二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法技术

本发明专利技术涉及二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法。该半导体激光元件可以准确、可靠并容易地形成通过分离槽被分离的第二电极和脊结构。二分型半导体激光元件的制造方法包括以下各工序：(A)在形成第一化合物半导体层(30)、构成发光区域(41)和可饱和吸收区域(42)的化合物半导体层(40)、以及第二化合物半导体层(50)之后，(B)在第二化合物半导体层(50)上形成带状的第二电极(62)，(C)接下来，将第二电极(62)作为蚀刻用掩膜，至少对第二化合物半导体层(50)的一部分进行蚀刻，形成脊结构，(D)然后，以湿蚀刻法在第二电极(62)上形成分离槽(62C)，并且通过分离槽将第二电极分离成第一部分(62A)和第二部分(62B)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及二分型(Bisection)半导体激光元件及其制造方法、以及二分型半导体激光元件的驱动方法。
技术介绍
由GaN系化合物半导体构成,并且发光波长为405nm带的高输出超短脉冲半导体激光元件作为体积型光盘系统的光源、或者医疗领域或生物成像领域等中所需要的光源而备受期待，其中所述体积型光盘系统被期待作为蓝光(Blu-ray)光盘系统的下一代光盘系 统。作为在半导体激光元件中产生短脉冲光的方法，主要有增益开关和锁模两种方法，锁模还被分为主动锁模和被动锁模。当基于主动锁模产生光脉冲时，需要利用镜子(mirror)或透镜构成外部共振器并且对半导体激光元件施加高频(RF)调制。另一方面，在被动锁模中，通过利用半导体激光元件的自脉动动作(Self Pulsation,自发振荡动作)，能够由简单的直流驱动生成光脉冲。为了使半导体激光元件进行自脉动，需要对半导体激光元件设置发光区域和可饱和吸收区域。在这里，能够根据发光区域和可饱和吸收区域的配置状态将半导体激光元件分类为将发光区域和可饱和吸收区域配置在垂直方向上的SAL(Saturable AbsorberLayer,可饱和吸收层)型或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二分型半导体激光元件，其中，包括：(a)层积结构体，所述层积结构体通过依次层积如下层来构成，即：具有第一导电型并且由GaN系化合物半导体构成的第一化合物半导体层、由GaN系半导体构成的构成发光区域和可饱和吸收区域的化合物半导体层、以及具有与第一导电型不同的第二导电型并且由GaN系化合物半导体构成的第二化合物半导体层；(b)形成在第二化合物半导体层上的带状的第二电极；以及(c)电连接在第一化合物半导体层上的第一电极，并且，第二电极通过分离槽被分离成第一部分和第二部分，其中第一部分用于通过使直流电流经由发光区域流向第一电极来使层积结构体形成正偏状态，第二部分用于对可饱和吸收区域施加电场，第二电...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：渡边秀辉，宫岛孝夫，池田昌夫，大木智之，仓本大，横山弘之，
申请(专利权)人：索尼公司，国立大学法人东北大学，
类型：发明
国别省市：