导电性高分子蚀刻用墨液及导电性高分子的图案化方法技术

本发明专利技术的目的在于提供对导电性高分子具有优异的蚀刻能力、所得到的图案的精度高的导电性高分子蚀刻用墨液、以及使用前述导电性高分子蚀刻用墨液的导电性高分子的图案化方法。本发明专利技术的导电性高分子蚀刻用墨液，其特征在于，其包含导电性高分子用蚀刻剂、增稠剂、及水系介质。另外，本发明专利技术的导电性高分子的图案化方法是使用前述导电性高分子蚀刻用墨液的图案化方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
目前，透明导电膜虽然主要是使用含有铟的ITO(氧化铟锡)，但是In是一种可采蕴藏量为三千吨的稀少元素，因此也有如果提前，则可采蕴藏量即将在2011年至2013年的时候被耗尽的预测，因此正在进行不使用In的ITO替代材料的研究。导电性高分子的导电率是已有惊人的改善，因此导电性高分子是有希望用作为ITO的替代材料。该导电性高分子是具有导电性、光的透射性、发光性、成膜后也呈可挠性的特征，因此已在进行对于透明导电膜、电解电容器、抗静电剂、电池、及有机EL元件等的应用的研究，且有一部分已付诸实用化。 通过使用比电解电容器的电解液的导电性为高且稳定性也高的导电性高分子，可制造频率特性能够改善且耐热性也优异的电解电容器。通过将导电性高分子成膜在聚合物膜的表面，可在仍然保持着透明性的状态下防止静电，因此这样的导电性高分子一直被用作使用方便性优良的抗静电膜或抗静电容器。将导电性高分子用作二次电池的正极，被用于锂聚苯胺电池或锂离子聚合物电池坐寸ο有一种将导电性高分子使用于发光层的高分子有机EL显示器，通过基板使用塑料而不是玻璃，可制得挠性的显示器。另外，空穴传输层也可使用导电性高分子。包括高分子有机EL显示器的有机EL显示器，由于其是自发光的显示器，因而视角广阔、容易薄型化、且具有色的再现性优异。此外，由于通过空穴和电子的再结合而发光，因此响应速度快。有机EL显示器由于具有如上所述的优异特征，因此是一种将来有希望的显示器。另外，可使用导电性高分子来制作二极管或晶体管等的电子元件，且正在进行提高性能的研究。通过将导电性高分子替代白金而用作为色素敏化型太阳电池的二氧化钛的对置电极，从而以开发一种比目前的主流的利用硅的太阳电池更为价廉的太阳电池为目标而正在进行研究。如上所述，导电性高分子对于将来的电子产业而言，是一种有益的材料，且导电性高分子的图案化方法是在使用导电性高分子时的重要的技术。作为使导电性高分子图案化的方法，例如，使用包含导电性材料的液状体材料的方法记载在专利文献I及2中。专利文献I中公开了一种瓦片(tile)状元件用配线形成方法，其是在将至少具有电极的同时具有瓦片形状的瓦片状元件与至少具有电极的基板接合而形成电路装置的情况下，在形成将该瓦片状元件的电极与该基板的电极电连接的电配线时所使用的瓦片状元件用配线形成方法，其中，利用喷墨喷嘴、分配器，对前述基板及瓦片状元件的至少一方的表面的形成前述电配线的区域即配线区域的至少一部分印刷包含导电性材料的液状体材料，由此形成瓦片状元件用配线。另外，对比文件I中并没有公开利用蚀刻进行图案化所需的方法、墨液组合物等。另外，专利文献2中记载了如下方法在支撑体上应用含有10 5000mg/m2的导电性聚合物的层来制作导电性层的方法、以及使用含有选自C10_、Br0_、MnO4'Cr2O厂、S2O8―及H2O2中的氧化剂的印刷溶液，在前述层上印刷电极图案的方法。另外，作为蚀刻氧化物膜的方法，可列举出例如在专利文献2中记载的方法。专利文献3中公开了氯化铁(III)或氯化铁(III)六水合物在用于氧化物表面蚀刻的组合物中作为蚀刻成分的用途。