膜堆叠体及其方法技术

一种在膜堆叠体中制造多个间隔物的方法包括在基板上形成具有侧壁的至少一个导电元件，邻近于基板沉积多个钝化层，和在该多个钝化层之一上执行蚀刻以基本在该至少一个导电元件的侧壁的对面形成多个间隔物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
包括若干层的膜堆叠体与热流体喷射器设备一起使用。例如，在热喷墨打印头中使用这种膜堆叠体从而通过气泡的坍缩来喷射墨滴，所述气泡是通过加热油墨形成的。附图说明一般创造性概念的示例性非限制实施例是在参考本文所附的附图阅读的以下说明中描述的，并且不限制权利要求的范围。在图中，在多于一幅图中出现的相同和类似的结构、其元件或者部分在它们在其中出现的图中一般地利用相同或者类似的附图标记标注。在图中示意的构件和特征的尺寸主要是为了呈现方便和清楚起见选择的，而不一定是按照比例绘制的。参考附图 图IA是示意根据本一般创造性概念的示例实施例的、能够与热流体喷射器设备一起 使用的膜堆叠体的侧视图。图IB是示意根据本一般创造性概念的另一个示例实施例的、能够与热流体喷射器设备一起使用的膜堆叠体的侧视图。图IC是根据本一般创造性概念的示例实施例的、包括蚀刻停止层的、图IA的膜堆置体的侧视图。图ID是根据本一般创造性概念的示例实施例的、包括蚀刻停止层的、图IB的膜堆置体的侧视图。图2是示意根据本一般创造性概念的示例实施例的、在膜堆叠体中制造多个间隔物的方法的流程图。图3A-3F是示意根据本一般创造性概念的示例实施例的、如在图2中所示意的、制造多个间隔物的方法的序列视图。图4A-4F是示意根据本一般创造性概念的示例实施例的、如在图2中所示意的、制造多个间隔物的方法的序列视图。具体实施例方式本一般创造性概念涉及一种能够与热流体喷射器设备一起使用的膜堆叠体和一种在该膜堆叠体中制造多个间隔物的方法。该热流体喷射器设备可以是例如通过气泡的坍缩而喷射墨滴的热喷墨打印头，该气泡是通过加热油墨而形成的。该膜堆叠体例如可以包括基板、每一个均具有侧壁的电阻器和传导互连线、若干钝化层、和从钝化层之一形成的多个间隔物。所述间隔物基本被置放在电阻器和传导互连线的相应侧壁的对面(acrossfrom)。根据本一般创造性概念，该多个间隔物通过蚀刻从钝化层形成并且基本被置放在电阻器和传导互连线的相应侧壁的对面。这种间隔物布置例如增加了相应导电元件的侧壁的介电厚度并且改进了阶梯覆盖(Step coverage)O与包括由于在粗糙构形之上的不良覆盖而易受薄部位影响的更厚的钝化层的常规膜堆叠体相比，本一般创造性概念的间隔物使得薄钝化层能够覆盖相应构形。更加保形(conformal)的钝化层还防止接缝形成到电阻器和传导互连线的直接化学路径，从而产生化学保护和电隔离。图IA是示意根据本一般创造性概念的示例实施例的、能够与热流体喷射器设备一起使用的膜堆叠体的侧视图。图IB是示意根据本一般创造性概念的另一个示例实施例的、能够与热流体喷射器设备一起使用的膜堆叠体的侧视图。参考图IA和1B，在本示例中，膜堆叠体IOa和IOb包括基板11、被置放在基板11上的、具有侧壁12a的至少一个导电元件12，和包括被配置为提供电绝缘的电绝缘体钝化层14b和被配置为提供化学绝缘的化学绝缘体钝化层14c的多个钝化层。在本示例中，电绝缘体钝化层14b包括在构形之上具有良好沉积覆盖的氮化硅(SiN)的介电膜并且化学绝缘体钝化层14c包括耐受化学侵蚀的碳化硅(SiC)的介电膜。参考图IA和1B,在一个示例中，该至少一个导电元件12包括具有侧壁12a的电阻器和导电互连线中的至少一个并且所述多个间隔物14a’从该多个钝化层之一形成且基本被置放在该至少一个导电元件12的侧壁12a的对面。例如，钝化层14a (图3C和4D)被蚀刻以形成间隔物14a’。在一个示例中，间隔物14a’的厚度由钝化层14a的厚度设定。