陶瓷体及其制造方法技术

本发明专利技术提供在内部包含导电体的陶瓷体中能够更有效地防止水分向导电体与陶瓷体之间的空隙中浸入的陶瓷体及其制造方法。在内部电极层(11)与陶瓷层叠体(10)之间的空隙中浸入包含单体的超临界流体。之后，通过使单体聚合，在内部电极层(11)与陶瓷层叠体(10)之间的空隙中填充聚合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及，特定地涉及例如层叠陶瓷电容器等芯片型的陶瓷电子部件及其制造方法。
技术介绍
以往，作为陶瓷体的一例的层叠陶瓷电容器如下制造。首先，准备包含陶瓷原料粉末的浆料。将该浆料成形为片，制作陶瓷生片。在陶瓷生片的表面上，将作为内部电极层的原材料的导电性糊按照特定的图案进行涂布。该导电性糊由金属粉末、溶剂以及清漆构成。接着，通过将涂布有导电糊的多个陶瓷生片层叠，热压接，制作一体化后的未加工·的层叠体。通过将该未加工的层叠体烧成，制作陶瓷层叠体。在该陶瓷层叠体的内部，形成多个内部电极层。内部电极层的一部分端面在陶瓷层叠体的外部表面上露出。接着，在内部电极层的一部分端面露出的陶瓷层叠体的外表面上，涂布作为外部电极层的原材料的导电性糊后，进行煅烧。该导电性糊由金属粉末、玻璃粉、溶剂以及清漆构成。由此，以与特定的内部电极层电连接的方式，在陶瓷层叠体的外表面上形成外部电极层。最后，为了提高焊接性能，根据需要，在外部电极层的表面上形成镀层。上述制造工序中，例如，在外部电极层的表面上形成镀层的情况下，水分从外部电极层上存在的微小的空隙中浸入。另外，在高湿环境下使用作为陶瓷体的一例的层叠陶瓷电容器的情况下，水分从外部电极层上存在的微小的空隙中浸入。这样，从外部电极层中浸入的水分，到达在陶瓷层叠体的内部存在的内部电极层与陶瓷层之间的界面的微小的空隙，由此，存在引起绝缘电阻的降低的问题。另外，例如，在日本特开2001-102247号公报(以下，称为专利文献I)中，提出了用于解决上述问题的芯片型电子部件的构成。专利文献I中提出的芯片型电子部件，是通过在矩形状陶瓷基体的两端部形成由厚膜衬底导体层、表面镀层构成的外部端子电极而得到的，在外部端子电极中浸渗具有防水性的构件。由此，在将芯片型电子部件放置于湿度高的场所的情况下，抑制水分浸入外部端子电极的多孔部分。其结果，防止水分通过表面镀层、厚膜衬底导体层，到达电子部件素体。另外，例如，在日本特开平2-301113号公报(以下，称为专利文献2)中，提出了用于解决上述问题的层叠陶瓷电子部件的构成及其制造方法。专利文献2中提出的层叠陶瓷电子部件，是用无机氧化物填埋在陶瓷层叠体内或者外部电极内的间隙、气孔、针孔等缺陷的电子部件。另外，专利文献2中提出的层叠陶瓷电子部件的制造方法为如下方法在陶瓷层叠体或者陶瓷层叠体上形成外部电极后，将其在金属醇盐等有机金属溶液中浸溃，在陶瓷层叠体内或者外部电极内的间隙、气孔、针孔等缺陷内浸渗有机金属后，通过加热将有机金属分解成无机氧化物。由此，抑制水分浸入上述间隙和气孔。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2001-102247号公报专利文献2 :日本特开平2-301113号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题专利文献I中记载的芯片型电子部件的构成中，在外部端子电极上残留防水性的物质。因此，在之后工序中形成镀层的情况下，在外部端子电极的表面上容易发生镀覆析出不良，通过焊接将芯片型电子部件安装到基板等上的情况下，有时发生不良。 另外，专利文献I中记载的芯片型电子部件的构成中，在外部端子电极上残留的防水性物质的量如果少，则得不到抑制水分向电子部件素体中浸入的效果，在外部端子电极上残留的防水性物质的量如果多，则发生镀覆析出不良。因此，对于外部端子电极，难以控制用于浸渗具有防水性的构件的处理条件。另一方面，专利文献2中，将陶瓷层叠体在金属醇盐等有机金属溶液中浸溃，在陶瓷层叠体内或者外部电极内的间隙等缺陷内填埋无机氧化物。