锍化合物、光致产酸剂及抗蚀剂组合物制造技术

本发明专利技术涉及锍化合物、光致产酸剂及抗蚀剂组合物。具体而言，本发明专利技术提供了由式(1)表示的锍化合物、包含所述锍化合物的光致产酸剂以及包含所述光致产酸剂的抗蚀剂组合物。其中在式1中，X表示给电子基团；R1和R2各自独立地表示烷基等；R4至R6各自独立地表示烷基等；R3表示亚环烯基等；且-A表示阴离子。所述锍化合物具有可通过向一个分子中的阳离子区域引入不同的吸收体而控制的光子产额，当所述锍化合物用作光致产酸剂时可克服使用不同的光致产酸剂的混合物的不便，具有优异的在抗蚀剂中的可混性且具有提高的分辨率和线边缘粗糙度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及锍化合物、光致产酸剂及抗蚀剂组合物。更具体地，本专利技术涉及锍化合物、光致产酸剂和抗蚀剂组合物，所述锍化合物具有可通过向ー个分子中的阳离子区域引入彼此不同的吸收体而控制的光子产额，提供具有两个酸位(分别具有彼此不同的产酸剂)的化合物，由此克服使用不同的光致产酸剂的混合物的不便，具有优异的在抗蚀剂中的可混性且具有改善的与多种抗蚀剂的可混性。
技术介绍
半导体微加工技术利用光刻エ艺，并且在这样的光刻エ艺中常用化学増幅(chemically amplified)的抗蚀剂组合物。这样的化学增幅的抗蚀剂组合物包含光致产酸剂，所述光致产酸剂是在被光线照射时产生酸的化合物。当光致产酸剂吸收在半导体图形形成过程中照射的光时，所述光致产酸剂产生酸。就鎗盐(这些光致产酸剂的ー种)而言，当用光照射时，所述鎗盐降解为阳离子形式或自由基形式，并以不同的分子形式存在，而在阴离子ー侧产生酸。从而在光照射后烘烤(baking)娃片时在抗蚀剂薄膜上发生酸的扩散。由于各种特性因素如吸收光的能力、产生酸的效率、所产生酸的扩散能力和阴离子酸的強度，光致产酸剂能够直接影响抗蚀剂的图形特性(如抗蚀剂的分辨率或线本文档来自技高网...

【技术保护点】
由下式(1)表示的锍化合物：[化学式1]其中在式(1)中，X表示给电子基团；R1和R2各自独立地表示选自烷基、环烷基、芳基、杂烷基、杂环烷基和杂芳基中的任意一种，或者R1和R2可与同R1键合的硫原子一起结合以形成具有2至7个碳原子的杂环烷基；R4至R6各自独立地表示选自烷基、环烷基、芳基、杂烷基、杂环烷基和杂芳基中的任意一种，或者R4和R5可与同R4键合的硫原子一起结合以形成具有2至7个碳原子的杂环烷基；R3表示选自亚环烯基、亚杂环烯基、亚芳基和亚杂芳基中的任意一种；且？A表示阴离子。FDA00001741565700011.jpg

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴贞薰，尹队卿，赵承德，朴素晶，
申请(专利权)人：锦湖石油化学株式会社，
类型：发明
国别省市：