使用集成MEMS及CMOS器件的片上系统技术方案

使用集成MEMS及CMOS器件的片上系统，一种CMOS和MEMS器件设置在其中从而形成集成CMOS-MEMS系统的集成MEMS系统。该系统可包括硅衬底层、CMOS层、MEMS和CMOS器件以及晶圆级封装（WLP）层。CMOS层可形成界面区，在该界面区上可构造任意数量的CMOS?MEMS器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术大体上涉及集成装置。更具体地，本技术提供了一种用于集成至少两个不同的微电子机械系统(MEMS)器件与一个或多个互补金属氧化物半导体(CMOS)器 件的系统和方法。这种MEMS器件可提供加速计、回转仪、磁性传感器、压力传感器、扩音器、湿度传感器、温度传感器、化学传感器、生物传感器、惯性传感器以及其它众所周知的MEMS器件。
技术介绍
—直在进行对于集成微电子学的研究和开发,从而在CMOS和MEMS方面产生了惊人的进步。CMOS技术已经成为用于集成电路(IC)的主要制造技术。然而，MEMS仍依赖于传统的加工技术。在外行人看来，微电子IC是提供决策能力的集成装置的“大脑”，而MEMS是提供对于环境进行感测和控制的能力的“眼睛”和“手臂”。这些技术的广泛应用的实例是射频(RF)天线系统中的开关，诸如加利福尼亚州的库比蒂诺的苹果公司的iPhone 装置以及加拿大、安大略的Waterloo的Motion有限公司研究的Blackberry 电话中的那些开关；以及装配有传感器的游戏机中的加速计，诸如由日本的任天堂有限公司制造的Wii 控制器中的加速计。虽然它们通常不容易被辨识，但是这些技术在社会上每天都被更普遍地使用。除了消费性电子产品，IC和MEMS的使用在模块化测量装置(诸如加速计、回转仪、致动器和传感器)中具有无限制的应用。在常规车辆中，加速计和回转仪分别用于调动气囊和触发器动态稳定性控制功能。MEMS回转仪也可用于录像机和照相机中的图像稳定系统，以及飞机和鱼雷中的自动转向系统。生物MEMS (Bio-MEMS)实现用于片上实验室应用的生物传感器和化学传感器，其仅在单个毫米大小的芯片上集成一个或多个实验室功能。其它应用包括互联网和电话网络、证券和金融应用以及卫生和医疗系统中。如前所述，IC和MEMS可用于实际地参与到各种类型的环境交互中。虽然很成功，但是1C，特别是MEMS仍然具有局限性。与IC开发一样，关注于提高性能、减小尺寸和降低成本的MEMS开发仍面临挑战。此外，MEMS的应用通常日益需要复杂的微系统(其需要更高的计算能力)。然而，这种应用程序通常不存在。在本说明书通篇以及下面更具体地描述了常规MEMS和IC的这些和其它局限。通过以上所述，发现迫切需要提高集成电路装置和MEMS的操作的技术。
技术实现思路
根据本技术，提供了大体上涉及集成装置的技术。更具体地，本技术提供了一种用于将至少两个不同的微电子机械系统(MEMS)器件与一个或多个互补金属氧化物半导体(CMOS)器件(但也可以是其它器件)集成的系统和方法。仅通过示例的方式，MEMS器件可至少包括加速计、回转仪、磁性传感器、压力传感器、扩音器、湿度传感器、温度传感器、化学传感器、生物传感器、惯性传感器等。但是应意识到，本技术具有更广泛的应用范围。在一个或多个实施方式中，本技术提供了一种集成系统，其包括衬底层、半导体层、集成装置以及封装层(encapsulation layer)。在具体实施方式中，每个装置都与半导体层集成并由封装层覆盖。半导体层形成界面区，CMOS和MEMS器件可被构造在其上。在各个实施方式中，一层或多层掩膜层可用于在界面区之上同时形成两个以上MEMS器件，诸如加速计和回转仪、回转仪和压力传感器等。在优选的实施方式中，集成系统可包括硅衬底层、CMOS层、MEMS和CMOS器件，以及晶圆级封装(WLP, wafer level packaging)层。CMOS层可形成界面区,任何数量的CMOS和MEMS器件可被构造在其上。CMOS层可沉积在硅衬底上，且可包括任何数量的金属层并可根据任何类型的设计规则(诸如0. 18微米或更小的设计规则)来设置。此外，集成CMOS器件可由铸造兼容工艺(foundry compatible process)来构造。