本发明专利技术提供一种表面处理装置及方法，包含有传送装置及涌泉座。传送装置用以传输基板，且涌泉座分别与对应的传送装置组配形成第一积液空间，各涌泉座设置有注液口，注液口连通对应的第一积液空间，且第一积液空间可积存由注液口所注入的处理液，藉由传送装置所传输的基板其下表面可接触处理液，进行基板的表面处理工艺。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ー种基板，尤其涉及针对基板的单ー个面进行处理的装置及方法。
技术介绍
现代科技产品中半导体设备的应用相当广泛，尤其是通讯、计算机、网络、光电相关等电子设备中，半导体的硅基板存在是不可或缺的，而随着市场对这些电子产品的需求日益増加，如何快速、有效率的改良半导体的生产エ艺并提供足供应付市场需求的半导体组件是各家厂商努力的目标。在一般半导体生产エ艺中，会依硅基板应用所需的设计条件不同而エ艺各有差异，其中有湿式化学蚀刻エ艺，此种湿エ艺有多种エ艺上的应用，例如，光阻剂剥除、氮化硅及氧化硅的去除等。一般而言，湿式化学蚀刻的硬设备包括用以进行主蚀刻反应(main etch process)、中介清洗(intermediary wash)、漂洗(rinse),及干燥(drying)等多个处理工艺。而湿式蚀刻エ艺中有一种蚀刻方式是将娃基板浸入蚀刻液中，使蚀刻液同时将娃基板的上下两个表面同时进行蚀刻，另外ー种蚀刻方式则是针对硅基板的单ー个表面进行蚀刻エ艺，且不对基板上除了欲蚀刻表面以外的面进行处理，为达成此目的，在エ艺中蚀刻液只能触及被指定蚀刻的表面，若非指定面的表面受蚀刻液沾染影响时，会影响到半导体组件的整体功能性，甚至可能会导致的部分范围无法使用而必须放弃，所以硅基板进行单ー个面的蚀刻エ艺时，如何有效避免蚀刻液沾染波及非指定蚀刻的表面，成为业界一直关注的议题。现有技术中，对硅基板单ー个面进行蚀刻时避免非指定蚀刻面沾染到蚀刻液的方法有多种，有的技术是另附加保护层(如光阻剂或黏胶)于硅基板非指定蚀刻的面上，以避免エ艺中侵蚀液的沾染，然而此法于蚀刻完成后必须多一道清除保护层的エ艺，不仅増加エ艺上的繁琐，同时若清除不完全时还可能有残胶而造成硅基板表面的污染，或者是在清除保护层的过程中而使基板产生刮伤，十分不便。有鉴于此，如何针对上述现有针对基板单ー个面的蚀刻方法及装置所存在的缺点进行研发改良，让使用者能够更方便使用且制作成本降到最低，实为相关业界所需努力研发的目标。
技术实现思路
为了解决上述现有技术不尽理想之处，本专利技术提供了ー种基板表面处理蚀刻装置，包含多个传送装置及涌泉座，多个传送装置用以传输基板，基板具有下表面。涌泉座分别间隔排列，井分别与对应的传送装置组配形成有第一积液空间，且各涌泉座设置有注液ロ，而各注液ロ分别连通对应的第一积液空间，且各第一积液空间可积存由各注液ロ所注入的处理液，藉此，经由各传送装置所传输的基板的下表面可接触处理液。因此，本专利技术的主要目的是提供ー种基板表面处理装置，此种基板表面处理装置藉由涌泉座与传送装置所形成的第一积液空间，使基板的下表面藉由传送装置传送经过涌泉座时与处理液接触进行处理，达到处理基板指定单ー个面的效果。本专利技术的再一目的在是提供ー种基板表面处理装置，涌泉座与传送装置所形成的第一积液空间，于涌泉座设置注液ロ而持续将处理液注入第一积液空间，以有效保持第一积液空间内的处理液浓度，因此可达到提升基板表面处理均匀度的目的。此外，本专利技术再提供ー种基板表面处理方法，包含提供多个传送装置；提供至少ー个涌泉座，各涌泉座分别间隔排列，并设置有注液ロ，且各涌泉座可与对应的传送装置组配形成有第一积液空间；执行注液步骤，由各注液ロ将处理液注入至第一积液空间；执行表面处理步骤，由各传送装置传送基板依序通过各第一积液空间，以使各基板的下表面接触处理液。 因此，本专利技术的主要目的是提供ー种基板表面处理方法，此种基板表面处理方法藉由传送装置将基板传送通过涌泉座，再利用涌泉座与传送装置之间形成第一积液空间积存处理液，并使基板的下表面接触处理液以进行基板下表面的处理，达到处理基板单ー个面的效果。本专利技术的再一目的是提供ー种基板表面处理方法，涌泉座与传送装置所形成的第ー积液空间，于涌泉座设置注液ロ而持续将处理液注入第一积液空间，以有效保持第一积液空间内的处理液浓度，因此可达到提升基板表面处理均匀度的目的。