半导体存储装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体存储装置及其制造方法。半导体存储装置包括半导体基板。多个单元晶体管设置在半导体基板上。接触插头在相邻的单元晶体管间埋入，与处于该相邻的单元晶体管间的扩散层电连接。层间绝缘膜埋入多个接触插头间。存储元件不设置在接触插头的上方，而设置在层间绝缘膜的上方。侧壁膜覆盖存储元件的侧面的至少一部分，从半导体基板的表面上方看时，与接触插头重叠。下部电极设置在存储元件的底面和层间绝缘膜之间及侧壁膜和接触插头之间，电连接存储元件和接触插头。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及。
技术介绍
作为电阻变化型存储器之一有磁随机存取存储器(MRAM (Magneti c RandomAccess Memory))。MRAM的写入方式有磁场写入方式及自旋注入写入方式。其中，自旋注入写入方式具有随着磁性体的尺寸越小而磁化反相所必要的自旋注入电流越小的性质，因此有利于高集成化、低消耗功率化及高性能化。自旋注入写入方式的MTJ (Magnetic Tunnel Junction :磁隧道结)元件具有2个强磁性层和被这些夹持的非磁性阻挡层(绝缘薄膜)组成的层叠构造，通过自旋极化隧道效应导致的磁阻变化，存储数字数据。MTJ元件通过2个强磁性层的磁化排列，可成为低电阻状态和高电阻状态。2个强磁性层的磁化排列为平行状态(P(Parallel)状态)的场合，MTJ元件成为低电阻状态，2个强磁性层的磁化排列为反平行状态(AP(Anti Parallel)状态)的场合，MTJ元件成为高电阻状态。这样的MRAM中，期望通过细微化实现大容量化、性能提高及成本削减。随着进一步细微化，接触孔的纵横比变大，容易在金属组成的接触插头内发生接缝或孔洞。在具有接缝、孔洞的接触插本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储装置，其特征在于，包括：半导体基板；多个单元晶体管，设置在上述半导体基板上；接触插头，在相邻的上述单元晶体管间埋入，与处于该相邻的单元晶体管间的扩散层电连接；层间绝缘膜，埋入多个上述接触插头间；存储元件，不设置在上述接触插头的上方，而设置在上述层间绝缘膜的上方；侧壁膜，覆盖上述存储元件的侧面的至少一部分，从上述半导体基板的表面上方看时，以与上述接触插头重叠的方式设置；下部电极，设置在上述存储元件的底面和上述层间绝缘膜之间及上述侧壁膜和上述接触插头之间，电连接上述存储元件和上述接触插头。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金谷宏行，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：