刻蚀高深度光波导的制备工艺制造技术

一种刻蚀高深度光波导的制备工艺，包括以下步骤：1）用沉积法，在衬底上制备掺杂的芯层，形成平板光波导；2）用光刻工艺，在步骤1）制取的平板光波导上获得与掩模版图形相反的光刻胶掩模；3）用溅射工艺，在步骤2）获取的样品表面制备金属掩模；4）清洗去除与掩模版图形相反的光刻胶掩模及金属掩模；5）用光刻工艺，在步骤4）制作的金属掩模层上，再增加与金属掩模层具有相同图形的光刻胶层，6）使用RIE设备，通入SF4、CHF3、O2、He气体，制作光波导芯层；7）制作上包层。与标准工艺相比，这种方法可利用普通反应离子刻蚀设备制作高深度光波导，且制作的光波导具有垂直的侧壁，侧壁角度大于87度，小于93度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高深度光波导的制作方法，更确切地说是通过在平板光波导上制作双重掩模的方法制作高深度光波导。属于光器件、集成光学领域。
技术介绍
发展高速率大容量的信息高速公路已成为当今世界各国竞相研究和发展的目标，光纤网络是信息网络的主体和骨架。随着我国三网融合工程的推进，基于无源光接入网的光纤到户工程建设，蕴含着巨大的商机和发展前景。其中光功分器是超大容量光通信系统和三网融合平台系统的关键部件，光通信网络的所有分支和接点连接均由PLC型MX N光功分器完成和实现光纤入户。通常制作玻璃基二氧化硅光波导的过程(图I)为首先在玻璃基片(11)上制作一层光波导的芯层(12)，在光波导的芯层上面制作光波导的掩模图形(13)，通过反应离子刻蚀工艺(RIE)得到条形或脊型光波导芯层(12)，最后制作光波导的上包层(15)。采用这种工艺可以获得高性能的集成光波导器件，但采用这种方式所能获得的光波导高度一般小于4微米。而目前通常采用的光分路器产品标准高度为8微米。这时一般采用感应耦合离子刻蚀工艺进行刻蚀，采用感应耦合离子刻蚀设备的成本和维护费用极其昂贵，不仅提高了分路器的成本，也限制了该方法的广本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种刻蚀高深度光波导的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤1），用沉积法，在作为光波导结构中的衬底层（11）的二氧化硅隔离层上制备掺杂III？V族元素或稀土元素的二氧化硅层，并以此作为光波导结构中的芯层，形成平板光波导（12）；步骤2）通过光刻工艺，旋涂光刻胶，一次掩模版曝光后进行二次空曝，在步骤1）制取的平板光波导（12）上获得与掩模版图形相反的光刻胶掩模（13b）；步骤3）通过溅射工艺，在与掩模版图形相反的光刻胶掩模（13b）表面上形成金属掩模（14b），同时在平板光波导（12）表面上形成与掩模版图形相同的金属掩模层（14a）；步骤4）清洗去除与掩模版图形相反的光刻胶掩模（13b）及金...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：柏宁丰，许正英，孙小菡，蒋卫锋，刘旭，胥爱民，吴体荣，
申请(专利权)人：东南大学，南京华脉科技有限公司，
类型：发明
国别省市：