附图说明图I,为本专利技术基板表面处理装置示意图；图2A，为本专利技术涌泉座立体示意图；图2B,为本专利技术多个第一翼板与ー个基座组合不意图；图3，为本专利技术包含第二翼板示意图；图4A,为本专利技术设置隔片不意图；图4B，为本专利技术设置隔片另ー实施态样示意图；图5A,为本专利技术设置阻隔条不意图；图5B，为本专利技术设置阻隔条另ー实施态样示意图；图6，为本专利技术基板表面处理方法流程图。主要组件符号说明基板表面处理装置I基板10下表面101处理液100传送装置11涌泉座12注液ロ121第一翼板122基座123挡板124第二翼板125排液ロ126第一积液空间13第二积液空间14隔片15隔片一端151 隔片ー侧152隔片另ー侧153阻隔条1具体实施例方式由于本专利技术公开ー种，以下文中所対照的附图，表达与本专利技术特征有关的结构示意，并未亦不需要依据实际尺寸完整绘制，事先声明。首先请參考图I，本专利技术第一实施例提供ー种基板表面处理装置I，包含有多个传送装置11及至少ー个涌泉座12。传送装置11可用来传输基板10，其所传送的基板10具有下表面101 ;涌泉座12分别间隔排列，井分别与对应的传送装置11组配形成第一积液空间13，且各涌泉座12设置有注液ロ 121，各注液ロ 121分别与其对应的第一积液空间13连通，而注液ロ 121可提供基板10表面处理时所需的处理液100，当注液ロ 121在每单位时间内所注入的处理液100的流量大于处理液100排出第一积液空间13的量时，则刚注入的处理液100会积存于第一积液空间13中，而先前注入的处理液100则溢流出第一积液空间13，藉此，传送装置11传送基板10通过涌泉座12时下表面101便可直接或间接地接触处理液100，以进行基板10下表面101的处理工艺。当然，由于注液ロ 121持续将尚未接触基板10的处理液100注入第一积液空间13，而接触过基板10的处理液100则溢流或排出该第一积液空间13，进而可有效保持第一积液空间13内的处理液100浓度，因此可达到提升基板10表面处理均匀度的目的。请ー并參考图2A，更进一歩地，该涌泉座12包含有第一翼板122及基座123，第一翼板122连设于基座123的ー侧,故第一积液空间13可藉由传送装置11、第一翼板122及基座123组配形成。再者，在本专利技术各实施例中所述的涌泉座12中，还可以包含至少ー档板124，各档板124分别设置于基座123的端部，使得文件板124与传送装置11、第一翼板122及基座123形成第一积液空间13，藉由档板124的设置而可提升该第一积液空间13的积液能力。此外,在本专利技术另一实施例中，涌泉座12亦可以为多个第一翼板122与一个基座123的组合(请參考图2B)，各第一翼板122分别间隔地排列且连设于基座123上，并藉由第一翼板122与其所对应的传送装置11及该基座13组配形成第一积液空间13，在基座123可设置有排液ロ 126，藉以将多余的处理液103排出涌泉座12。请參考图3，涌泉座12在基座123相对于第一翼板122的一侧可进一步再设置第ニ翼板125，第二翼板125连设于基座123上，同时藉由第二翼板125、传送装置11及基座123可形成第二积液空间14，当然，第一积液空间13内的处理液100亦会流至该第二积液空间14而汇积于其内，而得以减缓第一本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基板表面处理装置，包含：多个传送装置，传输至少一基板，该基板具有一下表面；及至少一涌泉座，各涌泉座分别间隔排列，并分别与对应的传送装置组配形成有一第一积液空间，且各涌泉座设置有至少一注液口，而所述注液口分别连通对应的第一积液空间，且所述第一积液空间可积存由所述注液口所注入的处理液；藉此经由所述传送装置所传输的基板的下表面可接触处理液。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张书省，蔡嘉雄，刘仕伟，茹振宗，
申请(专利权)人：均豪精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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