一种GaN衬底激光二极管的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种GaN衬底激光二极管的制造方法，其包括形成GaN衬底以及依次沉积n型包覆层、n型光导层、有源层、p型阻挡层、p型光导层和p型包覆层。其中形成GaN衬底的方法包括将GaN晶片放入高温高压装置中，对GaN晶片加热的同时加压，加热温度为820～880℃，加压压力为4.1~4.6GPa，保持10～15分钟；停止加热加压，使GaN晶片恢复至常温常压；在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaN晶片。该方法可以明显的减小激光二极管衬底中的晶体缺陷密度，提高激光二极管的性能和寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种激光二极管的制造方法。
技术介绍
激光二极管(LD)是ー种由半导体材料形成ニ极管，其基本结构包括衬底以及依次沉积在衬底上的P/N型包覆层、有源层和P/N型包覆层，以及N型和P型包覆层上的欧姆接触。衬底作为LD这座大厦的地基，具有重要的作用。蓝宝石是ー种常用的LD衬底，但由于其与其上的异相外延层的晶格和热应カ失配，发热后由于膨胀程度不同会崩裂，导致器件损坏。另外ー类LD衬底包括GaN，GaAs, InP等半导体材料。作为衬底的上述半导体材料中一般都会包括各种缺陷，例如位错、间隙或空位等，缺陷会引起晶体应变，应变会造成衬底上外延层的品质及性能降低，导致激光二极管的寿命缩短。多年来，随着半导体技术的发展，经过本领域技术人员的长期研究和实践，形成了较为完善的晶体生长エ艺流程，減少了半导体衬底材料生长过程中形成的缺陷密度。但是，人们还希望得到缺陷密度更低的衬底，制得性能更佳、寿命更长的激光二极管。如何进ー步減少或消除缺陷成为本领域急需解决的问题。
技术实现思路
为了克服现有技术中存在的缺陷，本专利技术提供了ー种GaN衬底激光二极管的制造方法，该方法可以明显的减小激光二极管衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GaN衬底激光二极管，包括n？GaN衬底，在衬底上依次沉积有n型包覆层、n型光导层和有源层，其特征在于，n型包覆层是n？AlaInbGa1？a？bN，其中0≤a，b，a+b≤1；n型光导层为n？AlcIndGa1？c？dN，其中0≤c，d，c+d≤1；有源层是超晶格结构的n？AleInfGa1？e？fN/n？AIgInhGa1？g？hN多量子阱层，其中0≤e，f，g，h，e+f，g+h≤1。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：虞浩辉，周宇杭，
申请(专利权)人：江苏威纳德照明科技有限公司，
类型：发明
国别省市：