单元结构及方法技术

一种方法，包括：选择出存储在非瞬态计算机可读存储介质中的单元，将多个单元布置在半导体器件的模型上，以及基于该半导体器件的模型形成该半导体器件的掩模。该单元是根据设计规则设计的，在该设计规则中第一电源连接通孔所符合的标准选自包含以下标准的组：i)第一电源连接通孔与第二电源连接通孔间隔开的距离大于使得通孔能够通过单光刻单蚀刻工艺制造的阈值距离，或者ii)第一电源连接通孔与基本上平行的第一导线和第二导线相连接，该第一导线和第二导线沿着直接邻近的轨道延伸。本发明专利技术还提供了一种单元结构及方法。

【技术实现步骤摘要】

公开的系统和方法涉及的是半导体。更具体地，公开的系统和方法涉及的是半导 体衬底上的电路设计和布局。
技术介绍
在半导体器件的尺寸持续缩小的同时，在半导体衬底上产生更小图案的能力则持续提高。在光刻エ艺中，对于光的给定波长而言，存在利用单个光掩模产生清洁线(cleanline)的最小行间隔。2P2Eエ艺(使用两个光刻步骤和两个蚀刻步骤的エ艺)可以通过使用用于在相同层中形成图案的两个图案化步骤来产生更小的半导体器件。2P2Eエ艺使用两个光掩模和两个蚀刻步骤在单个光刻胶层中分别相应地形成不同的图案，在每个独立的图案化步骤过程中使用了相对较大的线间距(line pitch)。与使用单光刻步骤和单蚀刻步骤的半导体制造エ艺，即，单光刻单蚀刻(IPlE)エ艺相比，2P2Eエ艺大体上包括两个额外的步骤。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本专利技术的ー个方面，提供了ー种方法，包括选择出存储在非瞬态计算机可读存储介质中的単元，根据设计规则设计所述単元，在所述设计规则中，第一电源连接通孔所符合的标准选自包含以下标准的组i)所述第一电源连接通孔与第二电源连接通孔间隔开的距离大于使得所述单元能够通过单光刻单蚀刻エ艺制造的阈值距离，或者ii)所述第一电源连接通孔与基本上平行的第一导线和第二导线相连接，所述第一导线和所述第二导线沿着直接邻近的轨道延伸；将多个所述单元布置在半导体器件的模型上；以及基于所述半导体器件的所述模型为所述半导体器件形成掩模。在该方法中，进ー步包括将所述半导体器件的所述模型存储在所述非瞬态计算机可读存储介质中；以及使用所述掩模制造所述半导体器件，其中，使用单光刻步骤和单蚀刻步骤制造所述电源连接通孔。在该方法中，所述第一电源连接通孔可能是沿着相应的轨道设置的多个电源连接通孔之一，所述多个电源连接通孔在第一方向上相互对齐，并且被至少ー个不包括电源连接通孔的轨道相互间隔开。在该方法中，所述第一电源连接通孔可能是多个沿着相应的轨道设置的电源连接通孔之一，所述多个电源连接通孔沿着直接邻近的轨道设置，并且在第一方向和第二方向上相互移位。在该方法中，所述第一方向可能是X方向，所述第二方向可能是y方向。在该方法中，所述多个电源连接通孔可能被设置在第一电源线上，并且与所述第ー电源线相连接。在该方法中，所述第一电源连接通孔可能被设置在第一电源线上，并且与所述第ー电源线相连接。在该方法中，第二通孔可能被设置在第一电源线和第二电源线之间，并且在与所述第一导线和所述第二导线的延伸方向基本上垂直的方向上延伸。在该方法中，所述第一电源连接通孔可能由多个电源连接通孔形成，使得所述第 一电源连接通孔的面积大于形成所述第一电源连接通孔的单个电源连接通孔的面积。在该方法中，所述第一电源连接通孔可能通过第三导线与基本上平行的所述第一导线和所述第二导线相连接，所述第三导线在与所述第一导线和所述第二导线的延伸方向基本上垂直的方向上延伸。在该方法中，所述第一电源连接通孔可能被设置在第一电源线上，并且与所述第ー电源线相连接。