集成MEMS器件可包括但不限于以下类型的传感器的任何组合磁性传感器、压力传感器、湿度传感器、温度传感器、化学传感器、生物传感器或惯性传感器。这些MEMS器件也可包括一种或多种沉积材料、一种或多种粘合材料或对于这种MEMS器件唯一的或对于其它MEMS器件共同的其它材料。此外，覆盖WLP层可被构造为气密密封任何数量的这些集成装置。相比于常规技术，通过本技术可以获得多个益处。例如，本技术技术使得更加容易地使用依赖常规制造技术的工艺。在一些实施方式中，由于采用集成方法，这些方法使每个晶圆的裸晶产量更高。而且，在不对常规制造设备和工艺进行实质性改动的情况下，这些方法可提供与常规工艺技术兼容的工艺和系统。这些技术的各个实施方式可减少片外连接，这使得批量生产更小且更薄的单元成为可能。此外，通过使由于共同(例如，同步)制造CMOS和MEMS器件，且特别是，CMOS和多个(例如，不同)MEMS器件所导致的寄生电阻和电容最小化或减小，本文中描述的集成CM0S-MEMS技术的各个实施方式能够实现高精度。附图说明图1为根据本技术的实施方式的集成CM0S-MEMS系统的简化透视图；图2为根据本技术的实施方式的集成CM0S-MEMS系统的简化顶视图；图3为根据本技术的实施方式的集成CM0S-MEMS系统的简化侧视图；图4为根据本技术的另一个实施方式的集成CM0S-MEMS系统的简化侧视图；图5为根据本技术的又一个实施方式的集成CM0S-MEMS系统的简化侧视图；图6为根据本技术的再一个实施方式的集成CM0S-MEMS系统的简化侧视图；图7为根据本技术的又一个实施方式的集成CM0S-MEMS系统的简化侧视图；图8为根据本技术的又一个实施方式的集成CM0S-MEMS系统的简化侧视图；图9为根据本技术的实施方式的集成CM0S-MEMS系统的组件的简化顶视图；图10为根据本技术的实施方式的集成CM0S-MEMS系统的组件的简化顶视图；图11为根据本技术的实施方式的集成CM0S-MEMS系统的组件的简化顶视图；图12为合并了本技术的各个实施方式的装置的简化框图。具体实施方式根据本技术，提供了大体上涉及集成装置和系统的技术。更具体地，本实用新 型提供了一种用于将一个或多个MEMS器件与构造在至少CMOS集成电路装置上的其它系统应用集成的系统和方法。仅通过示例的方式，MEMS器件可至少包括加速计、回转仪、磁性传感器、压力传感器、扩音器、湿度传感器、温度传感器、化学传感器、生物传感器、惯性传感器等。此外，其它应用至少包括传感器应用、系统应用和宽带应用等。图I为根据本技术的实施方式的集成CM0S-MEMS系统的简化透视图。该图仅为示例，其不应对本文中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.10.28 US 61/255,490;2010.10.27 US 12/913,440的范围进行不恰当地限制。本技术领域的普通技术人员应意识到其它变化、修改和替换。如图所示，系统100包括衬底层110、半导体层120、集成装置140-143和封装层150。在具体实施方式中，装置140-143中的每一个可包括MEMS器件。在图I的实例中，MEMS器件包括加速计140、回转仪141、磁性传感器142和压力传感器143。这些MEMS器件可基本上同时制造，并与公共衬底层110的顶部的公共半导体层120集成。换言之，多个MEMS器件可在相同的制造掩膜内被图案化，并在制造期间利用相同的沉积材料层或工艺。此外，MEMS器件无需利用相同的掩膜、相同的沉积材料或相同的制造工艺。如图所示，这些MEMS器件通常由封装层150覆盖。在一个实施方式中，公共半导体层120可由硅材料或任何其他适当的半导体制成。半导体层120可包括CMOS层或用于实现微电子产品的任何其它适当的层。在各个实施方式中，CMOS层120产生了形成界面区130的表面区，装置140-143可构造或制造在其之上。在另一个实施方式中，MEMS器件140-143可包括MEMS器件的任何组合。这些可包括加速计、回转仪、扩音器和传感器。尽管不是排他地，但是传感器可以是任何以下的类型磁性的、压力的、湿度的、温度的、化学的、生物的或惯性的。