蒸镀用掩模板制造技术

本实用新型专利技术涉及一种蒸镀用掩模板，主要解决现有OLED制造技术中，蒸镀时有机颗粒由于掩模板开口壁的遮蔽而无法达到基板的技术问题，本实用新型专利技术通过采用一种蒸镀用掩模板，形状为四边形金属板，包括与铟锡氧化物（ITO）基板接触的ITO面和蒸镀面两个面，所述掩模板上具有贯通ITO和蒸镀面的通孔，通孔在ITO面上的开口尺寸小于在蒸镀面上的开口尺寸的技术方案，较好地解决了该问题，可用于有机发光二级管的工业生产中。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及OLED制造过程中所需的蒸镀用掩模板。
技术介绍
—般地，OLED器件为一种发射显不器件,其通过电激发突光有机化合物发光。依据可以排列为矩阵的NXM像素的驱动方式，OLED器件可以看作无源矩阵OLED (PMOLED)器件或有源矩阵OLED (AMOLED)器件。AMOLED器件与PMOLED器件相比，由 于其低功耗和高分辨率，适合于大尺寸显示器。依据光从有机化合物发出的方向，OLED器件可为顶发射OLED器件、底发射OLED器件或顶和底发射OLED器件。顶发射OLED器件在与设置有像素的衬底的相反方向上发光且与底发射OLED不同,其具有高开口率(Aperture ratio)。对于既包含用于主要显示窗口的顶发射型又包含用于次要窗口的底发射型OLED器件的需求正在增长，因为此器件可以被小型化且其消耗很少的功率。这样的OLED器件可以主要用于包括外部次要显示窗口和内部主要显示窗口的移动电话。次要显示窗口消耗的功率少于主要显示窗口，且当移动电话处于呼叫等待状态时它可以保持开的状态，从而允许在任何时候观察接收状态、电池余量、时间等。有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,0LED)是在一定电场驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到阴极修饰层和空穴注入层，并在发光层中相遇，形成的激子最终导致可见光的发射。对于有机电致发光器件，我们可按发光材料将其分成两种小分子OLED和闻分子0LED。上述有机电致发光装置包括第一电极、有机发光层及第二电极。制造有机发光装置时，通过光刻法，通过腐蚀剂在ITO上构图。光刻法再用来制备第二电极时，湿气渗入有机发光层和第二电极之间，会显著地缩短有机发光装置的寿命，降低其性能。为了克服以上问题，采用蒸镀工艺将有机发光材料沉积在基板上，形成有机发光层，该方法需配套高精度蒸镀用掩模板(也称为荫罩)。第二电极的制作同发光层的制作方法。在蒸镀过程中，随着时间的延长，温度也在不断上升，高温可达到60°C，由于荫罩开口尺寸以微米级衡量，并且需要蒸镀到ITO玻璃上的有机材料的厚度很薄，以纳米级单位进行衡量，所以对开口尺寸精度、开口形貌以及板厚需严格要求。由于传统工艺使用的蒸镀用荫罩的开口一般为单层的，荫罩上的开口也无具无锥度，所以会造成有机材料颗粒的遮挡，影响蒸镀层的均匀性，降低蒸镀质量，增加了制造成本。传统工艺采用单层开口的OLED掩模板，且开口无锥度，如图I所示，有机材料颗粒从各个角度穿过掩模板并贴附于基板上，开口 I无锥度，当颗粒倾斜射入角度小于或等于Θ时，这部分颗粒会碰到开口壁而被遮蔽，无法到达基板。这种现象会产生以下问题使倾斜射入的颗粒出现部分缺失，致使辉度下降，并且在基板上不能形成希望的厚度和形状。一般蒸镀用荫罩的厚度在100 μ m左右，而蒸镀的有机材料膜厚只在IOOnm左右，荫罩上的开口尺寸最小可以是10 μ m，所以无锥度开口的侧壁势必会在蒸镀过程中产生遮挡，但另一方面，如果只减薄荫罩的厚度来降低有机材料的遮挡程度，又会影响荫罩的使用寿命，因为荫罩过薄，易变形，影响的荫罩的使用，降低蒸镀质量。传统的蒸镀用掩模板的开口种类有三种点状荫罩板(Invar-Shadow Mask)、栅格式/狭缝荫罩板(Aperture Grille Mask/Slit Mask)、狭槽荫罩板(Slot Mask)。都具有如图I开口 11所述的单面无锥度的开口缺陷。