【技术实现步骤摘要】
本技术涉及薄膜晶体管液晶显示
,特别是涉及一种阵列基板和一种显示装置。
技术介绍
在平板显示装置中,薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display,简称TFT-IXD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无福射等特点,在当前的平板显示器市场占据了主导地位。目前,TFT-LCD的显示模式主要有TN (Twisted Nematic,扭曲向列)模式、VA(Vertical Alignment,垂直取向)模式、IPS (In-Plane-Switching,平面方向转换)模式和 AD-SDS (ADvanced Super Dimension Switch,高级超维场转换技术,简称ADS)模式等。其中,基于ADS模式的显示器通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场,使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转,从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-IXD产品的画面品质,具有高分辨率、高透过率、低功耗、 ...
【技术保护点】
一种阵列基板,其特征在于,包括:包含多条数据线的数据线层,位于所述数据线层之上、包含多个导电阻挡部的导电阻挡层,位于所述导电阻挡层之上的钝化层,以及位于所述钝化层之上的透明导电层,其中,在每一条数据线的上方:所述钝化层上设置有过孔;所述导电阻挡部位于过孔下方,并与对应的数据线接触;所述透明导电层通过过孔与对应的导电阻挡部连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:谢振宇,
申请(专利权)人:北京京东方光电科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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