在其它实施方式中，集成系统100中可包括或制造任何数量的MEMS器件。这些装置中的每个可包括一种或多种沉积材料、一种或多种粘合材料或也用于集成系统100中制造的其它MEMS器件或对于该MEMS器件独特的其它材料。在另一个实施方式中，半导体层120可包括由任意数量的金属层构成的CMOS层，且可根据任何类型的设计规则(诸如O. 18微米或更小的设计规则)来设置。而且，由半导体层形成的界面区130可与任何数量的CMOS器件集成，其可由铸造兼容工艺来构造。在界面区130的分离部分中，装置140-143 (以及可能额外的装置)都可单独地或与其它装置140-143同时地被构造或制造。在其它实施方式中，MEMS器件140-143以及额外的装置包括了与CMOS层120和CMOS器件相背离的上表面区。在又一个实施方式中，覆盖封装层150可包括芯片尺寸封装(CSP )层，诸如晶圆级芯片尺寸封装(WL-CSP)，也被称为圆晶级封装(WLP)。如果本技术领域的技术人员认为是适当的话，则可替换为任何其它的CSP方法。此外，CSP层150可被构造为气密密封界面区130上的任何数量的集成器件。本技术为使用依赖常规技术的工艺提供了便利。该技术可减少片外连接，这使得批量生产更小且更薄的单元成为可能。此外，通过使由于联合制造所导致的寄生电阻和电容最小化或减小，集成CM0S-MEM S技术可实现高精度。在一些实施方式中，用于集成CMOS和MEMS器件的新颖方法使每个晶圆的裸晶产量更高。此外，在不对常规半导体制造设备和工艺进行实质性改动的情况下，本方法提供了与常规半导体制造工艺技术兼容的工艺和系统。图2为根据本实用新型的实施方式的集成CM0S-MEMS系统的简化顶视图。该图仅为示例，其不应不适当地限制本文中权利要求的范围。本技术领域的普通技术人员应意识到其它变化、修改和替换。如图所示，系统200包括半导体层210、装置220-223和界面区230。在具体实施方式中，装置220-223中的每个装置都可包括MEMS器件；图2描绘了具有加速计220、回转仪221、磁性传感器222和压力传感器223的集成系统200。这些MEMS器件与公共半导体层210集成。在一个实施方式中，公共半导体层210可由硅材料或任何其他适当的半导体制成。半导体层210可包括CMOS层或用于实现微电子产品的任何其它适当的层。CMOS层210产生了形成界面区130的表面区，装置220-223可构造在其之上。在另一个实施方式中，MEMS器件220-223可包括MEMS器件的任何组合。这些可包括加速计、回转仪、扩音器和传感器。尽管不是排他地，但是传感器可以是任何以下的类型磁性的、压力的、湿度的、温度的、化学的、生物的或惯性的。在其它实施方式中，在集成系统200中可包括任何数量的MEMS器件，并且这些装置中的每个都可包括一种或多种沉积材料、一种或多种粘合材料等。在另一个实施方式中，半导体层210可包括由任何数量的金属层构成的CMOS层，并可以根据任何类型的设计规则(诸如0. 18微米或更小的设计规则)来设置。而且，由半导体层形成的界面区230可与任何数量的CMOS器件集成，其可由铸造兼容工艺来构造。装置220-223 (以及可能是额外的装置)都可单独构造在界面区230的分离部分中。在其它实施方式中，MEMS器件220-223以及额外的装置包括背离CMOS层210和装置的上表面区。本技术领域的普通技术人员应意识到其它变化、修改和替换。图3为根据本实用新型的实施方式的集成CM0S-MEMS系统的简化侧视图。该图仅为示例，其不应不恰当地限制本文中权利要求的范围。本技术领域的普通技术人员应意识到其它变化、修改和替换。如图所示，系统300包括衬底层310、半导体层320和封装层340。半导体层320覆盖衬底层310，同时也产生了形成界面区330的表面区。在一个实施方式中，公共半导体层320可由硅材料或任何其他适当的半导体制成。半导体层320可包括CMOS层或对于实现微电子产品来说任何其它适当的层。在另一个实施方式中，半导体层320可包括由任何数量的金属层构成的CMOS层，并可根据任何类型的设计规则(诸如0. 18微米或更小的设计规则)来设置。而且，由半导体层形成的界面区330可与任何数量的MEMS器件和CMOS器件集成；CM0S器件可由铸造兼容工艺来构造。