一种半导体结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体结构，包括：半导体衬底；栅极堆叠，其形成于所述半导体衬底上；源/漏区，其形成于半导体衬底中；层间介质层，其覆盖所述栅极堆叠和所述源/漏区；接触孔，其贯穿所述层间介质层并延伸到所述源/漏区内部；接触金属，其填充所述接触孔；其中，所述接触金属延伸入所述源/漏区内的部分与源/漏区之间在侧壁和底部存在共形的金属硅化物层；其中金属硅化物层与所述源/漏区之间存在共形的非晶化物层。本实用新型专利技术通过刻蚀源/漏区，使其暴露区域包括底部以及侧壁，增大了接触孔中接触金属和源/漏区的接触面积，从而减小了接触电阻；采用选择性沉积的方式形成非晶化物，有效地消除了由非晶化离子注入所引起的末端缺陷。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹海洲，骆志炯，朱慧珑，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
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