片式层压电容器制造技术

本发明专利技术提供一种片式层压电容器，包括：陶瓷本体，该陶瓷本体由层压介电层而形成，该介电层的厚度为该介电层中所包括的晶粒的平均粒径的10倍或更多，并且介电层的厚度为3μm或更小；第一外电极和第二外电极；第一内电极，该第一内电极的一端与陶瓷本体的一个端面共同形成第一边缘，第二外电极形成在陶瓷本体的一个端面上，并且第一内电极的另一端引导至第一外电极；以及第二内电极，该第二内电极的一端与陶瓷本体的另一个端面共同形成第二边缘，第一外电极形成在陶瓷本体的另一个端面上，并且第二内电极的另一端引导至第二外电极，在第一边缘的宽度和第二边缘的宽度为200μm或更小的条件下，第一边缘的宽度和第二边缘的宽度不同。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种片式层压电容器，该片式层压电容器能够在实现小型化和高电容的同时降低声噪音。
技术介绍
随着对小体积且多功能电子设备的需求的增加，也增加了对嵌入电子设备中的紧 凑、高电容的片式层压电容器的需求。为了降低片式层压电容器的体积并增加其电容，需要使用高介电率的材料(high-K material)(例如,钛酸钡)作为形成介电层的陶瓷材料。当将交流电压和直流电压施加在具有由高介电率的材料形成的介电层的片式层压电容器上且该片式层压电容器内产生电压变化时，内电极之间会产生压电现象(piezoelectric phenomenon)并且会产生振动。基于相同的电容，当芯片体积相对较大时，在介电层的介电常数较大的情况下，上述振动可能会过大。所述振动从片式层压电容器的外电极传递至电路板，所述片式层压电容器安装在所述电路板上。在这种情况中，所述电路板振动，以产生共振。S卩，当所述电路板的振动产生的共振在听频范围(20至20，OOOHz)内时，电路板内的振动的声音可能会给人不快的感觉，其中所述振动声音被称作声噪音。因此,使用铁电材料(ferroelectric material)的层压陶瓷电容器中的压电现象导致产生的声噪音会引起一些电子设备中的严重缺陷。振动的声音可能是设置有层压陶瓷电容器的电子设备中产生噪音的一个因素。本专利技术涉及一种片式层压电容器，该片式层压电容器能够在实现小型化和高电容的同时降低声噪音。
技术实现思路
本专利技术的一个方面提供一种片式层压电容器，即使在介电层的介电常数降低且介电层的厚度显著降低的情况下，所述片式层压电容器仍然具有降低的声噪音。根据本专利技术的一种实施方式，提供一种片式层压电容器，该片式层压电容器包括陶瓷本体，该陶瓷本体通过层压介电层而形成，该介电层的厚度为该介电层中所包括的晶粒的平均粒径的10倍或更多并且为3 μ m或更小；第一外电极和第二外电极，该第一外电极和第二外电极形成在所述陶瓷本体的两端且具有不同的极性；第一内电极，该第一内电极的一端与所述陶瓷本体的一个端面共同形成第一边缘，所述第二外电极形成在所述陶瓷本体的所述一个端面上，并且所述第一内电极的另一端引导至所述第一外电极；以及第二内电极，该第二内电极的一端与所述陶瓷本体的另一个端面共同形成第二边缘，所述第一外电极形成在所述陶瓷本体的所述另一个端面上，并且所述第二内电极的另一端引导至所述第二外电极，其中，在所述第一边缘的宽度和所述第二边缘的宽度为200 μ m或更小的条件下，所述第一边缘的宽度和所述第二边缘的宽度不同。所述第一外电极和所述第二外电极可以包括第一带部(first band part)和第二带部，该第一带部和第二带部形成为在所述陶瓷本体的长厚(L-T)平面上具有不同的宽度，并且在所述陶瓷本体的长宽(L-W)平面上的所述第一边缘和所述第二边缘的边缘不平衡率X可以满足以下公式(I)5% ( X= IM1/A1-M2/A2 | /ave (Ml/Al, M2/A2) ( 40% (I)在所述公式(I)中，Ml表示所述第一边缘的长度，M2表示所述第二边缘的长度，Al表示所述第一带部的长度，A2表示所述第二带部的长度，并且ave表示平均值的函数，ave(X,Y)= (x+y)/2。 所述第一内电极和所述第二内电极可以包括电容形成部(capacitance formingpart)和引导部，所述电容形成部彼此重叠地相对设置，该电容形成部之间具有所述介电层，所述引导部引导至所述第一外电极和所述第二外电极，在所述长宽(L-W)平面上，分别由所述电容形成部的两侧端和所述陶瓷本体的侧部形成的第三边缘和第四边缘可以彼此不同，并且在宽厚(W-T)平面上，所述第三边缘和所述第四边缘的边缘不平衡率Y可以满足以下公式(2)5% ( Y= IM3-M4 | /ave (M3, M4) ( 40% (2 )在该公式(2)中，M3表示所述第三边缘的长度，M4表示所述第四边缘的长度，ave表示平均值的函数，ave (x, y) = (x+y)/2。