MEMS器件和CMOS器件都可单独构造在界面区330的分离部分中。在又一个实施方式中，覆盖封装层340可包括芯片尺寸封装(CSP )层，诸如晶圆级芯片尺寸封装(WL-CSP)，也被称为晶圆级封装(WLP)。如果本技术领域的技术人员认为适当的话，则可替换任何其它的CSP方法。此外，CSP层340可被构造为气密密封界面区330上任何数量的集成器件。图4为根据本实用新型的另一个实施方式的集成CM0S-MEMS系统的简化侧视图。该图仅为示例，其不应不恰当地限制本文中权利要求的范围。本技术领域的普通技术人员应意识到其它变化、修改和替换。如图所示，系统400包括衬底层410、半导体层420、集成器件440和封装层450。半导体层420覆盖衬底层410，同时也产生了形成界面区430的表面区。在一个实施方式中，公共半导体层420可由硅材料或任何其他适当的半导体制成。半导体层420可包括CMOS层或用于实现微电子产品的任何其它适当的层。在另一个实施方式中，半导体层420可包括由任何数量的金属层构成的CMOS层， 并可根据任何类型的设计规则(诸如O. 18微米或更小的设计规则)来设置。而且，由半导体层形成的界面区430可与任何数量的MEMS器件和CMOS器件集成；CM0S器件可由铸造兼容工艺来构造。MEMS器件和CMOS器件都可单独构造在界面区430的分离部分中。在具体实施方式中，集成器件440可为加速计。在其它实施方式中，任何数量的MEMS器件可包括在集成系统400中，且这些器件中的每个器件都可包括一种或多种沉积材料、一种或多种粘合材料等。在又一个实施方式中，覆盖封装层440可包括芯片尺寸封装(CSP )层，诸如晶圆级芯片尺寸封装(WL-CSP)，也被称为晶圆级封装(WLP)。如果本技术领域的技术人员认为适当的话，则可替换任何其它的CSP方法。此外，CSP层440可被构造为气密密封界面区430上的任何数量的集成装置。此外，存在着多种其它变化、修改和替换。图5为根据本实用新型的又一个实施方式的集成CM0S-MEMS系统的简化侧视图。该图仅为示例，其不应不恰当地限制本文中权利要求的范围。本技术领域的普通技术人员应意识到其它变化、修改和替换。如图所示，系统500包括衬底层510、半导体层520、集成器件540和封装层550。半导体层520覆盖衬底层510，同时也产生了形成界面区530的表面区。在一个实施方式中，公共半导体层520可由硅材料或任何其他适当的半导体制成。半导体层520可包括CMOS层或用于实现微电子产品的任何其它适当的层。在另一个实施方式中，半导体层520可包括由任意数量的金属层构成的CMOS层，并可根据任何类型的设计规则(诸如0. 18微米或更小的设计规则)设置。而且，由半导体层形成的界面区530可与任何数量的MEMS器件和CMOS器件集成；CM0S器件可由铸造兼容工艺来构造。MEMS器件和CMOS器件都可单独构造在界面区530的分离部分中。本技术领域的普通技术人员应意识到其它变化、修改和替换。在具体实施方式中，集成器件540可为回转仪。在其它实施方式中，任何数量的MEMS器件都可包括在集成系统500中，并且这些器件中的每个器件都可包括一种或多种沉积材料、一种或多种粘合材料等。在又一个实施方式中，覆盖封装层540可包括芯片尺寸封装(CSP )层，诸如晶圆级芯片尺寸封装(WL-CSP)，也被称为晶圆级封装(WLP)。如果本技术领域的技术人员认为适当的话，则可替换任何其它的CSP方法。此外，CSP层540可被构造为气密密封界面区530上的任何数量的集成器件。此外，存在着多种其它变化、修改和替换。图6为根据本实用新型的又一个实施方式的集成CM0S-MEMS系统的简化侧视图。该图仅为示例，其不应不恰当地限制本文中权利要求的范围。本技术领域的普通技术人员应意识到其它变化、修改和替换。如图所示，系统600包括衬底层610、半导体层620、集成器件640和封装层650。半导体层620覆盖衬底层610，同时也产生了形成界面区630的表面区。在一个实施方式中，公共半导体层620可由硅材料或任何其他适当的半导体制成。半导体层620可包括CMOS层或用于实现微电子产品的任何其它适当的层。