蒸镀掩模板制造技术

本实用新型专利技术涉及一种蒸镀掩模板，包括主图形区域、辅助图形区域和半刻线，半刻线为四边凹槽，且半刻线的刻蚀深度h是掩模板厚度H的40%-60%；半刻线的线径≤2mm。本实用新型专利技术涉及的掩模板，在去除辅助图形时，不需要其他辅助工具，就能成功的将辅助图形从主图形区域剥离，且剥离质量高；剥离后的掩模板外边框边缘整齐光滑无毛刺，外边框对位时不会导致位置偏差；还不会破坏掩模框架，可提高蒸镀质量。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种蒸镀掩模板，具体涉及具有半刻线的掩模板。
技术介绍
有机EL显示面板具有由通过附加电压而发光的低分子有机EL材料形成的有机发光层，有机EL显示面板一般通过下述方式制造在透明基板上形成透明电极层；在该透明电极层上形成由低分子有机EL材料形成的有机发光层；在该有机发光层上形成金属电极层。在该有机EL显示面板的制造工序中，在透明电极层上形成有机发光层通常采用具有规定图案的多个细微通孔的蒸镀金属掩模，并将低分子有机EL材料蒸镀于基板上。这种有机电致发光显示器包括有机电致发光装置，有机电致发光装置具有分别堆叠在基底上的阳极、有机材料层和阴极。有机材料层包括有机发射层，有机发射层由于复合空穴和电子得到的激光而发光。此外，为了将空穴和电子平稳的传输到发射层并提高发射效率，电子注入层和电子传输层可设置在阴极和有机发射层之间，空穴注入层和空穴传输层可设置在阳极和有机发射层之间。通常，可通过诸如真空沉积、离子电镀、溅射等物理气相沉积法和采用气象反应的化学气相沉积法来制造具有这种构造的有机电致发光装置。当通过这些方法来制造有机电致发光装置时，需要具有预定图案的掩模以在正确的位置堆叠有机材料层。由于传统工艺中，将掩模板固定在掩模框架上时掩模受外向拉力，因此要在掩模板的边料设计辅助图形用以施加拉力，最后要将固定后的掩模板的边料去除裁剪。用剪刀进行裁减，则裁减的边存在不齐整、外观不美观的问题，对于一些通过掩模板外边框进行对位的情况，外边框的不平整必会导致对位时的位置偏差；通过激光切割工艺，虽然也可以达到辅助图形与掩模板主图形区域分离的效果，但激光会破坏掩模框架，使其表面产生凹槽划痕，蒸镀过程中会又有机材料颗粒残留在凹槽内，导致不同蒸镀腔室之间的交叉污染。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种蒸镀掩模板，可以解决现有技术中掩模板外边框存在不齐整、外观不美观的问题，并且在去除辅助图形时，不需要其他辅助工具，就能成功的将辅助图形从主图形区域剥离，且剥离质量高；剥离后的掩模板外边框对位时不会导致位置偏差；还不会破坏掩模框架，可提高蒸镀质量。针对以上技术问题，本技术提出以下技术方案一种蒸镀掩模板，包括主图形区域，具有满足蒸镀要求的开口，主图形开口尺寸在30-180μπι的范围内；辅助图形区域，用于提供拉力的施力点；其特征在于，掩模板还具有半刻线，半刻线一边连接主图形区域，一边连接辅助图形区域。优选的，半刻线为四边凹槽。优选的，半刻线的刻蚀深度h是掩模板厚度H的40%-60%。 优选的，半刻线的线径< 2mm。本技术所涉及的蒸镀掩模板及其制作方法，由于半刻一边连接主图形区域，一边连接辅助图形，且半刻线的刻蚀深度h是掩模板厚度H的40%-60%。因此在去除辅助图形时，不需要其他辅助工具，就能成功的将辅助图形从主图形区域剥离，且剥离质量高；剥离后的掩模板外边框边缘整齐光滑无毛刺，外边框对位时不会导致位置偏差；；还不会破坏掩模框架，可提高蒸镀质量。以下结合附图对本技术的具体实施方式作进一步详细的说明。