考虑所述边缘不平衡率X和Y的声噪音减小率Z可以满足以下条件(3)2.5% ^ Z=Ixxy ( ο. 5% (3)。在所述长宽(L-W)平面上，分别由所述引导部的两侧端和所述陶瓷本体的侧部形成的第五边缘和第六边缘可以彼此不同。根据本专利技术的另一种示例性实施方式，提供一种片式层压电容器，该片式层压电容器包括第一外电极和第二外电极，该第一外电极和第二外电极分别覆盖六面体形的陶瓷本体的两端；以及第一内电极和第二内电极，所述第一内电极包括第一电容形成部和第一引导部，所述第二内电极包括第二电容形成部和第二引导部，所述第一电容形成部和第二电容形成部彼此重叠地相对设置，并且所述第一电容形成部和所述第二电容形成部之间具有介电层，所述第一引导部和所述第二引导部使得所述第一外电极和所述第二外电极彼此连接，所述第一内电极和所述第二内电极交替地层压至上虚拟介电层和下虚拟介电层，所述第一内电极和所述第二内电极之间设置有所述介电层，以及第一边缘和第二边缘，该第一边缘和第二边缘由第一电容形成部和第二电容形成部的引导端和所述陶瓷本体的两端形成，在所述第一边缘和所述第二边缘的宽度为200 μ m或更小的条件下，所述第一边缘和所述第二边缘的宽度不同。所述第一电容形成部的宽度和所述第一引导部的宽度相同，并且所述第二电容形成部的宽度和所述第二引导部的宽度可以大致相同。所述第一引导部的宽度与所述第二引导部的宽度可以大致相同，并且所述第一引导部和所述第二引导部的宽度可以小于所述第一电容形成部和所述第二电容形成部的宽度。沿朝向所述第一外电极和所述第二外电极的方向，所述第一引导部和所述第二引导部的宽度可以连续减小。所述第一外电极可以包括第一带部，所述第二外电极可以包括第二带部，在所述陶瓷本体的长厚(L-T)平面上，所述第一带部和所述第二带部形成为具有不同的宽度。在所述陶瓷本体的长宽(L-W)平面上，所述第一边缘和所述第二边缘的边缘不平 衡率X可以满足以下公式(4)5% ^ X= IM1/A1-M2/A2 | /ave (Ml/Al, M2/A2)彡 40% (4)在所述公式(4)中，Ml表示所述第一边缘的长度，M2代表所述第二边缘的长度，Al表示所述第一带部的长度，A2表示所述第二带部的长度，并且ave表示平均值的函数，ave(X,Y)= (x+y)/2。在宽厚(W-T)平面上，分别由所述第一电容形成部和所述第二电容形成部的两侧端和所述陶瓷本体的侧部形成的第三边缘和第四边缘可以彼此不同。在所述宽厚(W-T)平面上，所述第三边缘和所述第四边缘的边缘不平衡率Y满足以下公式(5)5% ( Y= IM3-M4 | /ave (M3, M4) ( 40% (5 )在该公式(5)中，M3表示所述第三边缘的长度，M4表示所述第四边缘的长度，并且ave表示平均值的函数，ave (x, y) = (x+y)/2。考虑所述边缘不平衡率X和Y的声噪音减小率Z可以满足以下条件(6)2. 5% ^ Z=IXXY ( 10. 5% (6)。在长宽(L-W)平面上，分别由所述引导部的两侧端和所述陶瓷本体的侧部形成的第五边缘和第六边缘可以彼此不同。根据本专利技术的另一种示例性实施方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种片式层压电容器，该片式层压电容器包括：陶瓷本体，该陶瓷本体通过层压介电层形成，该介电层的厚度为该介电层中所包括的晶粒的平均粒径的10倍或更多，并且所述介电层的厚度为3μm或更小；第一外电极和第二外电极，该第一外电极和第二外电极形成在所述陶瓷本体的两端且具有不同的极性；第一内电极，该第一内电极的一端与所述陶瓷本体的一个端面共同形成第一边缘，所述第二外电极形成在所述陶瓷本体的所述一个端面上，并且所述第一内电极的另一端引导至所述第一外电极；以及第二内电极，该第二内电极的一端与所述陶瓷本体的另一个端面共同形成第二边缘，所述第一外电极形成在所述陶瓷本体的所述另一个端面上，并且所述第二内电极的另一端引导至所述第二外电极，在所述第一边缘的宽度和所述第二边缘的宽度为200μm或更小的条件下，所述第一边缘的宽度和所述第二边缘的宽度不同。

