透明导电膜中的导电结构、透明导电膜及制作方法技术

本发明专利技术公开了一种透明导电膜的导电结构、透明导电膜及其制备方法，所述透明导电膜具有单面双层的导电结构，该导电结构包括在基底之上压印得到或者在基底表面的聚合物层上压印得到的第一金属埋入层；以及在第一金属埋入层表面涂上聚合物材料压印得到的第二金属埋入层；第一层和第二层导电结构具有网格凹槽结构，凹槽中均填充导电材料。本发明专利技术所提供的单面双层图形化透明导电膜具有高分辨率，透过率和方阻独立可调等诸多优点。这种透明导电膜可以降低成本，减少制造触摸面板的重量和厚度。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于多点触控显示领域，尤其是一种支持多点触控技术的透明导光膜及其制作方法。
技术介绍
透明导电膜是具有良好导电性和在可见光波段具有高透光率的一种薄膜。目前透明导电膜已广泛应用于平板显示、光伏器件、触控面板和电磁屏蔽等领域，具有极其广阔的市场空间。ITO层是触摸屏模组中至关重要的组成部分。虽然触摸屏的制造技术一日千里的飞速发展着。但是以投射式电容屏为例，ITO层的基础制造流程近年来并未发生太大的改变。总是不可避免的需要ITO镀膜，ITO图形化，透明电极银引线制作。这种传统的制作流·程复杂且冗长，因此良率控制就成了现阶段触摸屏制造领域难以回避的难题。此外这种制作方式还不可避免的需要用到刻蚀工艺，大量的ITO及金属材料会被浪费。因此如何实现工艺简单且绿色环保的透明导电膜制作是一个亟待解决的关键技术问题。在中国公开专利技术CN201010533228中揭示了一种埋入式图形化金属网格类的透明导电膜，该透明导电膜通过在热塑性基底材料上压印出网格形状的凹槽，在凹槽里填充导电金属，利用网格空白区实现透光，利用网格凹槽区的金属实现导电的功能。其中PET基底的透明导电膜透过率大于87%，玻璃基底的透明导电膜透过率大于90% ;方阻均小于10Ω/sq ;特别是金属线条的分辨率小于3 μ m。在另一篇中国专利CN201110058431中揭示了另一种埋入式图形化金属网格类的透明导电膜，该专利通过在基底表面制作一层聚合物层，在聚合物层上压印网格图案，从而实现金属埋入层的制作。上述两篇专利揭示的都是单层导电结构的透明导电膜的制作。然而，单层透明导电膜是较难支持多点触控技术的。因此为了实现多点触控技术，现有技术中采用两片单层透明导电膜，以跳线使X和Y轴方向彼此导通，解决了单层膜不支持多点触控的缺点，但是采用两片透明导电膜结构的方案存在如下的缺点第一、跳线主要采用黄光来实现，工序复杂，而且在触摸屏上跳线是可见的，会影响美观。第二、现有触摸屏的发展方向是轻、薄，若增加一层导电膜，即用双层导电膜来触控；这将势必要增加厚度和本身的重量为代价，这种方法不符合发展的趋势。为此本专利技术人提出一种单面双层图形化透明导电膜，来解决现有技术中存在的技术缺陷。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的第一目的在于提出了一种单面双层的图形化导电结构，使得拥有该导电结构的透明导电膜具有支持多点触控的功能。本专利技术的第二目的在于提出具有上述导电结构的透明导电膜及其制作方法，该透明导电膜不仅能够支持多点触控功能，还能大大减少整个多点触控显示器件的厚度。根据本专利技术的之一目的提出的一种透明导电膜的导电结构，该导电结构设于一透明基底上，包括网格状的第一金属埋入层和位于该第一金属埋入层之上的网格状的第二金属埋入层，所述第一金属埋入层和第二金属埋入层之间彼此绝缘。根据本专利技术的另一目的提出的一种透明导电膜，包括透明基底和设于该基底上的导电结构，所述导电结构包括网格状的第一金属埋入层和位于该第一金属埋入层之上的网格状的第二金属埋入层，所述第一金属埋入层和第二金属埋入层之间彼此绝缘。根据本专利技术的另一目的提出的一种支持多点触控功能的透明导电膜，包括功能区和设置在该功能区外围至少一侧的引线区，所述功能区中包括导电结构，该导电结构包括网格状的第一金属埋入层和位于该第一金属埋入层之上的网格状的第二金属埋入层，所述第一金属埋入层和第二金属埋入层之间彼此绝缘，所述引线区中包括多条与该第一金属埋入层连接的引线汇聚而成的第一引线区和多条与该第二金属埋入层连接的引线汇聚而成 的第二引线区，所述第一引线区和第二引线区之间彼此绝缘。优选的，该透明导电膜包括透明基底和设于该基底上透明的聚合物层，所述第一金属埋入层和第一引线区设于该基底中，所述第二金属埋入层和第二引线区设于该聚合物层中，且该第二金属埋入层和与该第二金属埋入层连接的引线的厚度小于该聚合物层。所述聚合物层图形化涂布在所述基底上，并露出该第一引线区。在所述基底与聚合物层之间，还设有增粘层。优选的，该透明导电膜包括透明基底、位于该基底上透明的第一聚合物层和位于该第一聚合物层上透明的第二聚合物层，所述第一金属埋入层和第一引线区设于该第一聚合物层中，所述第二金属埋入层和第二引线区设于该第二聚合物层中，且该第二金属埋入层与该第二金属埋入层连接的引线的厚度小于该第二聚合物层。所述第二聚合物层图形化涂布在所述第一聚合物层上，并露出该第一引线区。