根据本专利技术的另一方面，提供了一种系统，包括非瞬态计算机可读存储介质，包括表示用于建模和/或制造半导体器件的単元的数据，根据设计规则设计所述単元，在所述设计规则中，第一电源连接通孔所符合的标准选自包含以下标准的组i)所述第一电源连接通孔与第二电源连接通孔间隔开的距离大于使得所述单元能够通过单光刻单蚀刻エ艺制造的阈值距离，或者ii)所述第一电源连接通孔与基本上平行的第一导线和第二导线相连接，所述第一导线和所述第二导线沿着直接邻近的轨道延伸；以及处理器，与所述非瞬态计算机可读存储介质相通信，所述处理器被配置为选择出所述单元，将多个所述单元布置在半导体器件的模型上，以及将包括所述多个単元的所述半导体器件的所述模型存储在所述非瞬态计算机可读存储介质中。在该系统中，所述第一电源连接通孔可能是沿着相应的轨道设置的多个电源连接通孔之一，所述多个电源连接通孔在第一方向上相互对齐，并且被至少ー个不包括电源连接通孔的轨道相互间隔开。在该系统中，所述第一电源连接通孔可能是多个沿着相应的轨道设置的电源连接通孔之一，所述多个电源连接通孔沿着直接邻近的轨道设置，并且在第一方向和第二方向上相互移位。在该系统中，第二通孔可能被设置在第一电源线和第二电源线之间，并且在与所述第一导线和所述第二导线的延伸方向基本上垂直的方向上延伸。在该系统中，所述第一电源连接通孔可能通过第三导线与基本上平行的所述第一导线和所述第二导线相连接，所述第三导线在与所述第一导线和所述第二导线的延伸方向基本上垂直的方向上延伸。根据本专利技术的又一方面，提供了ー种利用程序代码编码的非瞬态计算机可读存储介质，其中，当通过处理器执行所述程序代码时，所述处理器实施ー种方法，所述方法包括选择出用于建模和/或制造半导体器件的単元，根据设计规则设计所述単元，在所述设计规则中，第一电源连接通孔所符合的标准选自包含以下标准的组i)所述第一电源连接通孔与第二电源连接通孔间隔开的距离大于使得所述单元能够通过单光刻单蚀刻エ艺制造的阈值距离，或者ii)所述第一电源连接通孔与基本上平行的第一导线和第二导线相连接，所述第一导线和所述第二导线沿着直接邻近的轨道延伸；以及将多个所述単元布置在半导体器件的模型上；以及存储所述模型的电子表示。在该非瞬态计算机可读存储介质中，所述第一电源连接通孔可能是沿着相应的轨道设置的多个电源连接通孔之一，所述多个电源连接通孔沿着第一方向相互对齐，并且通过至少ー个不包括电源连接通孔的轨道相互间隔开。在该非瞬态计算机可读存储介质中，所述第一电源连接通孔可能是多个沿着相应的轨道设置的电源连接通孔之一，所述多个电源连接通孔沿着直接邻近的轨道设置，并且在第一方向和第二方向上相互移位。在该非瞬态计算机可读存储介质中，第二通孔可能被设置在第一电源线和第二电源线之间，并且在与所述第一导线和所述第二导线的延伸方向基本上垂直的方向上延伸。 在该非瞬态计算机可读存储介质中，所述第一电源连接通孔可能通过第三导线与基本上平行所述第一导线和所述第二导线相连接，所述第一电源连接通孔在与所述第一导线和所述第二导线的延伸方向基本上垂直的方向上延伸。附图说明图I是使用改良的单元限制(cell constraint)在半导体晶圆上制造电路的方法的一个实例的流程图；图2是被配置为实施根据图I的方法的ー些或所有的系统的ー个实例的框图；图3A和图3B示出了布局在单元上的已形成的轨道和通孔；图4示出的是包括沿着邻近轨道延伸的通孔的单元；图5A-图示出了在其中垂直的通孔被合并成在邻近轨道中朝向电源线延伸的连接通孔的实施例。 图6A和图6B示出了在其中导电层被用于在源极和有源区域之间延伸的连接通孔的实施例；图7示出的是根据设计规则分离的単元对的实例。图8示出的是与其他单元相对设置的单元的ー个实例。具体实施例方式所公开的系统和方法能够使用单光刻步骤和单蚀刻步骤(IPlE)在半导体衬底上制造电路，该单光刻步骤和单蚀刻步骤形成了用于连接电源的垂直通孔(“电源连接通孔”)。