【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子领域干法刻蚀的数值模拟，特别涉及ー种用于等离子体刻蚀剖面演化的三维计算方法。
技术介绍
自从1961年第一块集成电路的诞生，IC就成为人类生活中不可或缺的ー项技木，电脑，手机，飞机，汽车，船舶这些エ业产品的发展都无法离开1C。近些年，随着电子产品的快速发展，电子系统(MEMS)和集成电路(IC)的器件尺寸也不断减小，这对于刻蚀エ艺便提出了更高的要求。随着器件特征尺寸的迅速减小(每一年半減小一倍)，刻蚀エ艺也从以前的湿法刻蚀转变到现在的干法刻蚀(等离子体刻蚀)，然后由于干法刻蚀实验费用昂贵，耗费周期长，所以对于等离子体刻蚀过程的数值模拟显得异常重要。 目前可以用于等离子体刻蚀过程模拟的方法大体有元胞法，线模拟法，射线模拟法，特征模拟法，但是这些模拟方法本身都存在ー些不足之处，如元胞法计算量大、数学基础不严格，线模拟法精度低，并且不易扩展到三維，特征模拟法计算效率低等等，而水平集方法的优势所在就是能建立严格的数学模型，快速准确的追踪界面变化信息，井能保证数值的稳定性。
技术实现思路
专利技术目的为解决上述现有技术中的技术问题，提供，它把水平集方法引入到等离子体刻蚀过程的模拟当中，将等离子体刻蚀过程最重要的两个物理參数，离子角度分布和能量分布作为主要输入參数，通过这两个參数拟合出水平集函数演化过程所需要的速度场，高效准确的完成对等离子体刻蚀剖面的演化过程的模拟。采用的技术方案提供了，采用修正的戈多诺夫格式求解三维的水平集函数，通过追踪零水平集函数来得到剖面的演化信息；速度场通过等离子体中离子的角度分布和能量分布来拟合，对物理溅射以及离子增强刻蚀...
【技术保护点】
一种用于等离子体刻蚀剖面演化的三维计算方法，其特征在于，采用修正的戈多诺夫格式求解三维的水平集函数，通过追踪零水平集函数来得到剖面的演化信息；速度场通过等离子体中离子的角度分布和能量分布来拟合，对物理溅射以及离子增强刻蚀进行模拟；求解过程中，若干步骤后对水平集函数进行重新初始化；一种用于等离子体刻蚀剖面演化的三维计算方法，具体包括以下步骤：步骤100:将要刻蚀的整个区域进行网格划分，水平集演化过程中的函数值通过得到的节点进行储存；步骤200：根据刻蚀槽的具体尺寸，构造与刻蚀槽构型符合的初始水平集函数？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？：将刻蚀槽中的边界部分的水平集函数值定义为0，将刻蚀槽实体部分的水平集函数值定义为正值，将区域中空的部分的水平集函数值定义为负值，通过水平集函数的定义区分整个区域的边界、实体和空的地方；步骤300：由于初始定义的水平集函数值梯度较大，形成的水平集函数不够平滑，所以对初始的水平集函数进行重构，得到较为平滑的水平集函数，格式为：=？？t[max(S,0)+min(S,0)？S]？步骤400：根据等离子...
【技术特征摘要】
1.一种用于等离子体刻蚀剖面演化的三维计算方法，其特征在于，采用修正的戈多诺夫格式求解三维的水平集函数，通过追踪零水平集函数来得到剖面的演化信息；速度场通过等离子体中离子的角度分布和能量分布来拟合，对物理溅射以及离子增强刻蚀进行模拟；求解过程中，若干步骤后对水平集函数进行重新初始化； 一种用于等离子体刻蚀剖面演化的三维计算方法，具体包括以下步骤 步骤100:将要刻蚀的整个区域进行网格划分，水平集演化过程中的函数值通过得到的节点进行储存； 步骤200:根据刻蚀槽的具体尺寸，构造与刻蚀槽构型符合的初始水平集函数 ρ(δ:将刻蚀槽中的边界部分的水平集函数值定义为0，将刻蚀槽实体部分的水平集函数值定义为正值，将区域中空的部分的水平集函数值定义为负值，通过水平集函数的定义区分整个区域的边界、实体和空的地方； 步骤300 :由于初始定义的水平集函数值梯度较大，形成的水平集函数不够平滑，所以对初始的水平集函数进行重构，得到较为平滑的水平集函数，格式为 = <pfjk -At [max (S，O) +min (S，O) _S] V+ = Jmax(Dl^jlO)2 + min(D^<p,0)2 + max(...
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