一种光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法技术

技术编号:8191724 阅读:221 留言:0更新日期:2013-01-10 02:29
本发明专利技术涉及一种量测晶圆检测机台稳定性和精确性的监控方法,尤其涉及一种光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法。本发明专利技术一种光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法利用标准片上若干同一位置在按规定标注所得的刻度值与经检测机台测量所得的刻度值对比,依据所得的对比值量测检测机台自身的稳定性和精确性,本发明专利技术有利于提高晶圆缺陷检测的精确率,从而降低晶圆报废率,提高生产效益。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种量测晶圆检测机台稳定性和精确性的监控方法,尤其涉及。
技术介绍
随着集成电路工艺的发展和检测机台性能的不断提高,工厂开始重视检测晶圆边缘的缺陷情况。现行的一种快速有效的工艺步骤品质监控方法是利用CV300R检测机台对经过边缘曝光和边胶去除程序后的晶圆边缘进行缺陷检测。因此,保证检测机台自身的稳定性和精确性显得至关重要。但是,目前业内CV300R检测机台采用的自身检测方法过于简单,不能实际反映检测机台自身的稳定性和精确性。 已有的CV300R检测机台采用的自身检测方法是通过使用与检测机台匹配的标准片,该标准片的正面、侧面和背面均包含一定数目的粒子,粒子在晶圆表面不能移动。检测机台通过日常检测获得该标准片的正面、侧面和背面大小为Ium的粒子总数目,将测量得到的Ium的粒子数值与Ium的粒子基准数目进行比较,比较所得的比值结果在(90%,110%)之间时表示检测机台符合标准,检测机台可以正常使用。但是,这种检测方法下所得的检测结果只能大致反映检测机台对颗粒状缺陷的捕捉能力,而无法体现出对于硅片边缘的厚度检测的稳定性。
技术实现思路
针对上述存在的问题,本专利技术的目的提供,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻晶圆洗边和边胶去除量测稳定性的监控方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:选取一裸晶圆;步骤2:以所述裸晶圆边缘处为起点,分别从0°、80°、180°和270°四个角度到所述裸晶圆中心位置的0?5000μm距离内,以1000μm为单位在所述裸晶圆上标注刻度线;步骤3:?以所述裸晶圆上的所述四个角度标注的刻度线上的各3000μm处为参照点,所述参照点分别为第一参照点、第二参照点、第三参照点、第四参照点;?步骤4:分别计算经检测后的所述裸晶圆上在所述第一参照点、第二参照点、第三参照点、第四参照点处得到的测量值,所述测量值对应分别为第一测量值、第二测量值、第三测量值、第四测量值;步骤5:计算...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:朱陆君倪棋梁陈宏璘
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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