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本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种新型应用膜内阻挡层结构来进行介电质膜刻蚀的工艺。本发明实施例一种新型应用膜内阻挡层结构来进行介电质膜刻蚀的工艺，首先通过对膜内刻蚀阻挡层的有效区域进行图形化预定义，并将非有效区域进行刻蚀，而有效区域在后...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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