但是，该方法中，不能填充无机氧化物直至纳米级别的微小的空隙，因此，抑制水分浸入空隙的效果不充分。因此，本专利技术的目的在于，提供能够更有效地防止在内部包含导电体的陶瓷体中水分向导电体与陶瓷体之间的空隙中浸入的。用于解决问题的方法根据本专利技术的陶瓷体，是在内部包含导电体的陶瓷体，在导电体与陶瓷体之间的空隙中填充有聚合物。通过这样的构成，能够更有效地防止在内部包含导电体的陶瓷体中水分向导电体与陶瓷体之间的空隙中浸入。根据本专利技术的陶瓷体的制造方法，是在内部包含导电体的陶瓷体的制造方法，具备以下的步骤。(a)在导电体与陶瓷体之间的空隙中浸入包含单体的超临界流体的步骤。(b)通过使单体聚合而在导电体与陶瓷体之间的空隙中填充聚合物的步骤。本专利技术的陶瓷体的制造方法中使用的超临界流体，像液体那样具有高溶解力，因此，能够使单体在超临界流体中溶解。另外，超临界流体像气体那样具有高扩散系数，浸透性优良，因此，能够使单体溶解后的超临界流体浸入到纳米级别的微小的空隙中。由此，在导电体与陶瓷体之间的空隙中浸入包含单体的超临界流体的步骤中，能够使单体溶解后的超临界流体浸入在导电体与陶瓷体之间存在的纳米级别的微小的空隙中。另外，通过使单体聚合而在导电体与陶瓷体之间的空隙中填充聚合物的步骤中，能够使聚合物填充至在导电体与陶瓷体之间存在的纳米级别的微小的空隙中。因此，能够更有效地防止在内部包含导电体的陶瓷体中水分向导电体与陶瓷体之间的空隙中浸入。本专利技术的陶瓷体的制造方法中，超临界流体优选为超临界状态的二氧化碳。二氧化碳的临界温度31. 1°C、临界压力7. 38Mpa，在该临界温度以上并且临界压力以上，达到超临界状态。因此，二氧化碳能够在比较温和的条件下达到超临界状态。另外，超临界状态的二氧化碳也没有毒性，在化学上是惰性的，因此，能够廉价地获得高纯度的二氧化碳，因而容易利用。另外，超临界状态的二氧化碳通过达到常温常压，得到大气中包含的状态的二氧化碳。因此，通过使在导电体与陶瓷体之间的空隙中浸入的超临界状态的二氧化碳为常温常压，释放到大气中，从而能够容易地除去。另外，本专利技术的陶瓷体的制造方法中，优选陶瓷体为包含层叠的多个陶瓷层、和介于该多个陶瓷层之间的导电体层的陶瓷层叠体。该情况下，由陶瓷层叠体构成的陶瓷电子部件的制造方法中能够采用本专利技术的制造方法。例如，采用本专利技术的制造方法时，在包含陶瓷层叠体的电子部件中，在形成外部电极层前，将聚合物填充到在导电体与陶瓷体之间存在的纳米级别的微小的空隙中，由此，能够更有效地防止水分向导电体与陶瓷体之间的空隙中浸入。因此，在外部电极层的表面上不会残留阻碍镀覆析出的物质。由此，在之后工序中形成镀层的情况下，在外部端子电极的表面上也不会发生镀覆析出不良，通过焊接将芯片型电子部件在基板等上安装的情况下，也不会发生不良。 另外，在陶瓷层叠体中，导电体层与陶瓷层之间的界面露出的情况下，通过采用本专利技术的制造方法，能够更有效地防止水分向导电体与陶瓷体之间的空隙中浸入。另外，本专利技术的陶瓷体的制造方法中，优选通过使单体聚合而得到的聚合物为聚酰亚胺。专利技术效果如上，根据本专利技术，能够更有效地防止在内部包含导电体的陶瓷体中水分向导电体与陶瓷体之间的空隙中浸入。由此，例如，通过在芯片型的层叠陶瓷电容器等层叠陶瓷电子部件的制造方法中采用本专利技术，能够防止绝缘电阻的降低，能够使层叠陶瓷电子部件的可罪性提闻。附图说明图I是作为本专利技术的一个实施方式示意地表示作为陶瓷体的一例的层叠陶瓷电容器的第一制造工序的截面图。图2是作为本专利技术的一个实施方式示意地表示作为陶瓷体的一例的层叠陶瓷电容器的第二制造工序的截面图。具体实施例方式首先，对作为本专利技术的陶瓷体的一例的层叠陶瓷电容器进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤顺一，上田佳功，国司多通夫，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：
国别省市：