优选的，所述第一金属埋入层和/或第二金属埋入层的网格形状为不规则的随机网格。所述随机网格是不规则多边形构成的网格；所述网格的网格线是直线段，且与右向水平方向X轴所成角度θ呈均匀分布。同时本专利技术提出了一种优选透明导电膜的制作方法，包括步骤(I)基于压印技术在基底材料上进行图形化压印，形成功能区中的网格状凹槽和引线区中引线凹槽；(2)在步骤(I)中压印好的凹槽中填充导电材料，形成第一金属埋入层和第一引线区；(3)在步骤(2)的基础上对基底进行图形化涂布，形成聚合物层，该聚合物层至少覆盖功能区中的第一金属埋入层并露出第一引线区；(4)基于压印技术对步骤(3)中所涂布的聚合物层进行图形化压印，形成功能区中的网格状凹槽和引线区中引线凹槽；(5)在步骤(4)中压印好的凹槽中填充导电材料，形成第二金属埋入层和第二引线区；该第二引线区与第一引线区上下不重叠。同时本专利技术提出了另一种优选透明导电膜的制作方法，包括步骤( I)在基底上涂布第一聚合物层；(2)基于压印技术在第一聚合物层上进行图形化压印，形成功能区中的网格状凹槽和引线区中引线凹槽；(3)在步骤(2)中压印好的凹槽中填充导电材料，形成第一金属埋入层和第一引线区；(4)在步骤(3)的基础上对基底进行图形化涂布，形成第二聚合物层，该第二聚合物层至少覆盖功能区中的第一金属埋入 层并露出第一引线区；(5)基于压印技术对步骤(4)中所涂布的第二聚合物层进行图形化压印，形成功能区中的网格状凹槽和引线区中引线凹槽；(6)在步骤(5)中压印好的凹槽中填充导电材料，形成第二金属埋入层和第二引线区；该第二引线区与第一引线区上下不重叠。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本专利技术第一实施方式的透明导电膜局部示意图。图2是本专利技术第一实施方式下应用到多点触控功能的透明导电膜示意图。图3至图6是本专利技术该第一实施方式下的透明导电膜的制作方法步骤状态图。图7为本专利技术第一实施方式的一种变形结构。图8为本专利技术第二实施方式的透明导电膜局部示意图。图9是本专利技术第二实施方式下应用到多点触控功能的透明导电膜示意图。图10至图13是本专利技术该第二实施方式下的透明导电膜的制作方法步骤状态图。具体实施例方式鉴于现有的多点触控技术中，需要用到两篇单层的透明导电膜，大大增加了整个触控显示器件的厚度，违背显示器件往轻薄方向的发展。因此本专利技术提出了一种单面双层的透明导电膜，该透明导电膜包括由网格状的第一金属埋入层和网格状的第二金属埋入层组成的导电结构，该第一金属埋入层和第二金属埋入层彼此之间绝缘，使得单片透明导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电膜的导电结构，该导电结构设于一透明基底上，其特征在于：所述导电结构包括网格状的第一金属埋入层和位于该第一金属埋入层之上的网格状的第二金属埋入层，所述第一金属埋入层和第二金属埋入层之间彼此绝缘。

【技术特征摘要】
1.一种透明导电膜的导电结构，该导电结构设于一透明基底上，其特征在于所述导电结构包括网格状的第一金属埋入层和位于该第一金属埋入层之上的网格状的第二金属埋入层，所述第一金属埋入层和第二金属埋入层之间彼此绝缘。2.一种透明导电膜，包括透明基底和设于该基底上的导电结构，其特征在于所述导电结构包括网格状的第一金属埋入层和位于该第一金属埋入层之上的网格状的第二金属埋入层，所述第一金属埋入层和第二金属埋入层之间彼此绝缘。3.一种支持多点触控功能的透明导电膜，包括功能区和设置在该功能区外围至少一侧的引线区，其特征在于所述功能区中包括导电结构，该导电结构包括网格状的第一金属埋入层和位于该第一金属埋入层之上的网格状的第二金属埋入层，所述第一金属埋入层和第二金属埋入层之间彼此绝缘，所述引线区中包括多条与该第一金属埋入层连接的引线汇聚而成的第一引线区和多条与该第二金属埋入层连接的引线汇聚而成的第二引线区，所述第一引线区和第二引线区之间彼此绝缘。4.如权利要求3所述的透明导电膜，其特征在于包括透明基底和设于该基底上透明的聚合物层，所述第一金属埋入层和第一引线区设于该基底中，所述第二金属埋入层和第二引线区设于该聚合物层中，且该第二金属埋入层和与该第二金属埋入层连接的引线的厚度小于该聚合物层。5.如权利要求4所述的透明导电膜，其特征在于所述聚合物层图形化涂布在所述基底上，并露出该第一引线区。6.如权利要求4所述的透明导电膜，其特征在于在所述基底与聚合物层之间，还设有增粘层。7.如权利要求3所述的透明导电膜，其特征在于包括透明基底、位于该基底上透明的第一聚合物层和位于该第一聚合物层上透明的第二聚合物层，所述第一金属埋入层和第一引线区设于该第一聚合物层中，所述第二金属埋入层和第二引线区设于该第二聚合物层中，且该第二金属埋入层与该第二金属埋入层连接的引线的厚度小于该第二聚合物层。8.如权利要求7所述的透明导电膜，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：高育龙，崔铮，孙超，
申请(专利权)人：南昌欧菲光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：