透明导电膜中的导电结构、透明导电膜及制作方法技术

技术编号:8272148 阅读:379 留言:0更新日期:2013-01-31 04:36
本发明专利技术公开了一种透明导电膜的导电结构、透明导电膜及其制备方法,所述透明导电膜具有单面双层的导电结构,该导电结构包括在基底之上压印得到或者在基底表面的聚合物层上压印得到的第一金属埋入层;以及在第一金属埋入层表面涂上聚合物材料压印得到的第二金属埋入层;第一层和第二层导电结构具有网格凹槽结构,凹槽中均填充导电材料。本发明专利技术所提供的单面双层图形化透明导电膜具有高分辨率,透过率和方阻独立可调等诸多优点。这种透明导电膜可以降低成本,减少制造触摸面板的重量和厚度。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于多点触控显示领域,尤其是一种支持多点触控技术的透明导光膜及其制作方法。
技术介绍
透明导电膜是具有良好导电性和在可见光波段具有高透光率的一种薄膜。目前透明导电膜已广泛应用于平板显示、光伏器件、触控面板和电磁屏蔽等领域,具有极其广阔的市场空间。ITO层是触摸屏模组中至关重要的组成部分。虽然触摸屏的制造技术一日千里的飞速发展着。但是以投射式电容屏为例,ITO层的基础制造流程近年来并未发生太大的改变。总是不可避免的需要ITO镀膜,ITO图形化,透明电极银引线制作。这种传统的制作流·程复杂且冗长,因此良率控制就成了现阶段触摸屏制造领域难以回避的难题。此外这种制作方式还不可避免的需要用到刻蚀工艺,大量的ITO及金属材料会被浪费。因此如何实现工艺简单且绿色环保的透明导电膜制作是一个亟待解决的关键技术问题。在中国公开专利技术CN201010533228中揭示了一种埋入式图形化金属网格类的透明导电膜,该透明导电膜通过在热塑性基底材料上压印出网格形状的凹槽,在凹槽里填充导电金属,利用网格空白区实现透光,利用网格凹槽区的金属实现导电的功能。其中PET基底的透明导电膜透过率大于87%,玻璃基底的透本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电膜的导电结构,该导电结构设于一透明基底上,其特征在于:所述导电结构包括网格状的第一金属埋入层和位于该第一金属埋入层之上的网格状的第二金属埋入层,所述第一金属埋入层和第二金属埋入层之间彼此绝缘。

【技术特征摘要】
1.一种透明导电膜的导电结构,该导电结构设于一透明基底上,其特征在于所述导电结构包括网格状的第一金属埋入层和位于该第一金属埋入层之上的网格状的第二金属埋入层,所述第一金属埋入层和第二金属埋入层之间彼此绝缘。2.一种透明导电膜,包括透明基底和设于该基底上的导电结构,其特征在于所述导电结构包括网格状的第一金属埋入层和位于该第一金属埋入层之上的网格状的第二金属埋入层,所述第一金属埋入层和第二金属埋入层之间彼此绝缘。3.一种支持多点触控功能的透明导电膜,包括功能区和设置在该功能区外围至少一侧的引线区,其特征在于所述功能区中包括导电结构,该导电结构包括网格状的第一金属埋入层和位于该第一金属埋入层之上的网格状的第二金属埋入层,所述第一金属埋入层和第二金属埋入层之间彼此绝缘,所述引线区中包括多条与该第一金属埋入层连接的引线汇聚而成的第一引线区和多条与该第二金属埋入层连接的引线汇聚而成的第二引线区,所述第一引线区和第二引线区之间彼此绝缘。4.如权利要求3所述的透明导电膜,其特征在于包括透明基底和设于该基底上透明的聚合物层,所述第一金属埋入层和第一引线区设于该基底中,所述第二金属埋入层和第二引线区设于该聚合物层中,且该第二金属埋入层和与该第二金属埋入层连接的引线的厚度小于该聚合物层。5.如权利要求4所述的透明导电膜,其特征在于所述聚合物层图形化涂布在所述基底上,并露出该第一引线区。6.如权利要求4所述的透明导电膜,其特征在于在所述基底与聚合物层之间,还设有增粘层。7.如权利要求3所述的透明导电膜,其特征在于包括透明基底、位于该基底上透明的第一聚合物层和位于该第一聚合物层上透明的第二聚合物层,所述第一金属埋入层和第一引线区设于该第一聚合物层中,所述第二金属埋入层和第二引线区设于该第二聚合物层中,且该第二金属埋入层与该第二金属埋入层连接的引线的厚度小于该第二聚合物层。8.如权利要求7所述的透明导电膜,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:高育龙崔铮孙超
申请(专利权)人:南昌欧菲光科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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