【技术特征摘要】
2011.06.23 KR 10-2011-00613451.一种片式层压电容器，该片式层压电容器包括 陶瓷本体，该陶瓷本体通过层压介电层形成，该介电层的厚度为该介电层中所包括的晶粒的平均粒径的10倍或更多，并且所述介电层的厚度为3 μ m或更小； 第一外电极和第二外电极，该第一外电极和第二外电极形成在所述陶瓷本体的两端且具有不同的极性； 第一内电极，该第一内电极的一端与所述陶瓷本体的一个端面共同形成第一边缘，所述第二外电极形成在所述陶瓷本体的所述一个端面上，并且所述第一内电极的另一端引导至所述第一外电极；以及 第二内电极，该第二内电极的一端与所述陶瓷本体的另一个端面共同形成第二边缘，所述第一外电极形成在所述陶瓷本体的所述另一个端面上，并且所述第二内电极的另一端引导至所述第二外电极， 在所述第一边缘的宽度和所述第二边缘的宽度为200 μ m或更小的条件下，所述第一边缘的宽度和所述第二边缘的宽度不同。2.根据权利要求I所述的片式层压电容器，其中，所述第一外电极和所述第二外电极包括第一带部和第二带部，该第一带部和第二带部形成为在所述陶瓷本体的长厚(L-T)平面上具有不同的宽度，并且 在所述陶瓷本体的长宽(L-W)平面上的所述第一边缘和所述第二边缘的边缘不平衡率X满足以下公式(I) 5% ( X= IM1/A1-M2/A2|/ave(Ml/Al, M2/A2) ( 40%(I) 在所述公式(I)中，Ml表示所述第一边缘的长度，M2表示所述第二边缘的长度，Al表示所述第一带部的长度，A2表示所述第二带部的长度，并且ave表示平均值的函数，ave(X，Y)= (x+y)/2。3.根据权利要求2所述的片式层压电容器，其中，所述第一内电极和所述第二内电极包括电容形成部和引导部，所述电容形成部彼此重叠地相对设置，该电容形成部之间具有所述介电层，所述引导部引导至所述第一外电极和所述第二外电极， 在所述长宽(L-W)平面上，分别由所述电容形成部的两侧端和所述陶瓷本体的侧部形成的第三边缘和第四边缘彼此不同，并且 在宽厚(W-T)平面上，所述第三边缘和所述第四边缘的边缘不平衡率Y满足以下公式(2) 5% ( Y= IM3-M4I/ave(M3, M4) ( 40%(2) 在该公式(2)中，M3表示所述第三边缘的长度，M4表示所述第四边缘的长度，ave表示平均值的函数，ave (x, y) = (x+y)/2。4.根据权利要求3所述的片式层压电容器，其中，考虑所述边缘不平衡率X和Y的声噪音减小率Z满足以下条件(3): 2.5% ≤ ζ=|χχγ| ≤ ο. 5%(3)。5.根据权利要求3所述的片式层压电容器，其中，在所述长宽(L-W)平面上，分别由所述引导部的两侧端和所述陶瓷本体的侧部形成的第五边缘和第六边缘彼此不同。6.一种片式层压电容器，该片式层压电容器包括 第一外电极和第二外电极，该第一外电极和第二外电极分别覆盖六面体形状的陶瓷本体的两端；以及 第一内电极和第二内电极，所述第一内电极包括第一电容形成部和第一引导部，所述第二内电极包括第二电容形成部和第二引导部，所述第一电容形成部和第二电容形成部彼此重叠地相对设置，并且所述第一电容形成部和所述第二电容形成部之间具有介电层，所述第一引导部和所述第二引导部使得所述第一外电极和所述第二外电极彼此连接， 所述第一内电极和所述第二内电极交替地层压至上虚拟介电层和下虚拟介电层，所述第一内电极和所述第二内电极之间设置有所述介电层，以及 第一边缘和第二边缘，该第一边缘和第二边缘由所述第一电容形成部和所述第二电容形成部的引导端和所述陶瓷本体的两端形成，在所述第一边缘和所述第二边缘的宽度为·200 μ m或更小的条件下，所述第一边缘和所述第二边缘的宽度不同。7.根据权利要求6所述的片式层压电容器，其中，所述第一电容形成部的宽度和所述第一引导部的宽度相同，并且所述第二电容形成部的宽度和所述第二引导部的宽度大致相同。8.根据权利要求6所述的片式层压电容器，其中，所述第一引导部的宽度与所述第二引导部的宽度大致相同，并且所述第一引导部和所述第二引导部的宽度小于所述第一电容形成部和所述第二电容形成部的宽度。9.根据权利要求6所述的片式层...

【专利技术属性】
技术研发人员：安永圭，李炳华，朴珉哲，宋永训，李美希，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：