一种基于金刚石薄膜上沉积CdTe薄膜的方法技术

本发明专利技术公开一种基于金刚石薄膜上沉积CdTe薄膜的方法。具有以下工艺步骤：首先，将硅衬底/金刚石薄膜进行清洗预处理；之后，将预处理后的金刚石薄膜放入紫外臭氧清洗机中进行表面修饰与改性，降低薄膜表面的带隙与表面态，提高薄膜结合力；之后，进行CdTe薄膜沉积，沉积工艺参数：衬底温度为450～500℃，源温度为550～650℃，沉积室压强为500～1500Pa，沉积时间1～2分钟；CdTe薄膜沉积结束后CdCl2退火处理20～30分钟。通过该方法可以在金刚石薄膜表面沉积高质量的CdTe薄膜，从而实现金刚石薄膜表面CdTe薄膜的高效沉积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基于金刚石薄膜上沉积CdTe (碲化镉)薄膜的方法，属于无机化合物薄膜材料制造工艺

技术介绍
能源和环境问题是近十几年来世界关注的焦点，“节能减排、可持续发展”已是当今世界的共识和发展趋势。我国已把“节能减排、安全环保、发展循环经济、推广低碳技术”作为“十二五”期间能源利用与发展的重点方向和目标。我国从1958年开始研制太阳能电池到现在已有50多年的历史，现在已有多种材料的太阳电池已进入产业化，使用最广泛的还是晶体硅太阳能电池，但是由于晶体硅太阳能电池的原材料使用量非常大并且多晶硅的生产耗能高、污染严重。目前国家比较重视薄膜太阳能电池的开发与应用。CdTe是一种非常具有应用前景的化合物半导体光伏材料，具有良好的直接带隙(1.45eV)与太阳光谱匹配较好，最适合于光电能量转换，最高理论转换效率在大气质量AMl. 5条件下高达27%。CdTe容易沉积成大面积薄膜，沉积速率非常高，适量掺杂Cd元素可以有效改善CdTe薄膜的晶形，显著提高薄膜的电导特性，由弱P型电导转变为导电性能良好的η型电导，而且对光能隙基本没有影响，目前η型CdTe薄膜的沉积技术已经非常成熟本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于金刚石薄膜上沉积CdTe薄膜的方法，其特征在于：采用紫外臭氧氧化的方法对金刚石薄膜表面进行修饰与改性，以提高异质薄膜之间的结合力，该方法具有以下步骤：a.？金刚石薄膜表面预处理：采用硅衬底负载金刚石薄膜作为CdTe薄膜的沉积衬底，采用丙酮超声清洗5~15min，去除金刚石薄膜表面的油脂，然后去离子水超声清洗10~20min去除表面杂质，最后将金刚石薄膜烘干后放入干燥器中备用；b.？金刚石薄膜表面改性与修饰：将预处理好的金刚石薄膜放入紫外臭氧清洗机中进行表面改性与修饰，紫外线波长185nm和254nm，温度50~150℃，处理时间1~8min；c.？CdTe薄膜的沉积：在表面修饰和改性后...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：苏青峰，史伟民，王林军，黄健，周平生，李杰，袁安东，钱隽，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：