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本发明实施例公开了一种二极管及其制作方法，该方法包括：基底，所述基底包括阱区，阱区为所述二极管的第一电极区；位于阱区表面内的第二电极区和体引出区，体引出区为第一电极区的引出区，所述第一电极区和第二电极区的极性相反；位于阱区表面上的栅介质层以...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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