这些公开的系统和方法能够有利地减小了用于形成电源连接通孔的加工步骤的数量，还降低了用于电路制造的加工时间和制造费用。根据至少ー个能够通过IPlEエ艺制造一个或多个电源连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：选择出存储在非瞬态计算机可读存储介质中的单元，根据设计规则设计所述单元，在所述设计规则中，第一电源连接通孔所符合的标准选自包含以下标准的组：i)所述第一电源连接通孔与第二电源连接通孔间隔开的距离大于使得所述单元能够通过单光刻单蚀刻工艺制造的阈值距离，或者ii)所述第一电源连接通孔与基本上平行的第一导线和第二导线相连接，所述第一导线和所述第二导线沿着直接邻近的轨道延伸；将多个所述单元布置在半导体器件的模型上；以及基于所述半导体器件的所述模型为所述半导体器件形成掩模。

【技术特征摘要】
2011.06.22 US 61/499,841;2011.08.11 US 13/207,5061.一种方法，包括 选择出存储在非瞬态计算机可读存储介质中的单元，根据设计规则设计所述单元，在所述设计规则中，第一电源连接通孔所符合的标准选自包含以下标准的组 i)所述第一电源连接通孔与第二电源连接通孔间隔开的距离大于使得所述单元能够通过单光刻单蚀刻工艺制造的阈值距离，或者 )所述第一电源连接通孔与基本上平行的第一导线和第二导线相连接，所述第一导线和所述第二导线沿着直接邻近的轨道延伸； 将多个所述单元布置在半导体器件的模型上；以及 基于所述半导体器件的所述模型为所述半导体器件形成掩模。2.根据权利要求I所述的方法，进一步包括 将所述半导体器件的所述模型存储在所述非瞬态计算机可读存储介质中；以及使用所述掩模制造所述半导体器件，其中，使用单光刻步骤和单蚀刻步骤制造所述第一电源连接通孔，或者 其中，所述第一电源连接通孔是沿着相应的轨道设置的多个电源连接通孔之一，所述多个电源连接通孔在第一方向上相互对齐，并且被至少一个不包括电源连接通孔的轨道相互间隔开。3.根据权利要求I所述的方法，其中，所述第一电源连接通孔是多个沿着相应的轨道设置的电源连接通孔之一，所述多个电源连接通孔沿着直接邻近的轨道设置，并且在第一方向和第二方向上相互移位。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一方向是X方向，所述第二方向是y方向，或者 其中，所述多个电源连接通孔设置在第一电源线上，并且与所述第一电源线相连接。5.根据权利要求I所述的方法，其中，所述第一电源连接通孔设置在第一电源线上，并且与所述第一电源线相连接，并且 其中，第二通孔设置在第一电源线和第二电源线之间，并且在与所述第一导线和所述第二导线的延伸方向基本上垂直的方向上延伸。6.根据权利要求I所述的方法，其中，所述第一电源连接通孔由多个电源连接通孔形成，使得所述第一电源连接通孔的面积大于形成所述第一电源连接通孔的单个电源连接通孔的面积，或者 其中，所述第一电源连接通孔通过第三导线与基本上平行的所述第一导线和所述第二导线相连接，所述第三导线在与所述第一导线和所述第二导线的延伸方向基本上垂直的方向上延伸，或者 其中，所述第一电源连接通孔设置在第一电源线上，并且与所述第一电源线相连接。7.一种系统,包括 非瞬态计算机可读存储介质，包括表示用于建模和/或制造半导体器件的单元的数据，根据设计规则设计所述单元，在所述设计规则中，第一电源连接通孔所符合的标准选自包含以下标准的组 i)所述第一电源连接通孔与第二电源连接通孔间隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁立忠，田丽钧，林学仕，江哲维，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：