【技术实现步骤摘要】
本专利技术的,尤其涉及大功率电子元件或者其它热源遇到突发情况,导致温度发生较大变化时的一种基于热化学法的控温散热装置及散热方法。
技术介绍
近年来,随着高频、高速化的电子元件的发展,高功率的电子元件开发得以成功,大规模和超大规模的集成电子元件在工业和生活等领域有着广泛应用潜力,如何将高热流密度的电子元件推广到相应领域,是电子元件得到广泛应用的关键问题。目前两个主要原因是的电子元件难以得到推广技术问题和成本问题。研究资料显示,单个半导体元件的温度每上升2 V,其可靠性下降10%,基于目前 对半导体制造技术的工艺水平,高功率电子元件在瞬间开启时,短时间内生成的热量超出散热器的散热能力,在正常工作时,产生的热量又低于瞬时产生的热量,无法全部发挥散热器散热能力。实践数据表明电子元件寿命与结点温度成线性关系,即结点温度越高,寿命越短,因此瞬时产生的热量往往导致电子元件的结点温度过高,缩短电子元件的使用寿命和降低性能的发挥。目前,为应对电子元件工作时面临的极端条件,比如环境温度过高、芯片电流突增等,散热装置需预留较大设计余量,以保证电子元件处于最佳工作温度附近,这就导致散热 ...
【技术保护点】
一种热化学法控温的散热装置,其特征是,包括电子元件、吸附/解吸床、散热装置;所述吸附/解吸床包括外壳和内部的储能材料;电子元件与吸附/解吸床的外壳连接,散热装置紧贴于吸附/解吸床的外壳。
【技术特征摘要】
1.一种热化学法控温的散热装置,其特征是,包括电子元件、吸附/解吸床、散热装置;所述吸附/解吸床包括外壳和内部的储能材料;电子元件与吸附/解吸床的外壳连接,散热装置紧贴于吸附/解吸床的外壳。2.如权利要求I所述的热化学法控温的散热装置,其特征是,所述储能材料包括金属盐水络合物。3.如权利要求2所述的热化学法控温的散热装置,其特征是,所述金属盐水络合物为Na2SO4 · IOH2O' MgSO4 · 7H20、Na2HPO4 · 12H20、Na2S2O3 · 5H20、CaCl2 · 6H20 或 LiNO3 · 3H20 一种或几种。4.如权利要求I所述的热化学法控温的散热装置,其特征是,所述储能材料还包括支撑材料,所述支撑材料为膨胀石墨、金属泡沫、金属丝网、石墨纤维及多孔导热陶瓷中的一种或几种。5.如权利要求4所述的热化学法控温的散热装置,其特征是,当添加金属泡沫时,将金属泡沫和金属盐水络合物通过挤压成型方式塞入吸附/解吸床内,所述金属泡沫为金属铝泡沫或者金属铜泡沫。6.如权利要求4所述的热化学法控温的散热装置,其特征是,当...
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