一种发光二极管封装结构，包括电极、反射杯、发光二极管芯片和封装层。所述反射杯的中央形成一通孔，所述发光二极管芯片位于该通孔内，并与所述电极电性连接。该封装层填充于通孔内而将发光二极管芯片封装于其内部。该封装层包括与电极连接的一结合部及与结合部连接的一本体部。该结合部与电极之间的接触面积的大小大于该结合部于任意位置处的横截面面积的大小。该本体部从与结合部连接的位置处向远离结合部的方向逐渐增加。本发明专利技术还涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体结构，尤其涉及ー种。
技术介绍
目前发光二极管(Light Emitting Diode, LED)封装结构通常包括ー个反射杯结构，所述反射杯常设于基板的上方，该反射杯的中央设有ー收容该发光二极管于其内的通孔，该通孔内设有封装层。然而，这种发光二极管封装结构中，由于制成该反射杯的材料与制成基板的材料之间的附着力通常较小，基板与反射杯之间的结合不紧密而容易形成缝隙，使得水汽和灰尘等杂质容易沿该缝隙进入封装后的发光二极管封装结构中，从而造成发光二极管的失效，影响该发光二极管封装结构的寿命。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供ー种密封性更好的。ー种发光二极管封装结构，包括电极、反射杯、发光二极管芯片和封装层。所述反射杯的中央形成一通孔，所述发光二极管芯片位于该通孔内，并与所述电极电性连接。该封装层填充于通孔内而将发光二极管芯片封装于其内部。该封装层包括与电极连接的ー结合部及与结合部连接的一本体部。该结合部与电极之间的接触面积的大小大于该结合部于任意位置处的横截面面积的大小。该本体部从与结合部连接的位置处向远离结合部的方向逐渐增加。ー种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤 提供两电极，两电极相互间隔设置，且相互绝缘，在两电极上分別形成阻挡结构；在两电极ー侧形成反射杯，所述反射杯的底端与该阻挡结构连接，所述反射杯与所述电极围设形成一容置空间； 去除所述阻挡结构，在所述反射杯底端于设有所述阻挡结构的部位对应形成凹陷部；将发光二极管芯片设于所述容置空间中，并将发光二极管芯片与所述电极电性连接；在容置空间内形成一封装层，覆盖所述发光二极管芯片，所述封装层同时填满所述凹陷部。上述发光二极管封装结构的制造方法中，所述反射杯底部与所述电极接触的部分形成有凹陷部，所述封装层填满所述凹陷部，采用该制造方法所制造的发光二极管封装结构的封装层包括与电极连接的结合部及与结合部连接的本体部，该结合部与电极之间的接触面积的大小大于该结合部于任意位置处的横截面面积的大小，从而增大了封装层与电极的接触面积。由于封装层对金属的附着力大于反射杯对金属的附着力，更大的接触面积使得封装层与电极之间的密封性能进ー步增强，从而使外界的水汽和杂质难以进入到封装体内部，起到有效的防尘、防水的作用。同时封装层的本体部从与结合部连接的位置处向远离结合部的方向逐渐增加，使得发光二极管芯片的光线可顺利穿透所述封装层向外出射。附图说明图I是本专利技术第一实施方式提供的ー种发光二极管封装结构示意图。图2至图8是本专利技术第一实施方式提供的发光二极管封装结构的制造方法示意图。图9是本专利技术第二实施方式提供的ー种发光二极管封装结构示意图。图10是本专利技术第三实施方式提供的ー种发光二极管封装结构示意图。图11是本专利技术第四实施方式提供的ー种发光二极管封装结构示意图。 主要元件符号说明权利要求1.一种发光二极管封装结构，包括电极、反射杯、发光二极管芯片和封装层，所述反射杯的中央形成一通孔，所述发光二极管芯片位于该通孔内，并与所述电极电性连接，该封装层填充于通孔内而将发光二极管芯片封装于其内部，其特征在于，该封装层包括与电极连接的一结合部及与结合部连接的一本体部，结合部具有一个与电极接触的接触面，该结合部与电极之间的接触面积的大小大于该结合部任意与接触面平行的横截面的面积大小，该本体部从与结合部连接的位置处向远离结合部的方向逐渐增加。2.如权利要求I所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述结合部的尺寸从靠近电极的方向从下往上逐渐减小。3.如权利要求I所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述通孔包括靠近电极的第一部分及远离电极的第二部分，该第一部分的尺寸从靠近电极的方向从下往上逐渐减小，该第二部分的尺寸从第一部分的顶端向远离电极的方向从下往上逐渐增加。4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述第一部分的深度小于第二部分的深度。5.如权利要求I至4任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于还包括一基板，所述反射杯与基板分别位于电极的相对两侧，该基板上设有一绝缘部，所述电极的数量为两个，每一电极呈薄片状，分别位于绝缘部的相对两侧。6.如权利要求I至4任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于还包括一基板，所述反射杯与基板分别位于电极的相对两侧，该基板上设有一绝缘部，所述电极的数量为两个，每一电极呈U形，分别位于绝缘部的相对两侧。7.如权利要求I至4任一项所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述电极的数量为两个，每一电极分别呈平板状，两电极之间通过一绝缘部连接。8.如权利要求7项所述的发光二极管封装结构，其特征在于所述绝缘部靠近封装部的一端的相对两侧与电极接触的部分之间形成有凹陷部，所述封装层同时填满所述凹陷部。9.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤 提供两电极，两电极相互间隔设置，且相互绝缘，在两电极上分别形成阻挡结构； 在两电极一侧形成反射杯，所述反射杯的底端与该阻挡结构连接，所述反射杯与所述电极围设形成一容置空间； 去除所述阻挡结构，在所述反射杯底端于设有所述阻挡结构的部位对应形成凹陷部； 将发光二极管芯片设于所述容置空间中，并将发光二极管芯片与所述电极电性连接； 在容置空间内形成一封装层，覆盖所述发光二极管芯片，所述封装层同时填满所述凹陷部。10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于采用化学蚀刻的方法去除所述阻挡结构。全文摘要一种发光二极管封装结构，包括电极、反射杯、发光二极管芯片和封装层。所述反射杯的中央形成一通孔，所述发光二极管芯片位于该通孔内，并与所述电极电性连接。该封装层填充于通孔内而将发光二极管芯片封装于其内部。该封装层包括与电极连接的一结合部及与结合部连接的一本体部。该结合部与电极之间的接触面积的大小大于该结合部于任意位置处的横截面面积的大小。该本体部从与结合部连接的位置处向远离结合部的方向逐渐增加。本专利技术还涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。文档编号H01L33/48GK102856468SQ20111018176公开日2013年1月2日 申请日期2011年6月30日 优先权日2011年6月30日专利技术者陈滨全, 林新强 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光二极管封装结构，包括电极、反射杯、发光二极管芯片和封装层，所述反射杯的中央形成一通孔，所述发光二极管芯片位于该通孔内，并与所述电极电性连接，该封装层填充于通孔内而将发光二极管芯片封装于其内部，其特征在于，该封装层包括与电极连接的一结合部及与结合部连接的一本体部，结合部具有一个与电极接触的接触面，该结合部与电极之间的接触面积的大小大于该结合部任意与接触面平行的横截面的面积大小，该本体部从与结合部连接的位置处向远离结合部的方向逐渐增加。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈滨全，林新强，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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