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2005-109435号公报 专利文献2 :日本特开2001-35276号公报专利文献3 日本特表2008-547232号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题然而，在专利文献I中记载的方法中，由于导电性高分子难溶于溶剂，因而存在墨液的制备困难、喷嘴容易堵塞等问题。另外，在专利文献2中记载的方法中，存在所得到的图案化的精度差的问题。进而，在专利文献3中记载了如下方法使用分配器、丝网，对ITO等的氧化膜印刷包含氯化铁化合物的水系糊剂，利用蚀刻除去氧化膜，由此进行图案化，但对比文件3中并没有公开适于导电性高分子蚀刻用墨液的墨液组成、特性。本专利技术的目的是提供具有对导电性高分子具有优异的蚀刻能力、所得到的图案的精度高的导电性高分子蚀刻用墨液、以及使用前述导电性高分子蚀刻用墨液的导电性高分子的图案化方法。用于解决问题的方法本专利技术者们为了克服上述现有技术中的问题进行深入研究，结果发现通过以下的〈1>、〈8>、〈12> 〈15>或〈20>能够完成上述课题，从而完成本专利技术。以下一并记载优选的实施方式即<2> 〈7>、<9> 〈11>、和<16> <19>以及<21> 〈23>。〈1> 一种导电性高分子蚀刻用墨液，其特征在于，其包含导电性高分子用蚀刻剂、增稠剂、及水系介质；<2>根据上述〈1>所述的导电性高分子蚀刻用墨液，其中，前述导电性高分子用蚀刻剂为选自(NH4)2Ce (NO3)6^ Ce (SO4) 2、(NH4) 4Ce (SO4) 4、亚硝酰氯、溴酸化合物、氯酸化合物、高锰酸化合物、6价铬化合物、及次氯酸盐中的化合物；<3>根据上述〈1>或〈2>所述的导电性高分子蚀刻用墨液，其中，前述导电性高分子用蚀刻剂为选自(NH4)2Ce (NO3) 6、Ce (SO4) 2、(NH4)4Ce (SO4) 4、高锰酸化合物、及次氯酸盐中的化合物；<4>根据上述〈1> 〈3>中任一项所述的导电性高分子蚀刻用墨液，其中，前述增稠剂选自二氧化硅粒子、氧化铝粒子、二氧化硅粒子与氧化铝粒子的混合物、及表面活性剂中的增稠剂；<5>根据上述<1> 〈4>中任一项所述的导电性高分子蚀刻用墨液，其中，前述增稠剂为选自二氧化硅粒子、氧化铝粒子、及二氧化硅粒子与氧化铝粒子的混合物中的增稠剂；<6>根据上述<1> 〈4>中任一项所述的导电性高分子蚀刻用墨液，其中，前述增稠剂为表面活性剂；<7>根据上述<1> 〈6>中任一项所述的导电性高分子蚀刻用墨液，其中，前述水系介质为水；〈8>—种导电性高分子的图案化方法，其特征在于，其包括如下工序，S卩，在基材上形成导电性高分子的膜的成膜工序、对前述膜中的要除去导电性高分子的区域赋予上述<1> 〈7>中任一项所述的导电性高分子蚀刻用墨液的印刷工序、利用前述导电性高分子蚀刻用墨液对前述除去的区域的导电性高分子进行蚀刻的蚀刻工序、以及从基板上除去残留的导电性高分子蚀刻用墨液及导电性高分子的蚀刻残渣的除去工序； <9>根据上述〈8>所述的导电性高分子的图案化方法，其中，前述导电性高分子为选自聚乙炔类、聚对亚苯基类、聚对亚苯基亚乙烯类、聚亚苯基类、聚亚噻嗯基亚乙烯类、聚芴类、多并苯类、聚苯胺类、聚吡咯类、及聚噻吩类中的导电性高分子；〈10>根据上述〈8>或〈9>所述的导电性高分子的图案化方法，其中，前述导电性高分子为聚苯胺类、聚吡咯类或聚噻吩类；<11>根据上述〈8> 〈10>中任一项所述的导电性高分子的图案化方法，其中，前述导电性高分子为聚(3，4-乙烯二氧噻吩)。〈12> —种导电性高分子蚀刻用墨液，其特征在于，其包含(NH4)2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：西村康雄，井原孝，田口裕务，
申请(专利权)人：鹤见曹达株式会社，东亚合成株式会社，
类型：
国别省市：