【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
目前,透明导电膜虽然主要是使用含有铟的ITO(氧化铟锡),但是In是一种可采蕴藏量为三千吨的稀少元素,因此也有如果提前,则可采蕴藏量即将在2011年至2013年的时候被耗尽的预测,因此正在进行不使用In的ITO替代材料的研究。导电性高分子的导电率是已有惊人的改善,因此导电性高分子是有希望用作为ITO的替代材料。该导电性高分子是具有导电性、光的透射性、发光性、成膜后也呈可挠性的特征,因此已在进行对于透明导电膜、电解电容器、抗静电剂、电池、及有机EL元件等的应用的研究,且有一部分已付诸实用化。 通过使用比电解电容器的电解液的导电性为高且稳定性也高的导电性高分子,可制造频率特性能够改善且耐热性也优异的电解电容器。通过将导电性高分子成膜在聚合物膜的表面,可在仍然保持着透明性的状态下防止静电,因此这样的导电性高分子一直被用作使用方便性优良的抗静电膜或抗静电容器。将导电性高分子用作二次电池的正极,被用于锂聚苯胺电池或锂离子聚合物电池坐寸ο有一种将导电性高分子使用于发光层的高分子有机EL显示器,通过基板使用塑料而不是玻璃,可制得挠性的显示器。另外, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:西村康雄,井原孝,田口裕务,
申请(专利权)人:鹤见曹达株式会社,东亚合成株式会社,
类型:
国别省市:
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