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张应变锗薄膜外延结构制造技术
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文档序号:8123045
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本实用新型公开了一种张应变锗薄膜外延结构。该张应变锗薄膜外延结构包括衬底和依次层叠在所述衬底表面上的InxGa1-xAs缓冲层、含锗薄膜层;其中,0
该专利属于深圳信息职业技术学院所有,仅供学习研究参考,未经过深圳信息职业技术学院授权不得商用。
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