张应变锗薄膜外延结构制造技术

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体
，具体的是涉及一种张应变锗薄膜外延结构。
技术介绍
张应变能够改变半导体锗材料的能带结构，降低禁带宽度并提高载流子的迁移率。张应变锗薄膜在场效应晶体管、光电探测器、发光管以及激光器中得到了广泛的应用。张应变锗薄膜的外延生长结构通常有两种，一是在Si衬底上生长Ge薄膜。由于Si的晶格常数比Ge的小，Ge薄膜中的张应变主要由Si和Ge热膨胀系数的不同而产生，由于 热膨胀系数失配有限，且材料承受的温度最高必须低于其熔点，最大张应变仅能达到0. 3%。二是在GeSn缓冲层上生长Ge薄膜。GeSn合金的晶格常数比Ge的大，共格生长在GeSn缓冲层上的Ge薄膜中的张应变随着Sn组份的增加而增加。然而，Ge和Sn的相互平衡固溶度都小于1%，并且Sn的表面自由能比Ge的小，Sn容易分凝到表面。制备高Sn组份、高质量GeSn缓冲层很困难。在GeSn缓冲层上生长Ge薄膜获得的张应变不足I. 0%。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种锗薄膜张应变大的张应变锗薄膜外延结构。本技术解决其技术问题采用的技术方案是一种张应变锗薄膜外延结构，包括衬底和依次层叠在所述衬底表面上的InxGa1^x本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种张应变锗薄膜外延结构，包括衬底和依次层叠在所述衬底表面上的InxGa1？xAs缓冲层、含锗薄膜层；其中，0

【技术特征摘要】
1.一种张应变锗薄膜外延结构，包括衬底和依次层叠在所述衬底表面上的InxGahAs缓冲层、含锗薄膜层；其中，0〈x ( O. 53。2.如权利要求I所述的张应变锗薄膜外延结构，其特征在于所述InxGahAs缓冲层包括互相层叠的In含量递变的递变层和In含量恒定的恒定层，所述递变层与所述衬底层叠，所述恒定层与含锗薄膜层层叠。3.如权利要求I或2所述的张应变锗薄膜外延结构，其特征在于所述InxGahAs缓冲层通过非共格生长与所述衬底层叠。4.如权利要求3所述的张应变锗薄膜外延结构，其特征在于所述InxGahAs缓冲层的线位错密度低于IO7CnT2，表面粗糙度小于2纳米。5.如权利要求3所述的张应变锗薄膜外延结...

【专利技术属性】
技术研发人员：周志文，叶剑锋，
申请(专利权)人：深圳信息职业技术学院，
类型：实用新型
国别省市：