一种增大MOM电容密度的制造工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种增大MOM电容密度的制造工艺方法，步骤包括：步骤1，在硬掩膜层上生长一层刻蚀调整层,；步骤2，定义出MOM电容所在区域的光罩；步骤3，将MOM电容所在区域的刻蚀调整层去除；步骤4，按照通用工艺进行MOM电容结构的通孔成形、金属铜填充和化学机械研磨；刻蚀调整层是一种高刻蚀选择比的金属或金属化合物组成的单层薄膜或多层复合薄膜；本发明专利技术的有益效果是：通过引入刻蚀调整层，使MOM电容区的剩余介质厚度减小，从而达到地套电容密度的目的。可以通过调节刻蚀调整层的厚度和刻蚀参数来达到合适的、所需的电容密度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及MOM电容制造
，尤其涉及一种增大MOM电容密度的制造工艺方法。
技术介绍
随着半导体集成电路制造技术的不断进步，性能不断提升的同时也伴随着器件小型化和微型化的进程。电容器是集成电路中的重要组成单元，广泛运用于存储器，微波，射频，智能卡，高压和滤波等芯片中，具体用途有带通滤波器，锁相环，动态随机存储器等等。集成电路芯片中的电容结构多种多样，如MOS (metal-oxi de-semi conductorField,金属-氧化物-半导体)场效应管电容，PIP (poly-insulator-poly,聚乙烯-绝缘 体-聚乙烯)电容,可变结电容以及后段互连中的MIM(metal-insulatOr-metal,金属-绝缘体-金属)电容和M0M(metal-oxide-metal,金属-氧化物_金属)电容。存在于后段互连层中的电容结构不占用器件层的面积，且电容的线性特征要远好于其他类型的电容。目前最常见的后段电容结构有两种结构如图I所示的MIM平板电容模型，其最简单的结构是将水平方向平行的金属板叠成数层置于AB两级之间，将介电层间隔于金属板之间，这样所形成的堆叠结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种增大MOM电容密度的制造工艺方法，所述MOM电容结构包括电容区和铜互连区；所述MOM电容结构经薄膜沉积后形成刻蚀阻挡层、低介电常数的介质层和金属硬掩膜层，所述金属硬掩膜层包括缓冲层、硬掩膜层和上覆层；其特征在于，步骤包括：步骤1，在所述硬掩膜层上增加刻蚀调整层；步骤2，定义出所述MOM电容所在区域的光罩；步骤3，将所述MOM电容所在区域的刻蚀调整层去除；步骤4，按照通用工艺进行所述MOM电容结构的通孔成形、金属铜填充和化学机械研磨；所述刻蚀调整层是一种高刻蚀选择比的金属或金属化合物组成的单层薄膜或多层复合薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张亮，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：