这种 间隔物14a’例如增加了相应导电元件12的侧壁12a的介电厚度并且改进了阶梯覆盖。在本示例中，该多个间隔物14a’包括圆状顶部部分。例如,通过使得电绝缘体钝化层14b到相应导电元件12的侧壁12a的厚度与相应导电元件12上方的电绝缘体钝化层14b解耦，这种间隔物14a’实现了薄钝化层。间隔物14a’还防止接缝形成到该至少一个导电元件12的直接化学路径，从而产生健壮的电隔离和针对化学侵蚀的保护。因此，在本示例中，在提供改进的、导电元件12的化学和机械健壮性的同时，间隔物14a’允许电绝缘体钝化层14b是薄的并且提供改进的热性能。在一个示例中，如在图IA中所示意地，膜堆叠体IOa的间隔物14a’被置放成与基板11、电阻器和导电互连线中的该至少一个和电绝缘体钝化层14b接触。而且，膜堆叠体IOa的电绝缘体钝化层14b与基板11、该多个间隔物14a’、该至少一个导电元件12和化学绝缘体钝化层14c接触。在本示例中，间隔物14a’从例如包括SiN的钝化层14a形成。在一个示例中，化学绝缘体钝化层14c包括SiC,并且间隔物14a’和电绝缘体钝化层14b包括SiN。图IC是根据本一般创造性概念的示例实施例的、包括蚀刻停止层的、图IA的膜堆叠体的侧视图。在图IC中示意的膜堆叠体IOc包括添加了蚀刻停止层13的、在图IA中示意的膜堆叠体10a，该蚀刻停止层13被配置为提供化学绝缘并且在通过蚀刻形成间隔物14a’时用作停止层。参考图1C，在本示例中，膜堆叠体IOc的蚀刻停止层13被置放成与基板11、电阻器和导电互连线中的该至少一个、该多个间隔物14a’和电绝缘体钝化层14b接触。而且，在本示例中，膜堆叠体IOa的电绝缘体钝化层14b与蚀刻停止层13、该多个间隔物14a’和化学绝缘体钝化层14c接触。在本示例中，间隔物14a’从例如包括SiN的钝化层14a形成。在一个示例中，蚀刻停止层13和化学绝缘体钝化层14c包括SiC，并且间隔物14a’和电绝缘体钝化层14b包括SiN。在如在图IB中所示意的示例中，膜堆叠体IOb的电绝缘钝化层14b被置放成与基板11、至少一个导电元件11、电绝缘体钝化层14b、该多个间隔物14a’和化学绝缘体钝化层14c接触。图ID是根据本一般创造性概念的示例实施例的、包括蚀刻停止层的、图IB的可用的膜堆叠体的侧视图。在图ID中示意的膜堆叠体IOd包括添加了蚀刻停止层13的、在图IB中示意的膜堆叠体10b，该蚀刻停止层13被配置为提供化学绝缘并且在通过蚀刻形成间隔物14a’时用作停止层。参考图1D，在本示例中，膜堆叠体IOd的蚀刻停止层13被置放成与多个间隔物14a’、电绝缘体钝化层14b和化学绝缘体钝化层14c接触。而且，在本示例中，电绝缘体钝化层14b与基板11、导电元件12和蚀刻停止层13接触，并且化学绝缘体钝化层14c与该多个间隔物14a’和蚀刻停止层13接触。在本示例中，间隔物14a’从例如包括SiN的钝化层14a形成。在一个示例中，蚀刻停止层13和化学绝缘体钝化层14c包括SiC,并且间隔物14a’和电绝缘体钝化层14b包括SiN。图2是示意根据本一般创造性概念的示例实施例的、在膜堆叠体中制造多个间隔物的方法的流程图。参考图2，在方框S210中，在基板上形成具有侧壁的至少一个导电元 件。在一个示例中，该至少一个导电元件可以包括电阻器和导电互连线中的至少一个。在方框S220中，邻近于基板沉积多个钝化层。在方框S230中，在该多个钝化层之一上执行蚀刻以基本在该至少一个导电元件的侧壁的对面形成多个间隔物。在一个示例中，该制造多个间隔物的方法可以进一步包括邻近于基板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：V马蒂，G库克，
申请(专利权)人：惠普发展公司，有限责任合伙企业，
类型：
国别省市：