半导体光检测元件制造技术

半导体光检测元件（1A）具备：硅基板（2），具有半导体层（20）、以及在半导体层（20）上生长且具有比半导体层（20）低的杂质浓度的外延半导体层（21）；导体，设置在外延半导体层（21）表面上。在外延半导体层（21），形成有光感应区域。在半导体层（20）的至少与光感应区域相对的表面（2BK），形成有不规则的凹凸（22）。不规则的凹凸（22）光学性地露出。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体光检测元件。
技术介绍
作为半导体光检测元件，已知的有具备具有第I杂质浓度的半导体层和在前述半导体层上生长且具有比前述第I杂质浓度低的第2杂质浓度的外延半导体层的硅基板(例如参照专利文献I所记载的“现有技术”)。 现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开平04-242980号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题在使用了硅基板的半导体光检测元件中，一般可以通过较大地设定硅基板的厚度来提高在长波长侧的分光灵敏度特性。然而，即使在足够大地设定硅基板的厚度的情况(例如I. 5mm左右)下，也难以在IlOOnm这样的近红外波长带域获得足够的分光灵敏度特性。若硅基板厚，则不仅半导体光检测元件本身会大型化，而且恐怕还会产生暗电流增加这样的新问题。由于硅基板厚，还有可能产生响应速度变迟缓这样的问题。本专利技术是使用了硅基板的半导体光检测元件，其目的在于提供一种在包含近红外的波长带域具有实用上足够的灵敏度特性的半导体光检测元件。解决技术问题的手段本专利技术是半导体光检测元件，其具备硅基板，具备具有第I杂质浓度的半导体层、以及在半导体层上生长且具有比第I杂质浓度低的第2杂质本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.14 JP 2010-0931801.一种半导体光检测元件，其特征在于 具备 硅基板，具有具有第I杂质浓度的半导体层、以及在所述半导体层上生长且具有比所述第I杂质浓度低的第2杂质浓度的外延半导体层；以及导体，设置在所述外延半导体层的表面上， 在所述外延半导体层，形成有光感应区域， 在所述半导体层的至少与所述光感应区域相对的表面，形成有不规则的凹凸， 所述不规则的凹凸光学性地露出。2.如权利要求I所述的半导体光检测元件，其特征在于 作为所述导体，具备光栅电极，设置在所述外延半导体层的表面上；以及第I和第2栅电极，在所述外延半导体层的所述表面上与所述光栅电极邻接而设置，并且 还具备第I和第2半导体区域，形成在所述外延半导体层，用于分别读出从所述光栅电极正下方的区域流入到所述第I和第2栅电极正下方的电荷， 所述不规则的凹凸形成在所述半导体层的至少与所述光栅电极正下方的区域相对的表面。3.如权利要求I所述的半导体光检测元件，其特征在于 在所述外延半导体层，作为所述光感应区域，形成有产生与入射光强度对应的量的电荷的光电二极管， 所述不规则的凹凸形成在所述半导体层的至少与所述光电二极管相对的表面。4.如权利要求3所述的半导体光检测元件，其特征在于 还具备...

【专利技术属性】
技术研发人员：间瀬光人，坂本明，铃木高志，山崎智浩，藤井义磨郎，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：
国别省市：