一种用于电路快速仿真的二极管内部结点消去方法技术

技术编号:8131147 阅读:188 留言:0更新日期:2012-12-27 03:23
本发明专利技术提供了一种用于电路快速仿真的,消去内部结点的二极管模型建模方法,这种方法对二极管的电学方程进行近似求解,从而把包含有寄生电阻的3结点二极管模型等效为消去内部结点的两结点二极管模型。这种方法考虑了当前主流电路仿真器二极管模型的所有物理效应,如大注入效应,隧穿效应和反向击穿特性。从而可在保证电路收敛精度的条件下,减小电路求解矩阵的大小,使得电路矩阵的LU分解时间大为降低,从而可提高电路仿真器的速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于EDA(电子设计自动化)领域,特别地,涉及ー种用于集成电路快速仿真的消去内部结点的ニ极管建模及仿真方法。2.
技术介绍
电路仿真是集成电路设计过程中的重要环节,通过对电路进行仿真,设计者可以在电路开发的早期预测出电路的行为、检测出错误,从而可以避免因投片生产后才发现芯片性能不符合要求而造成的巨大损失。电路仿真的过程就是依据器件模型和电路基尔霍夫(Kirchhoff)定律,对整个电路在姆个结点上建立电学方程,然后再通过牛顿-拉夫森(Newton-Ralphson)迭代对这组方程进行求解,从而得到仿真結果。由于电路设计规模的不断増大,消耗在电路仿真上的时间越来越长,那么在能满足设计者要求精度的条件下,怎样提高电路的仿真速度就成了当前EDA工具开发所面临的最主要的问题之一。电路仿真所消耗的时间主要集中在模型的计算和矩阵的求解上。当前的一些用于提高电路仿真器仿真速度的技术也都是分别针对于如何能減少这两个方面的时间。对于集成电路的快速仿真,模型简化技术是ー项重要的加速仿真技术。这就是要求在能保证器件模型精度的前提下,通过一定的方法,減少模型及矩阵的计算时间,从而来提高电路的仿本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于电路快速仿真的二极管内部结点消去方法,其特征在于对包含有寄生电阻Rs的3结点二极管模型,消去它的内部结点,用2结点的二极管解析模型对它进行等效。

【技术特征摘要】
1.ー种用于电路快速仿真的ニ极管内部结点消去方法,其特征在于对包含有寄生电阻Rs的3结点ニ极管模型,消去它的内部结点,用2结点的ニ极管解析模型对它进行等效。2.如权利要求I所述的2结点ニ极管解析模型,其特征在于这种模型是通过近似求解ニ极管的电路方程得到的,它考虑了ニ极管的大注入效应,隧穿电流及反向击穿特性。3.如权利要求2所述求解ニ极管电路方程的过程,其特征在于首先求解所加电压为Vd时的ニ极管电流初始值Idtl再从这个初始值近似计算ニ极管的电特性。4.如权利要求3所述的从ニ极管电流...

【专利技术属性】
技术研发人员:尚也淳陈志东陈光前
申请(专利权)人:北京华大九天软件有限公司
类型:发明
国别省市:

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