【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装
，特别是涉及一种平板型IGBT模块封装结构。
技术介绍
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT (双极型三极管)和MOS (绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；M0SFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，在现代电力电子技术中得到了越 来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。平板型IGBT模块主要应用于高压直流输变电领域，该模块可用于多个模块串联，可实现积木堆栈结构、功率大等特点。在直流输变电系统中，常将许多模块串联使用，也就是把模块堆叠成一串，因此，每个模块在机械结构上需要分散很大的力。而这种力主要集中在顶盖、外壳、底板上，顶盖、底板均为平板设计，那么压力主要承受在外壳上，外壳设计的优劣直接关系了模块是否能够承受很大的安装力。因此...
【技术保护点】
一种平板型IGBT模块封装结构，包括平行设置的顶盖和底板，其特征在于，所述封装结构还包括安设于所述顶盖和底板之间的外壳，所述外壳由若干边框一体成型，边框与顶盖和底板形成用于收容IGBT模块的收容空间，所述相连的边框内侧设为圆角结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李先亮，张红卫，
申请(专利权)人：西安永电电气有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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