在另一个实施方式中，半导 体层620可包括由任何数量的金属层构成的CMOS层，并可根据任何类型的设计规则(诸如O. 18微米或更小的设计规则)来设置。而且，由半导体层形成的界面区630可与任何数量的MEMS器件和CMOS器件集成；CM0S器件可由铸造兼容工艺来构造。MEMS器件和CMOS器件都可单独构造在界面区630的分离部分中。本技术领域的普通技术人员应意识到其它变化、修改和替换。在具体实施方式中，集成器件640可为磁性传感器。在其它实施方式中,任何数量的MEMS器件可包括在集成系统600中，并且这些器件中的每个器件都可包括一种或多种沉积材料、一种或多种粘合材料等。在又一个实施方式中，覆盖封装层640可包括芯片尺寸封装(CSP )层，诸如晶圆级芯片尺寸封装(WL-CSP)，也被称为晶圆级封装(WLP)。如果本技术领域的技术人员认为是适当的话，则可替换任何其它的CSP方法。此外，CSP层640可被构造为气密密封界面区630上的任何数量的集成器件。此外，存在着许多其它的变化、修改和替换。图7为根据本实用新型的又一个实施方式的集成CM0S-MEMS系统的简化侧视图。该图仅为示例，其不应不恰当地限制本文中权利要求的范围。本技术领域的普通技术人员应意识到其它变化、修改和替换。如图所示，系统700包括衬底层710、半导体层720、集成器件740和封装层750。半导体层720覆盖衬底层710，同时也产生了形成界面区730的表面区。在一个实施方式中，公共半导体层720可由硅材料或任何适当的半导体制成。半导体层720可包括CMOS层或用于实现微电子产品的任何其它适当的层。在另一个实施方式中，半导体层720可包括由任意数量的金属层构成的CMOS层，并可根据任何类型的设计规则(诸如0. 18微米或更小的设计规则)来设置。而且，由半导体层形成的界面区730可与任何数量的MEMS器件和CMOS器件集成；CM0S器件可由铸造兼容工艺来构造。MEMS器件和CMOS器件都可单独构造在界面区730的分离部分中。本技术领域的普通技术人员应意识到其它变化、修改和替换。在具体实施方式中，集成器件740可为压力传感器。在其它实施方式中，任何数量的MEMS器件可包括在集成系统700中，并且这些器件中的每个器件都可包括一种或多种沉积材料、一种或多种粘合材料等。在又一个实施方式中，覆盖封装层740可包括芯片尺寸封装(CSP )层，诸如晶圆级芯片尺寸封装(WL-CSP)，也被称为晶圆级封装(WLP)。如果本技术领域的技术人员认为适当的话，则可替换任何其它的CSP方法。此外，CSP层740可被构造为气密密封界面区730上的任何数量的集成器件。此外，存在着多种其它变化、修改和替换。图8为根据本实用新型的又一个实施方式的集成CM0S-MEMS系统的简化侧视图。该图仅为示例，其不应不恰当地限制本文中权利要求的范围。本技术领域的普通技术人员应意识到其它变化、修改和替换。如图所示，系统800包括衬底层810、半导体层820、CMOS器件840和封装层850。半导体层820覆盖衬底层810，同时也产生了形成界面区830的表面区。在一个实施方式中，公共半导体层820可由硅材料或任何其他适当的半导体制成。半导体层820可包括CMOS层或用于实现微电子产品的任何其它适当的层。在另一个实施方式中，半导体层820可包括由任何数量的金属层构成的CMOS层，并可根据任何类型的设计规则(诸如O. 18微米或更小的设计规则)来设置。CMOS器件840可集成至构造有界面区830的CMOS层820。而且，CMOS器件可由铸造兼容工艺来构造。而且，由半导体层形成的界面区830可与任何数量的MEMS器件和CMOS器件集成；CM0S器件可由铸造兼容工艺来构造。在各个实施方式中，任何数量的MEMS器件可基本上同时制造在界面区830之上。例如，可以使用或不使用与其它MEMS器件相同的掩膜来图案化MEMS器件，可以使用或不使用用于其它MEMS器件的沉积材料来制造MEMS器件，可以使用或不使用用于制造其它MEMS器件的相同工艺步骤来制造MEMS器件，等等。使用这样的实施方式，可在界面区830之上并行地制造一个以上不同的MEMS类型器件，从而与串行制造这类MEMS器件相比，节省了时间。图9至图11示出可以使用上述技术近似并行制造的一些MEMS器件 的实例。