本实用新型专利技术公开了一种新型功率半导体器件，包括功率半导体器件及其散热片，所述散热片外侧的左右两端为斜角倒角或圆弧倒角，所述斜角倒角与水平方向的夹角为12°～15°或所述圆弧倒角的圆形弧度与相邻两侧散热片的侧边相切。该新型功率半导体器件，由于将散热片外侧两端的直角改为与水平方向成12°～15°的斜角倒角或者与相邻两侧散热片的侧边相切的圆弧倒角，这样削除了散热片外侧两端锋利的尖角，使功率半导体器件在PCB基板上装配和使用过程中，聚氨酯绝缘膜消除了集中受力点，从而有效避免了绝缘层的破裂现象，保障了功率半导体器件的使用寿命和电性能的可靠性。而且加工工艺简捷，不影响生产效率，可以广泛的推广应用。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及ー种功率半导体器件，尤其涉及一种关于散热片构造的新型功率半导体器件。
技术介绍
功率器件(Power Devicer),是专门用来放大电流或电压的半导体器件,其特点是大电流、高电压、低功耗，主要用于AC —AC转换、DC —DC转换，功率放大、功率开关、线路保护和整流等，由于其強大的功能而广泛应用于人们的日常生活和机械自动化控制的各种 领域。在产品组装过程中，对散热片的绝缘提出了更高的要求，因此在产品外形设计和应用装配中，如何解决散热片对绝缘膜破裂(刺穿)的问题成为产品应用过程中突出的问题。IPAK、SIPAK或T0-251功率半导体器件，在PCB基板上装配组装整机时，要在散热片与PCB基板之间贴ー层聚氨酯绝缘薄膜，以达到绝缘效果，从而保障功率半导体器件的绝缘性能。现有技术中的IPAK、SIPAK或T0-251功率半导体器件，在PCB基板上装配和使用过程中，散热片两端锋利的尖角会划破包裹在PCB基板上的聚氨酯绝缘层，造成器件内部电荷的流失和外部电荷的侵入，严重影响了整机的使用性能。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种可以避免功率半导体器件在PCB基板装配和使用过程中导致绝缘层破裂的新型功率半导体器件。为实现上述目的，本技术采取的技术方案是—种新型功率半导体器件，包括功率半导体器件及其散热片，所述散热片外侧的左右两端为斜角倒角，所述斜角倒角与水平方向的夹角为12° 15。ー种新型功率半导体器件，包括功率半导体器件及其散热片，所述散热片外侧的左右两端为圆弧倒角，所述圆弧倒角的圆形弧度与相邻两侧散热片的侧边相切。所述功率半导体器件为IPAK、SIPAK或T0-251直插式功率半导体器件。采用本技术提供的新型功率半导体器件，由于将散热片外侧两端的直角改为与水平方向成12° 15°的斜角倒角或者将散热片外侧两端的直角改为与相邻两侧散热片的侧边相切的圆弧倒角，这样削除了散热片外侧两端锋利的尖角，使功率半导体器件在PCB基板上装配和使用过程中，聚氨酯绝缘膜消除了集中受力点，从而有效避免了绝缘层的破裂现象，保障了功率半导体器件的使用寿命和电性能的可靠性。而且加工エ艺简捷，不影响生产效率，可以广泛的推广应用。附图说明图I为本技术的结构示意图。图2为本技术的另ー种结构示意图。图3为本技术的使用状况參考图。图中1-功率半导体器件，2-散热片，3-斜角倒角，4-圆弧倒角，5-聚氨酯绝缘膜，6-PCB基板，7-电子元器件。具体实施方式下面结合具体实施例及其附图，对本技术作进ー步的详细说明，但本技术的实施方式不限于此。如图I所示，本技术提供的ー种新型功率半导体器件，包括IPAK、SIPAK或T0-251直插式功率半导体器件I及其散热片2，散热片2外侧的左右两端为斜角倒角3，斜角倒角3与水平方向的夹角为12° 15°。如图2示，本技术提供了另ー种新型功率半导体器件，包括IPAK、SIPAK或 T0-251直插式功率半导体器件I及其散热片2，散热片2外侧的左右两端为圆弧倒角4，圆弧倒角4的圆形弧度与相邻两侧散热片的侧边相切。从力学角度进行分析，散热片2的斜角倒角3或圆弧倒角4与直角倒角相比，明显可以增加接触面的受カ面积，从而減少散热片2外层聚氨酯绝缘膜5受カ部位的塑性变形，増加聚氨酯绝缘膜5的抗拉强度。如图3所示，是本技术的使用状况參考图，在三层重叠装配的电路板上，PCB基板6的底面贴有聚氨酯绝缘膜5，顶部焊接有电子元器件7，IPAK功率器件I的散热片2插入PCB基板6上，由于散热片2的外侧倒角是斜角倒角3或圆弧倒角4，可有效的预防第ニ层和第三层聚氨酯绝缘膜5的划伤及破裂现象。以上所述的仅是本技术的较佳实施例，并不局限本技术。应当指出对于本领域的普通技术人员来说，在本技术所提供的技术启示下，还可以做出其它等同变型和改进，均可以实现本技术的目的，都应视为本技术的保护范围。权利要求1.ー种新型功率半导体器件，包括功率半导体器件(I)及其散热片(2)，其特征在干，所述散热片(2)外侧的左右两端为斜角倒角(3)，所述斜角倒角(3)与水平方向的夹角为12。 15° 。2.ー种新型功率半导体器件，包括功率半导体器件(I)及其散热片(2)，其特征在干，所述散热片(2)外侧的左右两端为圆弧倒角(4)，所述圆弧倒角(4)的圆形弧度与相邻两侧散热片的侧边相切。3.根据权利要求I或2所述的ー种新型功率半导体器件，所述功率半导体器件(I)为IPAK、SIPAK或T0-251直插式功率半导体器件。专利摘要本技术公开了一种新型功率半导体器件，包括功率半导体器件及其散热片，所述散热片外侧的左右两端为斜角倒角或圆弧倒角，所述斜角倒角与水平方向的夹角为12°～15°或所述圆弧倒角的圆形弧度与相邻两侧散热片的侧边相切。该新型功率半导体器件，由于将散热片外侧两端的直角改为与水平方向成12°～15°的斜角倒角或者与相邻两侧散热片的侧边相切的圆弧倒角，这样削除了散热片外侧两端锋利的尖角，使功率半导体器件在PCB基板上装配和使用过程中，聚氨酯绝缘膜消除了集中受力点，从而有效避免了绝缘层的破裂现象，保障了功率半导体器件的使用寿命和电性能的可靠性。而且加工工艺简捷，不影响生产效率，可以广泛的推广应用。文档编号H01L23/367GK202662588SQ20122021448公开日2013年1月9日 申请日期2012年5月14日 优先权日2012年5月14日专利技术者李明奂 申请人:天水华天微电子股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种新型功率半导体器件，包括功率半导体器件（1）及其散热片（2），其特征在于，所述散热片（2）外侧的左右两端为斜角倒角（3），所述斜角倒角（3）与水平方向的夹角为12°～15°。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李明奂，
申请(专利权)人：天水华天微电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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