【技术实现步骤摘要】
本技术涉及类单晶铸锭
,具体而言,涉及ー种铸锭炉热场。技术背景目前传统的类单晶エ艺生长段初期边缘界面凸起严重,大部分晶体由于坩埚壁的过冷而在此处首先成核,导致产生多晶并且倾斜着长向硅锭内部,大大減少了单晶面积。导致产生多晶的原因与铸锭炉热场的结构有关,具体地,现有技术的铸锭炉热场的结构中,石墨底板和石墨侧板相连,整体作为导热和支撑体,坩埚外壁处的热量可以通过热导率高的石墨件首先散发出去。这样由于石墨侧板和坩埚的材料不同,热导率有很大的差异。坩埚内由于有坩埚底与石墨底板相隔,纵向温度梯度较大;而坩埚外由于有石墨侧板和石墨底板相连,纵向温度梯度较小。石墨底板的温度是比较均匀一致的,所以导致坩埚壁内外出现温度差(坩埚内壁温度高,坩埚外壁温度低较冷),所以结晶时优先在这里结晶,由于没有在籽晶上结晶,所以生长出多晶,并且多晶向内生长,导致单晶面积较小,晶体生长方向向内傾斜,晶体中单晶的比率降低,电池效率较低。
技术实现思路
本技术g在提供一种铸锭炉热场,以解决现有技术中铸锭炉热场的坩埚壁内外温度差大导致单晶面积较小的问题。为了实现上述目的,本技术提供了ー种铸锭炉热场,包 ...
【技术保护点】
一种铸锭炉热场,包括:坩埚(10);底板(20),支撑在所述坩埚(10)的底部;侧板(30),围设在所述坩埚(10)外并位于所述底板(20)的上方,其特征在于,所述铸锭炉热场还包括设置在所述底板(20)和侧板(30)之间的隔热件(40)。
【技术特征摘要】
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