CMOS和MEMS器件都可单独构造在界面区830的分离部分中。本技术领域的普通技术人员应意识到其它变化、修改和替换。在又一个实施方式中，覆盖封装层850可包括芯片尺寸封装(CSP )层，诸如晶圆级芯片尺寸封装(WL-CSP)，也被称为晶圆级封装(WLP)。如果本技术领域的技术人员认为适当的话，则可替换任何其它的CSP方法。此外，CSP层850可被构造为气密密封界面区830上的任何数量的集成器件。此外，可存在着多种其它变化、修改和替换。图9为根据本实用新型的实施方式的集成MEMS-CM0S系统的组件的简化顶视图。更具体地，组件可为换能设备，其可为惯性感测装置的组件，诸如加速计。如图所示，设备900包括可移动的底座结构910、至少一个中间锚固结构920和至少一个中间弹簧结构930。在一个实施方式中，设备900可被构造为改进外部变形公差。本技术领域的普通技术人员应意识到其它变化、修改和替换。在各个实施方式中，可移动底座结构910可具有外表面区，且具有移动以形成至少一个内表面区902的至少一个部分。在具体实施方式中，可移动的底座结构910可由单晶硅、多晶硅或非晶硅材料制成。可移动底座结构910也可包括聚合物的厚度或金属材料的厚度。在其它实施方式中，可移动底座结构910可包括其它材料或其组合。在具体实施方式中，可移动底座结构910可为矩形可移动底座结构、图案化的多边形底座结构等。本技术领域的普通技术人员应意识到其它变化、修改和替换。在各个实施方式中，中间锚固结构920可在空间上设置在可移动底座结构的内表面区902附近。在具体实施方式中，中间锚固结构920可由单晶硅、多晶硅、非晶硅材料等形成。中间锚固结构920也可包括聚合物或金属材料，或其它材料或其组合。在一个实施方式中，中间弹簧结构930可操作地耦接至中间锚固结构920和可移动底座结构910的内表面区902的至少一部分。在具体实施方式中，中间弹簧结构930可由单晶硅、多晶硅、非晶硅材料等形成。中间弹簧结构930还可包括聚合物或金属材料，或其它材料或其组合。在具体实施方式中，中间弹簧结构930可在空间上被定向为与裸晶边缘基本上成45度或基本上成(pi/4)弧度。中间弹簧结构可具有至少一段，其具有段长度。为了确定弹簧的定向，折叠连接的弹簧段作为参考。这些段可被定位为使得这些段垂直于对角线901。确定弹簧定向的另一方法可以是通过画连接弹簧从锚固器至可移动底座的触点(即，弹簧的端点)的“线”来进行。在这种情况下，弹簧的适当定向将使“线”与裸晶边缘(沿对角线901对准)形成基本为45度或(pi/4)弧度角。在一个实施方式中，设备900可包括至少一个空间上设置在可移动底座结构910的内表面区902附近的电容器元件。电容器元件可包括固定的电容器元件以及可移动的电容器兀件。可移动的电容器兀件通常设置在可移动的底座结构910的一部分中。在具体实施方式中，响应于外部变形，设备900的物理基础(physical basis)使固定的电容器元件的平均位移与可移动的电容器元件的平均位移匹配。 在一个实施方式中，设备900可耦接至另一个MEMS器件或电子装置。在具体实施方式中，设备900可被构造为容许外部变形。设备900可为换能器设备，其减小锚固器和弹簧所需的面积，并为其它MEMS元件提供了更多面积。也可有其它变化、修改和替换。图10为根据本实用新型的多种实施方式的集成MEMS-CM0S系统的组件的简化顶视图。更具体地，该组件可为惯性感测装置，诸如回转仪。如图所示，装置1000 (其可设置在具有表面区的衬底之上)包括至少一个锚固结构1010、至少一个框架结构1020、至少一个可移动结构、至少一个第一柔性构件和至少一个第二柔性构件。在一个实施方式中，可移动结构可包括至少一个外围可移动结构1030和至少一个中心可移动结构1040。第一柔性构件可包括柔性锚固构件1050，第二柔性构件可包括至少一个柔性框架构件1060和/或至少一个柔性结构构件1070。在具体实施方式中，衬底可包括隐埋氧化物(BOX)衬底。衬底可包括外延(EPI)材料。在其它实施方式中，衬底可具有硅、单晶硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨晓，
申请(专利权)人：穆克波有限公司，
类型：
国别省市：