【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及ー种新型应用膜内阻挡层结构来进行介电质膜刻蚀的エ艺。
技术介绍
目前，在进行双大马士革エ艺中，为了降低介电质膜刻蚀エ艺中的负载效应，需要在介电质膜沉积时引入介电质膜保护层，以降低由于芯片上不同位置刻蚀速率存在差异而产生的负载效应。图1-8为本专利技术
技术介绍
中传统介电质膜刻蚀エ艺流程结构示意图；如图1-8所示，首先，在具有半导体结构的衬底11上从下至上顺序依次沉积底部刻蚀阻挡层12、第一介电质膜13、介电质膜阻挡层14和第二介电质膜15 ;其次,旋涂光刻胶16覆盖第二介电质 膜15，并进行曝光和显影，从而形成具有通孔图案的光阻16，并以该光阻16为掩膜，依次刻蚀第二介电质膜15、介电质膜保护层14和第一介电质膜13至部分底部刻蚀阻挡层12中，去除光阻16后，形成位于剩余第二介电质膜151、剰余介电质膜保护层141、剰余第一介电质膜131和剰余底部刻蚀阻挡层121中的通孔17 ;之后，利用抗反射层18充满通孔17直至覆盖剩余第二介电质膜151的上表面后，通过回刻エ艺去除第二介电质膜151表面的抗反射层18后，使得剰余的抗反射层...
【技术保护点】
一种新型应用膜内阻挡层结构来进行介电质膜刻蚀的工艺，应用于双大马士革工艺中，其特征在于，于一具有半导体结构的衬底上制备第一介电质膜；制备介电质膜阻挡层覆盖所述第一介电质膜的上表面；采用光刻工艺，并根据后续工艺需求设置光阻图案，部分去除所述介电质膜阻挡层；继续制备第二介电质膜覆盖剩余介电质膜阻挡层和暴露的第一介电质膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄海，张瑜，盖晨光，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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