一种真空控制系统技术方案

本发明专利技术公开了一种真空控制系统，应用于半导体器件制造。其中，储能腔室与第一隔离阀并联连接于工作腔室与真空泵之间；第二隔离阀连接于储能腔室与工作腔室之间；第三隔离阀连接于储能腔室与真空泵之间；控制单元与第一隔离阀，第二隔离阀以及第三隔离阀相连，控制第一隔离阀，第二隔离阀以及第三隔离阀的开闭状态。本发明专利技术通过储能腔室降低工作腔室抽真空时的初始压力，从而满足较小一级真空泵的抽速要求，解决了现有技术中采用较大真空泵占用空间大其能耗浪费的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种真空控制系统
本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别涉及一种应用于半导体器件制造的真空控制系统。
技术介绍
随着信息科技日新月异，集成电路在日常生活中扮演重要的角色，其需求相对也大幅提升，人们对集成电路的集成度要求越来越高，这就要求企业对半导体器件的加工能力也不断提高。通常来说，半导体器件的加工工艺必需应用到真空系统，随着对于半导体产品质量需求的增加，相对的在产品制造过程中对于真空度的要求也越来越高，因此，真空系统的结构与设计已经成为半导体器件制造的重要因素。目前，真空系统一般由工作腔室、真空泵以及连通管道组成。工作腔室抽真空时，对真空抽速的要求较高，由于真空泵处于高压区，当工作腔室的压力较高时，真空泵的抽速也较慢，因此往往需要选用较大一级抽速的真空泵才能满足抽速需求。然而，工作腔室除了在真空状态下工作外，也需在常压状态下进行例如装卸硅片等工作。因此，工作腔室在常压状态和真空状态下交替工作，真空泵也就交替工作于空载和满载状态。若采用较大一级抽速的真空泵，虽然能够满足抽速要求，但其工作间隙却容易造成能耗的浪费。因此，如何实现一种高效率的真空系统，避免因真空泵切换工作状态而产生能量消本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种真空控制系统，应用于半导体器件制造，其包括工作腔室，真空泵以及第一隔离阀，所述第一隔离阀连接于所述工作腔室与所述真空泵之间，其特征在于，所述真空控制系统还包括：储能腔室，与所述第一隔离阀并联连接于所述工作腔室与所述真空泵之间；第二隔离阀，连接于所述储能腔室与所述工作腔室之间；第三隔离阀，连接于所述储能腔室与所述真空泵之间；以及控制单元，与所述第一隔离阀，第二隔离阀以及第三隔离阀相连，控制所述第一隔离阀，第二隔离阀以及第三隔离阀的开闭状态。

【技术特征摘要】
1.一种真空控制系统，应用于半导体器件制造，其包括工作腔室，真空泵以及第一隔离阀，所述第一隔离阀连接于所述工作腔室与所述真空泵之间，其特征在于，所述真空控制系统还包括：储能腔室，与所述第一隔离阀并联连接于所述工作腔室与所述真空泵之间；第二隔离阀，连接于所述储能腔室与所述工作腔室之间；第三隔离阀，连接于所述储能腔室与所述真空泵之间；以及控制单元，与所述第一隔离阀，第二隔离阀以及第三隔离阀相连，控制所述第一隔离阀，第二隔离阀以及第三隔离阀的开闭状态；其中，当进行硅片装卸动作时，所述控制单元关闭所述第一隔离阀和第二隔离阀、同时打开所述第三隔离阀，使得所述工作腔室与所述真空泵和储能腔室相隔离，所述真空泵对所述储能腔室抽真空使所述储能腔室内的压力小于大气压；当进行硅片加工动作时，所述控制单元打开所述第二隔离阀使得所述工作腔室与真空状态的所述储能腔室相连通而降低所述工作腔室内的压力；当所述工作腔室内的压力下降到预定程度时，所述控制单元关闭所述第二隔离阀及第三隔离阀，且同时打开所述第一隔离阀，所述真空泵对所述工作腔室抽...

【专利技术属性】
技术研发人员：任大清，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：