图I为本技术的掩模板整体结构图；其中11_辅助图形开口，即绷网孔；22-主图形区域开口 ；33_辅助图形区域；44-主图形区域；55_半刻线。·图2为本技术的掩模板中的半刻线剖面图；其中111-掩模板；55-半刻线。图3为传统工艺的掩模板；其中1-辅助图形区域开口，即剥离孔；2-主图形区域开口 ；3_辅助图形区域；4-主图形区域；5-裁剪基线。具体实施方式实施例I图I和图2所示的用于蒸镀工艺的掩模板111，包括主图形区域44，具有满足蒸镀要求的开口 22，主图形开口尺寸在30μπι的范围内；辅助图形区域33，用于提供拉力的施力点；半刻线55，半刻线一边连接主图形区域，一边连接辅助图形区域；半刻线55为四边凹槽；半刻线的刻蚀深度h是掩模板厚度H的60% ;半刻线的线径< 2mm。掩模板的材料可以为因瓦合金、镍铁合金、纯镍、不锈钢中的任意一种；掩模板厚度H在30 μ m。实施例2用于蒸镀工艺的掩模板111，包括主图形区域44，具有满足蒸镀要求的开口 22，主图形开口尺寸在180μπι的范围内；辅助图形区域33，用于提供拉力的施力点；半刻线55，半刻线一边连接主图形区域，一边连接辅助图形区域；半刻线55为四边凹槽；半刻线的刻蚀深度h是掩模板厚度H的40% ;半刻线的线径< 2_。掩模板的材料可以为因瓦合金、镍铁合金、纯镍、不锈钢中的任意一种；掩模板厚度H在200 μ m。在掩模板的主图形区域44与辅助图形区域33之间制作该种四边凹槽后，由于半刻线的厚度很薄，只需在辅助图形区域处施加力，即可轻松将其与主图形区域分离，剥离后的掩模板外边框光滑整齐，外边框对位时不会导致位置偏差，不会破坏掩模框架，提高蒸镀质量。以上实施例目的在于说明本技术，而非限制本技术的保护范围，所有在不违背本技术精神原则的条件下做出的简单变换均落入本技术的保护范围内。权利要求1.一种蒸镀掩模板，包括主图形区域，具有满足蒸镀要求的开口，主图形开口尺寸在30-180μπι的范围内；辅助图形区域，用于提供拉力的施力点；其特征在于，掩模板还具有半刻线，半刻线一边连接主图形区域，一边连接辅助图形区域。2.根据权利要求I所述的掩模板，其特征在于，所述半刻线为四边凹槽。3.根据权利要求I所述的掩模板，其特征在于，所述半刻线的刻蚀深度h是掩模板厚度H 的 40%-60%。4.根据权利要求1、2或3所述的掩模板，其特征在于，所述半刻线的线径<2mm。专利摘要本技术涉及一种蒸镀掩模板，包括主图形区域、辅助图形区域和半刻线，半刻线为四边凹槽，且半刻线的刻蚀深度h是掩模板厚度H的40%-60%；半刻线的线径≤2mm。本技术涉及的掩模板，在去除辅助图形时，不需要其他辅助工具，就能成功的将辅助图形从主图形区域剥离，且剥离质量高；剥离后的掩模板外边框边缘整齐光滑无毛刺，外边框对位时不会导致位置偏差；还不会破坏掩模框架，可提高蒸镀质量。文档编号C23C14/04GK202688415SQ201220016198公开日2013年1月23日 申请日期2012年1月16日 优先权日2012年1月16日专利技术者魏志凌, 高小平, 郑庆靓 申请人:昆山允升吉光电科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蒸镀掩模板，包括：主图形区域，具有满足蒸镀要求的开口，主图形开口尺寸在30？180μm的范围内；辅助图形区域，用于提供拉力的施力点；其特征在于，掩模板还具有半刻线，半刻线一边连接主图形区域，一边连接辅助图形区域。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏志凌，高小平，郑庆靓，
申请(专利权)人：昆山允升吉光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：