二极管及其制作方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种二极管及其制作方法，该方法包括：基底，所述基底包括阱区，阱区为所述二极管的第一电极区；位于阱区表面内的第二电极区和体引出区，体引出区为第一电极区的引出区，所述第一电极区和第二电极区的极性相反；位于阱区表面上的栅介质层以及位于栅介质层表面上的栅区，栅介质层位于第二电极区和体引出区之间，以隔离第二电极区和体引出区。本发明专利技术采用栅介质层代替现有技术中的场氧隔离区，同样起到了隔离多个器件的作用，由于栅介质层的厚度远远小于传统CMOS工艺中的二极管周边的场氧隔离区的厚度，使该二极管抗总剂量辐照效应的能力远远高于传统CMOS工艺中的二极管抗总剂量辐照效应的能力。

【技术实现步骤摘要】
二极管及其制作方法
本专利技术涉及半导体制造
，更具体地说，涉及一种二极管及其制作方法。
技术介绍
随着航空航天事业的发展，对半导体集成电路提出了更高更苛刻的要求，尤其是在抗辐射能力方面。传统采用硅材料制作的CMOS工艺电路具有速度快、功耗低等优点，成为集成电路发展的主流，但是，在存在辐射的恶劣条件下，未经加固的电路，其抗辐射能力很低，一般只能达到10Gy(Si)-50Gy(Si)，这远远不能满足航空航天及国防领域对电路抗辐射能力的需求，因此抗辐射加固的微电子技术已成为一项重要的研究方向。MOS器件持续受到电离辐照(如X射线或γ射线等)时会产生总剂量辐照效应。一般认为电离辐照在SiO2中激发电子-空穴对，电子很快迁移出SiO2，而空穴则一部分迁移出SiO2，一部分被SiO2中的深空穴陷阱俘获，成为固定空间正电荷。实际上，不仅空穴，电子也会被SiO2中的深电子陷阱俘获形成空间负电荷，只是在数量上相对少得多。简而言之，总剂量辐照效应主要是由器件的氧化层在辐照条件下产生的电子空穴对所引起的。总剂量辐照效应产生的空间电荷和在Si/SiO2界面产生界面态使MOS器件性能的退化，包括：阈值本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二极管，其特征在于，包括：基底，所述基底包括阱区，所述阱区为所述二极管的第一电极区；位于所述阱区表面内的第二电极区和体引出区，所述体引出区为所述第一电极区的引出区，所述第一电极区和第二电极区的极性相反；位于所述阱区表面上的栅介质层以及位于所述栅介质层表面上的栅区，所述栅介质层位于所述第二电极区和体引出区之间，以隔离所述第二电极区和体引出区。

【技术特征摘要】
1.一种二极管，其特征在于，包括：基底，所述基底包括阱区，所述阱区为所述二极管的第一电极区；位于所述阱区表面内的第二电极区和体引出区，所述体引出区为所述第一电极区的引出区，所述第一电极区和第二电极区的极性相反；位于所述阱区表面上的栅介质层以及位于所述栅介质层表面上的栅区，所述栅介质层位于所述第二电极区和体引出区之间，以隔离所述第二电极区和体引出区，所述栅介质层材料为SrTiO3、HfO2、ZrO2、氧化硅中的一种或任意组合，所述栅区为环形栅区；其中，所述二极管还包括：位于所述栅介质层和体引出区之间的浅槽隔离区。2.根据权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述栅介质层的厚度小于传统CMOS工艺中的二极管周边的浅槽隔离区的厚度，该二极管抗总剂量辐照效应的能力高于传统CMOS工艺中的二极管抗总剂量辐照效应的能力。3.一种二极管制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括阱区，所述阱区为所述二极管的第一电极区；在所述阱区表面上形成栅介质层，在所述栅介质层表面上形成栅区；在位于所述栅介质层和栅区两侧的阱区表面内形成第二电极区和体引出区，所述体引出区为所述第一电极区的引出区，所述第一电极区和第二电极区的极性相反；其中，所述栅介质层位于所述第二电极区和体引出区之间，以隔离所述第二电极区和体引出区，所述栅介质层材料为SrTiO3、HfO2、ZrO2、氧化硅中的一种或任意组合，所述栅区为环形栅区；在形成栅介质层之前还包括：在所述阱区表面内形成浅槽隔离区，所述浅槽隔离区位于所述栅介质层和体引出区之间。4.根据权利要求3所述方法，其特征在于，形成栅介质层和栅区的过程具体为：在所述阱区表面上形成第一栅介质层；在所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕荫学，罗家俊，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：