PMOS晶体管的制造方法技术

本发明专利技术提供一种PMOS晶体管的制造方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成栅极；向所述半导体衬底、栅极以及栅极侧墙注入三氟化氮，向所述半导体衬底注入P型源漏掺杂离子；进行退火工艺。在进行退火工艺后三氟化氮被激活，氟离子在所述半导体衬底与栅极的界面处形成键能较大的Si-F键，代替了相对较为不稳定的Si-H键，提高了半导体衬底与栅极界面的稳定性，从而降低了PMOS晶体管的负偏压温度不稳定效应；此外，氮离子进入栅极的栅介质层后，能够抑制PMOS晶体管P型源漏掺杂离子的扩散，避免因P型源漏掺杂离子的扩散导致的各种缺陷，提高了栅介质层的介电性能，进而提高了栅介质层的击穿电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种PMOS晶体管的制造方法。
技术介绍
随着半导体器件的集成度越来越高，单个半导体器件尺寸越来越小，半导体器件尺寸不断减小的同时，对半导体器件的晶体管性能要求同时日益提高，对晶体管可靠性的要求也随之提高。在互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管工艺中，对于PMOS晶体管 ，负偏压温度不稳定性(NBTI, Negative Bias Temperature Instability)是导致其在加压或高温作用时退化的主要原因，因此NBTI是PMOS晶体管可靠性评价的一个主要的考量因素。具体地，NBTI是指PMOS晶体管在偏置栅极电压或高温作用下，由于氢离子的扩散加剧导致栅介质层与半导体衬底界面处的硅氢键(Si-H)断裂，形成载流子俘获中心，从而造成参数漂移和器件退化，例如阈值电压(Vt)漂移和饱和电流(Idasat)增大。随着器件尺寸不断减小，特别是作为栅介质层的氧化层或氮氧化层越来越薄时，NBTI性能的下降也变得越来越明显，而NBTI特性的下降会引起器件的阈值电压绝对值增大、截止电流(Itjff)的绝对值增大，并会引起器件的饱和漏极电流和跨导(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极；在所述栅极两侧形成栅极侧墙；进行离子注入工艺，向所述半导体衬底、栅极以及栅极侧墙注入三氟化氮，并向所述半导体衬底中注入P型源漏掺杂离子；进行退火工艺，激活三氟化氮以及P型源漏掺杂离子，以在所述半导体衬底中形成源极区和漏极区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：冯军宏，甘正浩，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：