后，输出信号会减弱，即触控信号减弱，从而导致整个装置的触控灵敏度降低。为此，专利技术人提出，采用减小驱动电极和感应电极本身的电阻的方法来提高触控信号的强度，从而防止触控信号受干扰而衰减到较低水平的情况。由于驱动电极和感应电极通常用透明金属氧化物来制作，目前最常用的是铟锡氧化物(ΙΤ0，Indium Tin Oxide)。但是ITO的电阻率比较大，ITO膜层的电阻率一般在5 X 10_4左右，最好可达5 X 10_5，虽然已接近金属的电阻率，但是，相对于良导电金属而言，ITO的电阻率仍然比较大。最好的金属导体银的电阻率为I. 65 X 10_8，铜的电阻率为I. 75 X 10_8，金的电阻率为2. 40X10—8，铝的电阻率为2. 83X10—8，钨的电阻率为5. 48X 10_8，铁的电阻率为9. 78Χ10Λ所以，专利技术人提出，可以通过在ITO电极上面增设金属网来减小电极的电阻。而金属网的制作材料可以优选为上述各良导电金属或者它们的合金。通过在ITO电极上面增设电阻率较小的金属网，可以使得整个电极本身的电阻减小，从而使得触控信号在电极上传输时保持有较高的强度，进而提高触控装置的触控灵敏度。为此，专利技术人提出一种内嵌式触控液晶显示面板的彩膜基板，包括有透明基板和黑矩阵，所述黑矩阵呈网状形成于所述透明基板下方以限定出透明区域。位于所述黑矩阵下方设置有触控层，位于所述触控层下方设置有色阻层，所述色阻层包括对应于所述透明区域的多个色阻单元。其中，所述触控层包括多个驱动电极沿第一轴向连接成多条相互绝缘的驱动线，多个与所述驱动线绝缘的感应电极，带有通孔的绝缘层，位于所述感应电极和所述驱动线表面，多条导电桥，通过所述通孔沿第二轴向连接所述感应电极成多条相互绝缘的感应线，所述绝缘层隔绝所述导电桥与所述驱动线。所述导电桥为至少一条金属导线或者金属网框，并被所述黑矩阵遮挡。所述触控层还包括设置于所述感应电极和所述驱动电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种内嵌式触控液晶显示面板的彩膜基板，其特征在于，包括：透明基板；黑矩阵，呈网状形成于所述透明基板下方以限定出透明区域；触控层，位于所述透明区域和所述黑矩阵下方；色阻层，位于所述触控层下方，所述色阻层包括对应于所述透明区域的多个色阻单元。

【技术特征摘要】
1.一种内嵌式触控液晶显示面板的彩膜基板，其特征在于，包括 透明基板； 黑矩阵，呈网状形成于所述透明基板下方以限定出透明区域； 触控层，位于所述透明区域和所述黑矩阵下方； 色阻层，位于所述触控层下方，所述色阻层包括对应于所述透明区域的多个色阻单元。2.如权利要求I所述的内嵌式触控液晶显示面板的彩膜基板，其特征在于，所述触控层包括 多个驱动电极沿第一轴向连接成多条相互绝缘的驱动线； 多个与所述驱动线绝缘的感应电极； 带有通孔的绝缘层，覆盖所述感应电极和所述驱动线； 多条导电桥，通过所述通孔沿第二轴向连接所述感应电极成多条相互绝缘的感应线，所述绝缘层隔绝所述导电桥与所述驱动线。3.如权利要求2所述的内嵌式触控液晶显示面板的彩膜基板，其特征在于，所述导电桥为至少一条金属导线或者金属网框，并被所述黑矩阵遮挡。4.如权利要求2所述的内嵌式触控液晶显示面板的彩膜基板，其特征在于，所述触控层还包括设置于所述感应电极和所述驱动电极表面的多个金属网，每个所述金属网限定于一个所述感应电极或者一个所述驱动电极的表面范围内，所述金属网的网状与所述黑矩阵的网状相匹配，以使得所述金属网被所述黑矩阵所遮挡。5.如权利要求4所述的内嵌式触控液晶显示面板的彩膜基板，其特征在于，所述金属网位于所述感应电极和所述驱动线二者与所述绝缘层之间，所述导电桥位于所述黑矩阵下方。6.如权利要求4所述的内嵌式触控液晶显示面板的彩膜基板，其特征在于，所述导电桥和所述金属网分别位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：马从华，马骏，王丽花，姚绮君，于泉鹏，赵丽军，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：