本技术提供一种OLED制造过程中所需的蒸镀用掩模板，该种掩模板具有锥度开口设计，即ITO面开口尺寸小于蒸镀面开口尺寸，解决了有机颗粒由于开口壁的遮蔽而无法达到基板的问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是现有OLED制造技术中，蒸镀时有机颗粒由于开口壁的遮蔽而无法达到基板的技术问题，提供一种新的蒸镀用掩模板，使用该掩模板具有有机材料的使用率高、成膜率高、掩模板使用寿命长、节约成本的优点。·为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案如下一种蒸镀用掩模板，形状为四边形金属板，包括与铟锡氧化物基板接触的ITO面和蒸镀面两个面，所述掩模板上具有贯通ITO面和蒸镀面的通孔，通孔在ITO面上的开口尺寸小于在蒸镀面上的开口尺寸，ITO面和蒸镀面的通孔开口均具有倒锥角。上述技术方案中，所述ITO面和蒸镀面上的通孔开口通过若干个实桥，将开口连接起来，通孔在掩模板上呈规则网格状分布；所述掩模板为矩形，厚度为5 200 μ m。ITO面的通孔开口倒锥角的角度小于蒸镀面的通孔开口倒锥角的角度。掩模板材料为不锈钢、纯镍、镍钴合金、镍铁合金、因瓦合金中的任意一种金属板。掩模板厚度为10 50 μ m ;将其在掩模板的厚度方向上垂直剖开，其剖面图为葫芦状。ITO面和蒸镀面上的开口长尺寸边的方向为纵向，开口小尺寸边的方向为横向；ιτο面开口横向尺寸小于蒸镀面网格开口的横向尺寸。ITO面通孔开口横向上的尺寸精度在±5μπι;ΙΤ0面的倒锥角开口的垂直深度在5 25 μ m。蒸镀面大尺寸网格状开口侧壁为光滑锥壁，锥度在30 50°。ITO面的倒锥角开口的垂直深度小于等于蒸镀面锥角开口的垂直深度；所述掩模板使用时，ITO面与蒸镀基板ITO玻璃紧密贴紧，有机材料通过ITO面通孔开口蒸镀到ITO玻璃基板上。本技术通过该技术的有益效果如下该种荫罩具有锥度开口设计，即ITO面开口尺寸小于蒸镀面开口尺寸，解决了有机颗粒由于开口壁的遮蔽而无法达到基板的问题；在保证ITO面开口位置精度的同时提高了有机材料的成膜率；提高了有机材料的使用率，节约了成本。提高了蒸镀薄膜的均匀度；开口葫芦形的设计，保证了掩模板与ITO玻璃基板紧贴面(即ITO面)的开口尺寸精度控制在要求范围内；掩模板具有大开口设计的一定厚度的蒸镀面，保证在不影响蒸镀的情况下，对掩模板进行了加厚稳固的作用；扩大了荫罩的厚度范围，避免由于荫罩过薄导致的板面变形，提高了荫罩使用寿命，取得了较好的技术效果。附图说明图I为现有技术中掩模板结构示意图。图2为本技术实施例I中掩模板结构示意图。图3为掩模板和ITO玻璃基板配合示意图。图4为掩模板蒸镀面俯视图。图I中，I为掩模板无锥度开口，2为ITO玻璃，3为单层掩模板，4为ITO面，5为蒸镀面。图2中，I为ITO面小尺寸开口，2为蒸镀面大尺寸开口，3为单层掩模板，4为ITO面，5为蒸镀面。图3中，I为ITO面小尺寸开口，2为蒸镀面大尺寸开口，3为掩模板，4为ITO面，5为蒸镀面。图4中，I为ITO面小尺寸开口，2为蒸镀面大尺寸开口，3为掩模板，4为ITO面，5为蒸镀面。下面通过实施例对本技术作进一步阐述。 具体实施方式实施例I一种蒸镀用掩模板，如图2所示，厚为50 μ m，形状为四边形因瓦合金板，包括与铟锡氧化物基板接触的ITO面4和蒸镀面5，所述掩模板上具有贯通ITO面和蒸镀面的通孔，通孔在ITO面上的开口 I的尺寸小于在蒸镀面上的开口 2的尺寸。选取因瓦合金为掩模板材料，采用双面蚀刻工艺，图3为掩模板和ITO玻璃基板配合示意图。从掩模板的ITO面4蚀刻形成如图2中掩模板的ITO面开口 1，开口 I深度为15 μ m,横向尺寸为70 μ m,从掩模板的蒸镀面5刻蚀形成如图2中蒸镀面上的开口 2，并保本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蒸镀用掩模板，形状为四边形金属板，其特征在于，包括与铟锡氧化物基板接触的ITO面和蒸镀面两个面，所述掩模板上具有贯通ITO面和蒸镀面的通孔，通孔在ITO面上的开口尺寸小于在蒸镀面上的开口尺寸，ITO面和蒸镀面的通孔开口均具有倒锥角。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏志凌，高小平，
申请(专利权)人：昆山允升吉光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：