具有金属栅极的半导体元件及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种具有金属栅极的半导体元件及其制作方法，该半导体元件包括具有多个浅沟隔离的基底、至少一设置于该基底上的金属栅极、以及至少一对设置于该金属栅极两侧的辅助结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤指一种实施后栅极(gate last)工艺的。
技术介绍
在已知半导体产业中，多晶硅广泛地应用于半导体元件如金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor, M0S)晶体管中，作为标准的栅极材料选择。然而，随着MOS晶体管尺寸持续地微缩，传统多晶娃栅极因硼穿透(boron penetration)效应导致元件效能降低，及其难以避免的耗层效应(depletion effect)等问题,使得等效的栅极介电层厚度增加、栅极电容值下降，进而导致元件驱动能力的衰退等困境。因此，半导体业界进一步尝试新的栅极材料，例如利用具有功函数(work function)金属的导体来取代传统的多晶硅栅极，用以作为匹配高介电常数(high-K)栅极介电层的控制电极。而金属栅极结构的制作方法可大致分为前栅极(gate first)工艺及后栅极(gatelast)工艺两大类。其中前栅极工艺会在形成金属栅极结构后始进行源极/漏极超浅结面活化回火以及形成金属硅化物等高热预算工艺，因此使得材料的选择与调整面对较多的挑战。为避免上述高热预算环境并获得较宽的材料选择，业界提出以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有金属栅极的半导体元件的制作方法，包括：提供基底，该基底内形成有多个浅沟隔离，该基底上形成有多晶硅层；图案化该多晶硅层，以于该基底上形成至少一虚置栅极以及至少一对辅助结构，该多个辅助结构分别设置于该虚置栅极的两侧，且分别设置于该多个浅沟隔离上；于该基底上形成至少一个半导体元件，且该半导体元件包括该虚置栅极；于该基底上形成介电层结构；以及移除部分该介电层结构以暴露出该半导体元件的该虚置栅极与该多个辅助结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐俊伟，黄柏诚，蔡腾群，许嘉麟，林志勋，陈彦铭，陈佳禧，龚昌鸿，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：