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本发明提供一种PMOS晶体管的制造方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成栅极；向所述半导体衬底、栅极以及栅极侧墙注入三氟化氮，向所述半导体衬底注入P型源漏掺杂离子；进行退火工艺。在进行退火工艺后三氟化氮被激活，氟离子在所述半导体衬底...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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